Устройство для измерения удельного сопротивления высокоомных полупроводниковых материалов и времени жизни свободных носителей тока

Устройство для измерения удельного сопротивления высокоомных полупроводниковых материалов и времени жизни свободных носителей тока

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (1",,) 496515 (61) Дополнительное к авт. твид-ву (22) Заявлено 08.10.73(21) 1963200/26 25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.12.75 Бюллетень № 47 (45) Дата опубликования описания 27.02.76 (51) М. Кл. 01 31726

Государственный комитет

Совета Иинистроа СССР па делаи изаеретений и открытий (53) УДК621.317..73 (088.8) (72) Автор. изобретения

Б. А. Наливайко (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ВРЕМЕНИ

ЖИЗНИ СВОБОДНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА

1 2

Изобретение относится к измерительной и полупроводниковой технике.

Известно устройство для измерения удельного сопротивления и времени жизни носителей тока в высокоомных полупроводниках по авт. св. No 347691, в котором исследуемый образец повышается в емкостный зазор запредельного СВЧ резонатора, образованный торцом емкостного штыря и широкой стенкой волновода. Удельное сопро- i0 тивление объема полупроводника, включенного в электрическое поле, определяется путем измерения добротности СВЧ резонатора с образцом и без образца с последующим выделением, по формуле И

21с 24 fo (f-Ëf,) E,(- — —,,) где k — - коэффициент включения образца в резонатор; 20

С вЂ” диэлектрическая проницаемость полупроводника;

Ц л — добротность и полоса пропускания

) резонатора с исследуемым образцом; 25

Q д — добротность и полоса пропускания резонатора без образца; — резонансная частота резонатора

0 (рабочая частота при проведении измерений) .

В известном устройстве точность измерения снижаетея из за наличия неконтролируемых зазоров между штырем резонатора и исследуемым образцом, которые уменьшают коэффициент включения образца в резонатор.

Целью изобретения является повышение точности измерений, Она достигается тем, что торец емкостного штыря в измерительном резонаторе выполнен сферическим.

На чертеже изображен измерительный резонатор описываемого устройства с цомешенным в него исследуемым образцом.

Резонатор образован отрезком волновода 1, емкостным штырем 2, введенным l3 волновод 1 . через его широкую стенку, и снабжен элементами 3 и 4 связи, служашими для ввода и вывода энергии СВЧ колебаний. Торец 5 штыря 2 выполнен в

496515 изобретения

Предмет

С оставитель 3. целнокова

Редактор

В.йибобес р И.Карандашова

Текред Ко екто

Л. Брахнина

Заказ gll/ Изд. hL фф

Тираж 902 Подписное:

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий

Москва, I13035, Раушская наб., 4

Предприятие «Патент», Москва, Г.59, Бережковская наб., 24

Э виде части сферы, радиус которой превьгшает диаметр торца 5 штыря 2, Исследуе» мый торец 6 помещен в емкостный зазор между торцом 5 штыря 2 и стенкой волновода 1. 5

Выполнение торца 5 штыря 2 сферически уменьшает коэффициент включения образца 6 в резонатор 1, так как в этом случае конструкция штыря 2 обеспечивает воздушный зазор между отдельными участ- 10 ками торца 5 штыря 2 и образцом 6, Благодаря сферичности торца 5 эти зазоры остаются постоянными, как при значительном люфте штыря 2 в месте креп15

9 ления его к стенке волновода 1, так и при исследовании неплоскопараллельных образцов.

Устройство для измерения удельного сопротивления высокоомных полупроводниковых материалов и временй жизни свободных носителей тока по авт. св, 347691, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности измерений, торец емкостного штыря измерительного резонатора выполнен сферическим.