Динамическая ячейка памяти

Динамическая ячейка памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистии ескина

Реслублик () 496600 (61)Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлеио06.07.72 (2l) 1806359/18-24 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 25. 12.75. Бюллетень № 47 (45) Дата опубликовании описаиия12,ОЗ.76 (51) М, КЛ. ©11с 11/Э4

Гасударственный памптет

Веавта Мнннетрев СССР пе делам изобретеннй и аткрытнй (53) УДК 691.327,,066 { 088.8) (72) Авторы Е. Б. Володин, Б. И. Гусакова, И. Н. Кабанов, 1В. В, Пастон, изобретения Б. В, Ракитин и И. Г. Шкуропат (71) Заявитель

{54) ДИНАМИЧЕСКАЯ ЯЧЕЙКЛ ГВМЯти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминаюших устройствах и в устройствах цифровой автоматики.

Известна интегральная матрица накопителя запоминаюшего устройства, ячейки которого состоят из полупроводникового р-тт-р- т1-прибора с 8 -ебразной вольтамперной характеристикой, Я -эмиттер которот о подсоединен к разрядной шине, а Р --эмвттер — о к числовой шине.

Однако известная динамическая ячейка памяти характеризуется тем, что цикл изменения информации включает операцию сти- g ранйя целого слова накопителя и операцию записи в выбранные ячейки этого же слова.

Это,меньшает быстродействие запоминаюшего устройства, Целью изобретения является повышение ра быстродействия ячейки.

Для этого она содержит диод, анод которого подключен к р -базе P- g--p — g -прибора, катод — к дополнительной разрядной шине. И

На чертеже приведена схема ячейки.

Динамическая ячейка памяти содержит полупроводниковый Д -P -tI -P -прибор 1 с Я -образной вольтамперной характеристикой, р -база которого через диод 2 полсоединена к шине 3, Р -эмиттер и fl -эмиттер прибора подсоединены к шинам 4 и 5, соответственно, Составляюший ff - p — g -транзистор, как и в известной ячейке, вь полнен с большим коэффициентом усиления по току и с минимальными утечками; диод 2 также выполнен

ic минимальной утечкой так, что потенциал, запираюший p-g-переходы 6, 7, 8 может ! сохраняться продолжительное время (около 1. 10 сек), . Кроме того, ячейка содержит конденсаторы 9-12.

Ячейка работает следуюшим образом.

Отрицательный имлульс напряжения (1-2 О ), подаваемый по шине Э через диод 2 на P-áàçó, запирает ее потенциалом (0,5-

-1 ), недостаточным для перевода ячейки из единичного в нулевое. состояние. ш .

О пако его амплитуда достаточна, чтобы заблоки ровать открывание Д вЂ” 0- ц-транзистора

496600

Режимы

Электрод,ы

Считывание

Х анение Запись, 0

1 вариант 2 вариант

-Е 0

0 Д -емиттер

+р1 +e„

Ер

$ -эмиттер

0 -Е

0 диод к Р -базе

3 положительным импульсом напряжения (3-4Я ), подаваемым по шине 4. Под дайс вием последнего в Р -базе возникает.зна-, чительный запираюший потенциал (2-38. ) и запоминающая ячейка оказывается в ну", б левом состоянии (с динамическим перогом включения 4 68.). .баии иа Я-эмиттер пб шине Б подаетсй > ! отрицательный импульс» напряжения» (3 4 8 ), л 110 а на Р-эмиттер одновременно по шине 4 подается положительный импульс напряжения, (3-46 ), то их суммарная амплитуда превы- шает динамический порог вклю уия в состоя- нни 0 и ячейка оказывается в.состоянии

"1", Эти же импульсы, подаваемые раэдельПредмет аэобретения

Динамическая. ячейка памяти, содержашая, P-g- и --g --прибор с Я -образной вольт амперной характеристикой, Д,-эмиттер кото- рого подключен к разрядной шине, Р -эми1 . но, способны включить прибор, находяшийся в состоянии 1, но недостаточны для включения прибора, находяшегося в состояний 0

Таким образом, для нормальной работы запоминаьэшей ячейки управляюшее устройство должно обеспечить додачу на выводы запоминаюшей ячейки по шинам 3, 4, 5, следуюшей комбинации сигналов, (Иэ таблицы следует, что в отличие от известной ячейки, на каждый иэ электродов прибора подаются управляюшие сигналы одной полярности. Это снимает жесткие требо.вания к управляющим устройствам и позво ляет их упростить. тер - к числовой, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродейс вия ячейки, она содержит. диод, анод которого йодключен к $-базе P -ft,-$-tf-прибо1 ра, катод - к дбполнительной разрядной ши- не.

Составитель B.öåäòî÷åâÿ

Рe.такт Рд.зинт.ковский Текред А.Камышиикова Корректор Е.Хмеле в

Заказ

gPgg Иад. М 124$ Тираж 154 Подноси;.

Ш!11111111 Государственного комитета Совета Министров Г;СС." ло делам нэобретеннй н отнрытнй

Москва, 113035, Раушскан наб., Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 1