Сканирующее устройство
Иллюстрации
Показать всеРеферат
50Зж2
Составитель И. Сидорова
Техред М. Семенов
1,орректор A. Дзесова
Редактор Л. Тюрина
Заказ 703/17 Изд. № 1098 Тираж 864 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 активного элемента. Так как полярность подмагничивающих полей, создаваемых катушками 2, различна, то в некоторой зоне активного элемента намагниченность будет равна нулю и поворота плоскости поляризации светового потока не будет (см. фиг. 2). В случае, когда подмагничивающие поля равны и противоположны по знаку, поворот плоскости равен нулю в центре активного элемента, если величина управляющего магнитного поля, например, правой катушки, возрастет, а левой— уменьшится, то зона, в которой намагниченность отсутствует, переместится от центра влево.
Таким образом, регулируя амплитуду тока в подмагничивающих катушках, перемещают сканирующую зону по всему активному элементу.
Разработка предложенного устройства выполнена на базе веществ с магнитными свойствами и прозрачными в видимом или инфракрасном диапазоне света и обладающих большим удельным фарадеевским вращением. Такие вещества в настоящее время уже существуют, например ферромагнетик Y;Fe;0», 5 обладающий удельным эффектом Фарадея сотни градусов на сантиметр.
Формула изобретения
1. Сканирующее устройство, содержащее ак10 тивный элемент с плоскопараллельными рабочими поверхностями и источник питания, отл и ч а ющ ее с я тем, что, с целью расширения области применения, оно содержит подмагничивающие катушки, установленные на
15 противоположных поверхностях активного элемента, выполненного в виде параллелепипеда, и соединенные с источником питания.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, активный элемент выполнен из маг20 нитооптически активного кристалла, например узгеФл.