Способ измерения поглощения ультразвуковых колебаний в пьезополупроводниках

Способ измерения поглощения ультразвуковых колебаний в пьезополупроводниках

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОЛИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНMR

Сон!з Советских

Социалистических

IJJ) 495601

Республик

H AB J!"QPJJ НОМУ СВйДЕТБХ!ЬС1ВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02.03.73 (21) 1891463/18-10 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.12.75. Б!Олз!Стен!> ¹ 46 (45) Дата опубликования описаш!я 21.04.78 (51) М. Кл.- 6 OIN 29, 00

Государственный комитет

Совета 1Иинистров СССР (53) УДК 534.833.5 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

С. Н. Иванов, Г. Д. Мансфельд и E. Н. Хазанов

Институт радиотехники и электроники AH СССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ

УЛЬТРАЗВУКОВЫХ КОЛЕБАНИЙ В ПЬЕЗОПОЛУПРОВОДНИКАХ

Форе!ул", изобретения

Изобретение относится к области измерительной техники.

Известны способы измерения поглощения ультразвуковых колебаний в пьезополупроводниках, основанные на возбуждении колебаний в среде, приеме и последующем анализе прошедших через среду колебаний, например, путем сравнения амплитуд последовательности ультразвуковых импульсов, многоJ1pBTFIo Отра?кенных 0T ToplioB кристалла пьезополупроводпика.

Однако известные способы невозх!ожио использовать на сверхвысоких (СВЧ), для «оторых характерны большие значения поглощения ультразвука в кристаллах пьезополупроводников.

Целью изобретения является повышение рабочей частоты (выше 1 — 2 Гц).

По предлагаемому способу производят измерение акустоэлектричсского напряжения по крайней мере в двух точках на пути распространения колебаний и коэффициент поглощения определяют по формуле

Еа;(е — а)

=е

Е1, где Еа и Ее — акустоэлектрическое напряжение в точках измсре !ия, а — коэффициент поглощения ультразвука, (b — а) — расстояние между точками измерения.

В пьсзополупроводниковых кристаллах при распространен»и по I!In! ультразвуковых колс02ний возникает ак с,оэ Iei льтат Взаимодействия акус1и:;сс«ой волны с электронами (дырками) проводимости, причем распределение акустоэ.!ектрическогО Н2пряжения ио KpIIcTB:lë Од

10 lгози2чнО свЯзаиО с распрсдслениез! 2мплитуд ультразвуковых колсбашш. Поэтому измереJ!»c. 1 затухания -ilсустоэлектричсского напряжс!!Ня х!Ожно Определить поглощенис у IbTpBзвуковых колсбашш в пьсзополупроводииках.

15 Для оольшинст:B пьезополупроводш1ков в области СВЧ решетчатое поглощение ультразвука значительно больше электрон!Ного и

JJOBTOiiy ? «2321 1!Ы. l СПОСОООМ QBKTI!«CCKii ОПрсделястся рс иетчатос поглощение.

Способ измерения поглощеш!я ультразвуковых колебаний в полупроводниках, осио25 ваниь|й на возбуждении колебаний в среде, приеме 1! 10cлсду ощем анализе прошедших через среду колебаний, отличающийся тем, что, с цел ю повышен; я рабочей частоты, производя1 измерение акустоэлектриче30 ского напря?кения 110 крайней мере в двух

495601

Ев,(g д)

Е

Составитель В, Антипов

Тех р ед Е. и одуруш и на

Редактор С, Хейфиц

Корректоры: Л. Котова и Л. Ьрахнина

Подписное

Заказ 907/3 Изд, М 309 Тираж 902

LII II i11II1I Государственного комитета Соьета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 5Ê-35, Раушская наб. д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Tn:II(II иа IIyTII РасиРостРаиeii;III I;o.I0áIIIIIIII ii коэффицисит поглощсиия опрсделя.от ио формуле где /г, и Е;, — — акустоэлектрическос напря ксиие в точ -ax 1к;м рсиия, с(— коаф4) JIиисит ио-ло .цсиия л зтраавука, (6 -ci) — расстояние между то .ками и;- м ср си. я.