Способ изготовления фоторезиста
Иллюстрации
Показать всеРеферат
(и) 499548
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 23,05.72 (21) 1788105/23-4 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (51) М. Кл. - С 03F 7/16
G ОЗС 1/68
Государственный комитат
Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 771.53(088.8) Опубликовано 15,01.76. Бюллетень № 2
Дата опубликования описания 31,03.76 (72) Авторы изобретения
В. П. Шерстюк, Г. Г. Хорт, Л. М. Карачунская, Л. Д. Гузь и 3. В. Бабяк
Всесоюзный научно-исследовательский и проектный институт химической промышленности (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА
Пре,<лагаемое изобретение относится к способу получения фоторезистов, используемых в радиотехнике, электронике, приборостроении при изготовлении печатных плат.
Известны фоторезпсты, которые изготовляют путем нанесения на непрерывно движущуюся металлическую или другую подложку, например медненую плату, растворов полиамидной фотополимеризующейся с последующей сушкой композиции. Эта стадия в производстве печатных плат является мало производительной, трудно поддающейся нормализации и автоматизации, вследствие чего при поливе фотополимеризующегося слоя, его сушке, экспонирования и проявлении часто неизбежен брак и, как правило, перед травлением требуется дополнительная ретушь.
Цель изобретения состоит в разработке способа получения пленочного резиста на основе фотополнмеризующейся композиции, включающей смешанные полиамиды, полимеризационно-способные соединения, например олигоэфиракрилаты и мономеры типа акриловой, метакриловой кислот. Поставленная цель достигается путем нанесения тонкого слоя фотополимеризующейся композиции, состоящей из спиртового раствора полиамида, например типа С-б или П-548, олигоэфиракрилата, в частности этиленгликольдиметакрилата, мономера акрилового ряда, например акриловой или метакриловой кислоты и других добавок, методами полива купающегося валика или валкового нанесения на прозрачную полимерную пленку, например на полиэтилентерефталатную пленку, в качестве подложки, сушки нанесенного слоя при 20 — 70 С.
К полученному материалу прикатывают защитную пленку, например валиком под давлением 0,5 — 20 кг/см при 20 — 60 С. Получаемый
10 пленочный резист, защищенный с двух сторон полимерными пленками, . сматывают в рулон. В таком виде пленочный фоторезист готов к употреблению для изготовления печатных плат и сохраняет рабочие свойства
15 при хранении.
Пример. Полиэтилентерефталатную пленку с рулона непрерывно подают со скоростью
0,1 — 2 м/мин через устройство для нанесения слоя композиции. Нанесенный слой сушат
2р при 30 — 70 С при непрерывном движении через зону сушки. Пленку-основу с нанесенным и высушенным слоем светочувствительной фотополимерпзующейся композиции приводят в контакт с подающейся с рулона полиэтиле2з новой пленкой толщиной 10 — 40 мкм. Защитную пленку прикатывают металлическими ва. ликами, температура которых поддерживается в пределах 20 — 60 С, и резиновыми валиками под давлением 0,5 — 20 кг/см - . Из валко30 вого устройства непрерывно выходит пленоч499848
Составитель Б. Сорокин
Техред T. Курилко
Редактор Т. Девятко
Корректор Е. Рожкова
Заказ 556/16 Изд. № 1023 Тираж 559 Подписное
UHHHHH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 ный резист, дублированный защитными пленками, и наматывается на приемную боббину, Формула изобретения
Способ изготовления фоторезиста путем полива на непрерывнодвижущуюся подложку пол и амидной фотополимеризующейся композиции и сушки полученного материала, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью получения пленочного фоторезиста, сохраняющего рабочие свойства при хранении, в качестве подложки используют прозрачную полимерную, например, полиэтилентерефталатную пленку, на которую наносят жидкую полиамидную
5 фотопол имер изующуюся композицию слоем толщиной 10 — 60 мкм, сушку ведут при 20—
70 С, а затем к полученному материалу прикапывают защитную полиэтиленовую пленку толщиной 10 — 40 мкм, например, валиком
10 под давлением О, 5 — 20 кг/см при 20 — 60 С.