Способ получения слоев арсенида галлия

Способ получения слоев арсенида галлия

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ „„„„„

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советскик

Социалистииескик

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08.01.74 (21)1983809/25 с присоединением заявки № (51) ал. ),2

Н 01 L 21/205

Государственный номнтвт

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 25,12 77 Бюллетень №4 (53) УДК621.382 (Оо 8.8) (45) Дата опубликования описания 18.01.78 (72) Авторы изобретения E. С. Лисенкер, Ю, E. Марончук, И. Е. Марончук и Э, С, Гудз (71) Заявители

Институт физики полупроводников Сибирского отделения

АН СССР и Новосибирский государственный университет (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Изобретение относится к попупроводников вой технологии и может быть испопьзовано дпя попучехия особо чистых слоев Ga AS с высоки ми эпектрофизически, и параметрами.

Известен способ попуче тия чистых слоев

GaPLS гутем эпитаксиапьного наращивания в системе AsC

Однако в известном способе, хотя и испопьэуют компоненты, очищенные от хпоридов металлов, последние вновь образуются непосредственно в кварцевом реакторе, и в первую очередь хпориды кремния из материапа кварцевого реактора, которые в процессе осаждения &aAS пегируют растущий слой примесью кремния. Замена кварцевого реактора на реактор из другого материапа практически невозможна из-аа отсутствия высокой степени че:стоты материапов, пригодных дпя создания высокотемпературных реакторов.

Бель изобретения — разработка способа снижения уровня неконтролируемого пегирования растущих слоев Gahs кремнием.

Это достигается тем, что в зону роста эпитаксиапьных слоев S©As при температуре роста подаются пары гидразина (ипи аммиака).

Гидразих (ипи аммиак) при взаимодействии с хпоридами кремния образуют комплексы типа Мн И (напримеп,Si>NQ, которые при встраивании их в решетку растущего слоябсЮьявпяются, в отличие ox$i, . электрически неактивными.

Сущность предпагаемого способа закпючается в спедующем.

Хпориды кремния, образующиеся в зоне роста, связываются гидразином ипи аммиаком с образованием нитрида кремния, что уменьшает концентрацию электрически активного кремния в растущем слое Ca AS

Пример. Устройство выполнено в виде системы дпя наращивания эпитаксиапьных слоев &аАв в открытом хпоридном процессе из Авив,&a.,Í . Сделан дополнитепь5007 14 I0

Составитепь Н. Островская

Редактор Т. Иванова Техред 3. Фанта Корректор H. Яце мир - кая

Заказ 5005/28 Тираж 976 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

11ЗОЗ5, Москва, Ж/5, Раушская наб., д. 4/5

ППП Патент, r. Ужгород, уп..Проектная, 4 ный ввод, по которому в зону роста пото«ом H (He, Я1) из барбатера подают пары особо чистого гидразина или аммиака, В системе.с исходными компонентами, позволяющими получать слои с концентрацией электронов т 1 — 2 10 смъ и подвижностью электронов 3 6000 см /сек при 300чК и 40000 см /сек и 77 К, при введении в зону роста паров особо чистого гидразина получены слои арсенида гаппия с концентрацией электронов

10 " см В и подвижностью электронов

Э„Ъ 8000 см /сек при 300 К и >100000 скР/сек при 77 К.

Форму ля изобретения

Способ получения слоев арсенида галлы путем эпитаксиального наращивания, о тл и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью снижения уровня неконтролируемого легирования слоев арсенида галлия кремнием, в зону роста эпитаксиапьных слоев при температуре роста подают пары вещества, связывающего кремний, например азотсодержашие .соединения (гидразин или аммиак).