Способ изготовления термочувствительных резистивных материалов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
° ° °
° >"К1> ... ji". - .. -т-
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик!
1494772! ,!>",", » фф (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 09.10.73 (21) 1964076. 24-7
i 5I ) Ч Кл. Н 01с 5 00 с присоединением заявки №вЂ”
Гасударственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет—
Он > б 1»I
В. Л. Волков, А. А, Фотиев «В. g. Капусткин (71) Заявитель Институт химии Уральского научного центра АН СССР (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЪНЫХ ГЕЗИСТИВНЫХ
МАТЕРИАЛОВ
Изобретение относится к электротехнике н электронике.
Известные способы изготовления термочувствительных резистивных материалов, основанные на нагревании н последуюшем охлаждении кислородных соединений ванадия, очень трудоемки из-за сложности их синтеза, а полученные материалы мало устойчивы к окислению в агрессивных и жидких средах.
Целью дашюго изобретения является упрощение способа получения термочувствительIII lx элементов.
Указанная цель достигается тем, что в качестве указанных материалов берут монокристаллы кислород!!ых ванадиевых бронз типа
Ме Ч60!5 и Ме",. V!203ñ, которые нагревают в вакууме 10 — )О .с>!! рт. ст. до температуры 400 — 550 С н охлажда1от со скоростью це более 10 град/>иия.
На фнг. 1 приведен график тегмпсратуры окисления порошков 13 атмосфере воздуха при скорости нагрева 2 град/.51ия; на фиг. 2 — график зависимости степени растворен!я от времени контакта образца с 10%-ной HCI; вя фиг. 3, 4 — температурная зависимость электросопротивлсння, измеренная поте1шиомстрическим методом на постоянном токе.
Установлено, что в монокрнсталлах ванадисвых бронз при температурах выш 400 Г происходят структур:!ые изменения, приводяньпс !< появлению обратимого ш<а н<я сопротивления нрн температурах 55- -70 С.
Кроме этого кнслородны" вянадпсBI>ip бронзы (нанример, X IA 60!5) наиболее устойчивы к окислению прн нагревании Ilo pclBI!Lнию с двуокисью ванадия. Согласно результатам дериватографнческого анализа порошков прн скорости нагрева 2 град/5пин температура начала заметного окисленця 3!IA 60: в атмосферс воздуха равна 550 С (см. фнг. Iб), а ЪОз — 305 С (см. фпг. I а). 11сслс! 1в!11ня
«ннетикн р!c i3opei!11я Хя 1;0!„.- н X 0 !3 )0%ном растворс НГI свидетельствуют о м<:;ьшсll скорости вза;!модсйствня ваняд!1 Boll «ро11зы натрия с кислотой. На графике (см. фнг. 2), кривая 1 показывает количество И)а, Iiopoшедшее в рас-,I3oð, а «ривая 2 — . яЪ 601,.-, р:! от!юше! пн Т:,>К = 1: 200. По литератур!!ым данныгм зяна !.свыс бронзы типа Чс! У60; и
Меп V1 О,в практ;I«cci<» не рястворнмы в рятворах кислот с 2-: pI-1 7. В этих же усло.>н5l. < двуo«I! Oi> ва нядп5! к!енес устой ч11вя.
П р н м с р 1. Мо;!окрис151лл «Iiс Iopo;.Iioli вянадиевон !1)эоцзы лития сост;1вт1 ) 11 0 „.-, .!1 - —.", р>1д, .Ii t! I- дO
600= С и вякуу." . )О: .!:л. рт. ст, После 3ãîã;) в области -.Смператур 60 — 65 С его сопротнвле!1нс 11змс 1ястся скачком, со. )3!1 15!ÿ н<>л1 пповоднн«ов:>!й характер п)3«воднмостil. I>,p»!3;»I 1
494772
РИ Ю ЛР Ю ФЯ0
МГ
Фиг f
120 <80 2И
y„, Двумя, ми (см. фнг. 3) получена нри первичном нагреве, кривая 2 — при охлаждении и кривая 8 — прн повторном нагреве монокристалла.
Пример 2. Монокристалл кислородной ванадиевой бронзы натрия состава NaVqO q нагревают со скоростью 1 — 2 град1иин до
600 С в вакууме 10 — яя рт. ст. После этого в области температур 60 — 65 С его сопротивление изменяется скачком. Тип проводимости при высоких температурах металлический, при низких — полупроводниковый. Кривая 1 (см. фиг. 4) получена при первичном нагреве, кривая 2 — прн охлаждении и кривая 8 — при повторном нагреве монокрнсталла. о 80
4 0 И
Формула изобретения
Способ изготовления термочувствительных резистивиых материалов, основанный иа нагревании и последующем охлаждении кислородных соединений ванадия, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления, в качестве исходных соединений берут монокристаллы кислородных ванадиевых бронз типа
Me,. 1 60 5 и Ме," VizOso которые нагревают в вакууме 10 — 10 мл рт. ст. до 400—
600 С и охлаждают со скоростью не более
10 град/мси.
494772
1gs,iг К
2, О 2, Р
Риг..7
1 о 1
Ъ
ГР р5
Фиг ф
Тип. Харьк. фил. пред, сПатентэ.
Составитель В. Чернова
Редактор Н. Вирко Техрсд А. Камышникова Корректор В. Гутман
Заказ 240/458 Изд. К 194 Тпраьк 830 Подписное
ЦНИИПИ Государстве иного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5