Способ получения слоев селенида кадмия

Способ получения слоев селенида кадмия

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ii) 497047

Союз Соеетскик

Социалистическик

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 20.04.73 (21) 1911455/23-26 (51) М. Кл. В 01j 17/30

Н 01/ 15/00 с присоединением заявки ¹ госудгрственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 30.12.75. Бюллетень № 48 (53) УДК 621.315.592. .548.0: 535 (088.8) . 1а,а опубликования описания 15.04.76 (72) Авторы изобретения

А. Я. Афузов, Б. Атакулов, Э. И. Билялов и А. Мирзаахмедов (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ СЕЛЕНИДА КАДМИЯ

Предмет изобретения

Изобретение относится к способу получения слоев селенида кадмия, генерирующих фотонапряжение и используемых в оптоэлектронике.

Известен способ получения слоев селенида кадмия осаждением их в вакууме на подложки при испарении исходного селенида кадмия из испарителя молекулярным пучком, направленным к поверхности подложки под углом

60 . Способ не обеспечивает высоких генерационных свойств получаемых слоев.

С целью увеличения фотонапряжений, генерируемых слоем, предложено загружать исходный селенид кадмия в испаритель в виде порошка и при осаждении испарять 10 — 15% от его веса.

В результате получают слои, генерируемое фотонапряжение которых в 50 раз больше, чем в слоях, полученных известным способом, Пример. Исходный селенид кадмия в виде порошка «особой чистоты», имеет следующие параметры: концентрацию носителей п 10 4—

10" см — з, подвижность 500 — 800 см г/в сек.

Этот порошок (40 — 60 г) загружают в испаритель вакуумной установки, в которой размещают диэлектрическую подложку.

Предварительно подложку обрабатывают раствором азотной кислоты в течение 15 мин при 40 С, затем промывают дистиллированной водой и спиртом. В качестве подложки может быть использована слюда, стекло и др.

Для осаждения камеру откачивают до

10 — 4 мм рт. ст., исходный селенид кадмия нагревают до 700 — 760 С и испаряют 10 — 15% от его веса. Получают слои толщиной 0,1 — 0,3 мм.

10 Максимальное фотонапряжение 5000в на 1 см длины слоя получают при испарении 10 — 15% от веса исходного селенида кадмия.

Способ получения слоев селенида кадмия осаждением их в вакууме на подложке при испарении исходного селенида кадмия из испа20 рителя молекулярным пучком, направленным под углом к поверхности подложки, о т л и ч ающийся тем, что, с целью увеличения фотонапряжений, генерируемых слоем, исходный селенид кадмия загружают в испаритель в

25 виде порошка и при осаждении испаряют

10 — 15% от его веса.