Постоянное запоминающее устройство

Постоянное запоминающее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

) -(-.-: Л

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (») 504247 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено23.07.74 (21) 2046639/18-24 с присоединением заявки Х (23) Приоритет (43) Опубликовано25.02.76. Бюллетень М 7 (45) Дата опубликования описания30.03.76 (51) М. Кл.

611 С 17/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53} УДК 681,327 (088.8) Б. С. рыбаков и А. В Кузнецов (72) Авторы изобретения,Институт проблем,передачи информацйи AH CCCp (71) Заявитель (54) ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮШЕЕ УСТРОЙСТВО

На фиг. 1 приведена блок-схема предложенного устройства; на фиг. 2 - матрица, используемая при записи информации в постоянное запоминающее устройство, Для обеспечения безошибочности хранения информации в ячейках с дефектными элемен тами в процессе записи осуществляется сог- ®

Изобретение касается запоминающих устройств.

Известно постоянное запоминающее уст ройство, содержащее накопитель с дефектны Н запоминающими элементами, подключен-" б

»» к блоку считывания и регистрам инф р

Мационных и контрольных разрядов.

Однако для этого устройства характерны невысокая скорость работы, большие аппа.ратурные затраты, неэффективное использование его емкости, Предложенное устройство содержит блок восстановления информации по контрольным разря л входы которого подключены к И соответствующим выходам регистра контроль-,, ) чых разрядов, а выходы — ко входам регистра информационных разрядов.

1 асование записываемой информации с дефект,ными элементами путем изменения части или, всех разрядов записываемых чисел на противоположные. А именно, при записи произво.дится сложение по модулю 2 подлежащего хранению двоичного слова U = (U, Ц P Q ), первые н. разря-! дов которого являются информационными, а

:;последние r i = 1+ +(Bog (q+с)), где 9 = (6оф ), контрольных разрядов равны О, с одной из строк двоичной матрицы С (см. фиг, с ). Строку C матрицы C выбирают таким образом, чтобы

1 подлежащие хранению в дефектных элементах ! компоненты хранящегося в памяти слова

1 UQ+) C где знак Q+ обозначает сложение по модулю 2, совпадали с теми двоичными символами, которые могут храш.ться в

;соответствующих дефектных элементах, Пос, кольку последние Г+ 1 компоненты храня . шегося в памяти вектора 09С представля ют собой номер строки, использовавшейся при записи данного слова, после считывания ,информации по контрольным разрядам может быть восстановлена использовавшаяся при

504247

4 од- L = тоГо информационного разряда выходнот о регистра 3.

При записи каждого числа в устройство изменяются некоторые разряды этого числа на противоположные таким образом, чтобы в дефектные элементы записывались те двоичные символы, которые могут в них храниться без ошибок. При этом считается, что при записи информации в устройство

+- ip местоположение дефектных элементов и те символы, которые могут в них храниться, х известны. записи строка С, а следовательно и исх ные информационные символы U „,...., 3

Матрица, СК, показанная на фиг. 2 состоит из подматриц Qq, Ц и А, которы имеют соответственно размеры q хК, q xK и (q — 1 )хК и определяются1следующим образом. Столбцами матрицы Bq являются различные двоичные векторы длины q, р положенные в l3q таким образом, что ь т столбец Ъа являе ся двоичной записью сво го номера g (ь =. О, ... > К-1)

Матрица Ь получается из В заменой все ее элементов па противоположные. Строки матрицы должны быть различными и иметь вес (число единичных элементов), у отличный от О, 1, Г

В остальном матрица А может быть произвольной. Поскольку число строк матрицы

Р равное rI — г, не больше, чем 2 -г-2, матрица A всегда может быть построена. 20

Далее вектор из т «т последних компонент каждой строки матрицы С будем называть двоичным номером этой строки. По построешпо двоичные номера различных строк матрицы различны. 25

Запоминающее устройство (см. фиг. 1)

coQEðæèò накопитель с дефектными запоминающими элементами 1, блок 2 считывания, регистр 3:информационных разрядов, регистр 4 контрольных разрядов и блок 5 30 восстановлеHI я информации по контрольным разрядам, Блок 5 может состоять, например, лз дешпфратора 6, входы которого соединены с выходами регистра 4 контрольных разрядов, и логических элементов "ИЛИ "35

7 в количестве, равном числу информационных разрядов Я . Выходы дешифратора

6 соединены со входами логических элементов «ИЛИ" 7 следующим образом, Выход дешифратора, равный 1, при данной двоич- 40 ной последовательности на его входе

И+ -, UR-х 1) соединяется с одним из входов = Toro элемента "ИЛИ в том и только в том случае, когда элемент матрицы С из ь = того столбца и

К строки с двоичным номером (UK, Urr т i ) равен 1. Выход ь = того элемента ИЛИ соединяется со входом 8

При считывании согласно коду адреса производится считывание из накопителя ин формационных разрядов двоичного слова, хранящегося по данному адресу, в регистр

3 информационных разрядов, а контрольных разрядов - в регистр 4 контрольных разрядов, По контрольным разрядам, которые указывают номер использованной при записи строки матрицы C+, формируется сигнал на одном из выходов дешифратора 6, который поступает на входы тех логических элементов «ИЛИ" 7, соответствующие которым разряды считываемого числа при записи были изменены на противоположные, Далее путем подачи на входы 8 регистра информационных разрядов 3 сигналов с выt ходов логических элементов "ИЛИ" 7 производится восстановление измененных при записи информационных разрядов.

Формула изобретения

Постоянное запоминающее устройство, содержащее накопитель с дефектными запоминающими элементами, подключенный к . блоку считывания и регистрам информационных и контрольных разрядов, о т л и ч а « ю щ е е с я тем, что, с целью повышения; быстродействия и эффективной емкости уст- ройства, оно содержит блок восстановления информации по контрольным разрядам, входы которого подключены к соответствующим выходам регистра контрольных разрядов, а выходы - ко входам регистра информационных разрядов.

5< )424 7

Составитель В. Рудаков, ....(Редактор E, Kpaauoaa Техред N, Ликович Корректор И. Гоксич

Заказ 1рр Тираж 783 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб.,д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 1О1