Устройство для нагрева плазмы

Устройство для нагрева плазмы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ >49689О

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 24.03.72 (21) 1762819 26-25 (51)М.Кл.е Н 05 H 1/00 с присоединением заявки— (23) Приоритет—

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (43) Опубликовано 05.03.77. Бюллетень М 9 (53) УДК 533.9 (088.8) (45) Дата опубликования описания 06.07.77 (72) Авторы изобретения

А. В Лонгинов, Г. А. Мирошниченко, Г. Я. Нижник и С. И. Солодовченко (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАГРЕВА ПЛАЗМЫ частотной энергии создает высокочастотиос поле с преобладающими компонентами и и Е„касательными к поверхности плазменного шнура, которое возбуждает в плазме широкий по продольным волновым числам Kz»

2i.и спектр волн (Kz„= —, где и = 1, 2, 3 и т. д.).

Подобный широкий спектр волн и их рав10 номерная по спектру интенсивность позволяет обеспечить линейное бесстолкновительное поглощение энергии волн частицами плазмы без образования плато на функции распределения.

Достаточно высокая эффективность нагрева плазмы с помощью данного устройства .обеспечивается при условии, когда зазор Ь между кольцом 3 и поверхностью плазмы значительно меньше зазора d между поверхностью камеры 2, который в свою очередь, должен удовлетворять условию

d(1

25 где в|в

Х ll—

Изобретение может найти применение в экспериментальных термоядерных установках.

Известны устройства для нагрева плазмы путем возбуждения электромагнитных волн в плазме с помощью катушки индуктивности, охватывающей плазменный шнур и создающей пространственное периодическое высокочастотное магнитное поле.

Такие системы могут возбуждать достаточно эффективно только «быстрые» электромагнитные волны, поглощаемые, в основном, ионной компонентой плазмы.

В предлагаемом устройстве с целью эффективного ввода высокочастотной энергии в плазму возбуждающая система выполнена в виде кольца, а источник высокочастотной энергии подключен между кольцом и камерой.

На чертеже показано устройство для нагрева плазмы.

Плазменный шнур 1, находящийся в магнитном поле, расположен внутри металлической камеры 2, которая может выполнять роль вакуумной камеры. Вблизи поверхности плазменного шнура 1 расположено кольцо 8, охватывающее плазменный шнур. Источник 4 высокочастотной энергии включен между кольцом 8 и металлической камерой 2.

Кольцо 8 с помощью источника 4 высокопоперечная диэлектрическая проницаемость плазмы, длина волны возбуждаемых в плазме колебаний с и-ым продольным волновым числом.

496890

Составитель В. Рыжков

Редактор Н. Данилович Текред В. Рыбакова Корректор И. Снмкина

Заказ 289/974 Изд. № 482 Тираж 1069 Подписное

ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушскаи наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

В отдельных экспериментальных установках целесообразно выполнять возбуждающую систему в виде части кольца.

Формула изобретения

Устройство для нагрева плазмы, находящейся в металлической камере с диафрагмой, ограничавающей плазменный шнур, состоящее из возбуждающей системы и источника высокочастотной энергии, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью эффективного ввода вы5 сокочастотной энергии в плазму, возбуждающая система выполнена в виде кольца, а источник высокочастотной энергии подключен между кольцом и камерой.