Селектор импульсов по частоте следования

Селектор импульсов по частоте следования

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(и) 499660ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 01.07.74 (21) 2038887/26-21 с присоединением заявки Хе (23) Приоритет

Опубликовано 15.01.76. Бюллетень № 2

Дата опубликования описания 05.04.76 (51) М. Кл 2 Н ОЗК 5/18

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 621.374.34 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Автор изобретения

Ю. Н. Ерофеев (71) Заявитель (54) СЕЛЕКТОР ИМПУЛЬСОВ ПО ЧАСТОТЕ СЛЕДОВАНИЯ

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для селекции периодических импульсных последовательностей с частотами повторения импульсов, меньшими некоторой заданной цраничной частоты, особенно в тех случаях, когда по условиям работы граничная частота селекции в процессе работы устройства может регулироваться.

Известен селектор импульсов по частоте следования, содержащий однопереходный транзистор, эмиттер которого соединен через конденсатор с общей шиной селектора, а первая база — с источником питания, ключевой каскад, выполненный на биполярном транзисторе, эмиттер которого соединен с источником питания, а коллектор через последовательно соединенные резистор и тиристор подключен к общей шине, дифференцирующую цепь, вход которой соединен со входом ключевого каскада.

Однако известный селектор не обеспечивает широкой регулировки значений граничной частоты селекции.

Целью изобретения является расширение диапазона регулировки значений граничной частоты селекции.

Это достигается тем, что в предлагаемый селектор введены два диода, анод одного из которых соединен с выходом дифференцирующей цепи, а анод другого — через резистор со второй базой однопереходного транзистора, эмиттер которого соединен через регулируемый резистор с коллектором ключевого биполярного транзистора, а катоды диодов подключены к управляющему входу тиристора.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого селектора.

В селектор входят биполярный транзистор

1, резисторы 2 — 8, конденсаторы 9 — 11, тири10 стор 12, диоды 13 — 15, однопереходный транзистор 16, клемма 17 источника входного сигнала, клемма 18 источника питания.

Селектор работает следующим образом.

После включения источника питания (клемма 18) напряжение на конденсаторе 10 остается равным нулю, и однопереходный транзисто р 16 выключен. На управляющий электрод тиристора 12 положительных импульсов не поступает. Поэтому тиристор 12 также выключен

20 (резистор имеет малое сопротивление и напряжение, создаваемое на нем за счет прохождения тока через межбазовую цепь однопереходного транзистора 16, совершенно недостаточно для включения тиристора 12). Эмиттер25 ный переход биполярного транзистора 1 смещен в прямом направлении, и в цепи его базы протекает ток, величина которого задается резистором 4. Величина базового тока биполярного транзистора 1 достаточна для его насы30 щения. Через насыщенный биполярный тран499660 сатор 10 разряжается через его эмиттерную

3 зистор 1 верхний вывод регулируемого резистора 3 будет связан с клеммой 18. Конденсатор 10 начинает заряжаться через резистор 3 и насыщенный биполярный транзистор 1. Когда напряжение на конденсаторе 10 достигает уровня включения однопереходного транзистора 16 по эмиттеру, последний включается.

Конденсатор 10 быстро разряжается через эмиттерную цепь однопереходного транзистора 16, создавая импульс положительной полярности на нагрузочном резисторе 5, включенном в цепи первой базы однопереходного транзистора 16. Указанный импульс с первой базы однопереходного транзистора 16 через резистор 8 и диод 14 подается также на управляющий электрод тиристора 12 и вызываег включение этого тиристора. 11осле включения тиристора 12 конденсатор 10 разряжается не только через эмиттерную цепь однопереходного транзистора 16, но также через диод 13 и тиристор 12. Когда напряжение на конденсаторе 10 снизится до напряжения выключения однопереходного транзистора 16, последний закрывается, и дальнейший разряд конденсатора 10 идет только через диод 13 и тиристор

12. 11осле быстрого разряда конденсатора 10 схема переходит в длительно-устойчивое состояние, в котором биполярный транзистор 1 насыщен, тиристор 12 и диод 13 включены, однопереходный транзистор 16 выключен.

Запускающий импульс . положительной полярности поступает на клемму 17 и вызывает следующие переключения в схеме: он запирает биполярный транзистор 1, т. е. разрывает связь анода тиристора 12 с клеммой 18, кроме того, входной импульс дифференцируется цепью, состоящей из конденсатора 11 и резистора 7. Короткий положительный импульс, соответствующий переднему фронту входного сигнала, с резистора 7 через диод 15 подается на управляющий электрод тиристора 12 и поддерживает его в открытом состоянии. lloскольку основная цепь анодного тока тиристора 12 разомкнута биполярным транзистором 1, то остальное напряжение на аноде тиристора 4>

12 уменьшается,- и конденсатор 10 за время действия входного сигнала несколько разряжается. Когда ток разряда конденсатора 10 достигает величины тока включения тиристора, ти ристор 12 выключается. После окончания входного сигнала биполярный транзистор

1 вновь насыщается и подключает резисторы

2 и 3 к клемме 18, однако тиристор 12 остается выключенным, так как положительный импульс на его управляющем электроде, полученный в результате дифференцирования входного сигнала, кончается значительно раньше, чем сам входной сигнал, С момента окончания входного сигнала конденсатор 10 начинает заряжаться. Через вре- 60 мя т напряжение на конденсаторе 10 и эмиттере однопереходного транзистора 16 достигает величины напряжения включения. Однопереходный транзистор 16 включается, конден4 цепь. В процессе разряда на первой базе однопереходного транзистора 16 вырабатывается импульс, включающей тиристор 12 и поступающий на выход устройства. Таким образом, реакцией схемы на одиночный запускающий импульс является короткий импульс положительной полярности, вырабатываемый на первой базе однопереходного транзистора с задержкой на время т относительно пускового.

Процессы в устройстве повторяются при частоте следования импульсов с периодом Т)т, 1 или с частотой повторения F(—. В случае частоты повторения запускающих сигналов

F) — после прихода первого запускающего с импульса последовательности конденсатор 10 начинает заряжаться. Однако напряжение на нем не успевает нарасти до напряжения включения однопереходного транзистора 16 когда приходит второй входной импульс. Своим передним фронтом этот импульс включает тиристор 12 по управляющему элекцроду. Конденсатор 10 каждый раз разряжается через диод

13 и тиристор 12 ранее, чем достигается уровень включения однопереходного транзистора 16.

Однопереходный транзистор остается включенным, и импульсы на его первой базе отсутствуют.

Таким образом, п ри 0(F (<— на выходе селектора имеются положительные импульсы, сдвинутые на время т относительно пусковых, 1 а при Р) — импульсов на выходе селектор, i нет.

Формула изобретения

Селектор импульсов по частоте следования, содержащий однопереходный транзистор, эмиттер которого соединен через конденсатор с общей шиной селектора, а первая база— с источником питания, ключевой каскад, выполненный на биполярном транзисторе, эмитте р которого соединен с источником питания, а коллектор через последовательно соединенные резистор и тиристор подключен к общей шине, дифференцирующую цепь, вход которой соединен со входом ключевого каскада, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулировки значений граничной частоты селекции, в него введены два диода, анод одного из которых соединен с выходом дифференцирующей цепи, а анод другого — через резистор со второй базой однопереходного транзистора, эмиттер которого соединен через регулируемый резистор с коллектором ключевого биполярного транзистора, а катоды диодов подключены к управляющему входу тиристора.

499660

Составитель М. Аудринг

Техред Т. Курилко

Корректор Е. Рожкова

Редактор И. Шубина

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 440/11 Изд. Ие 1001 Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5