Материал для токопроводящей фазы резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП l ÑAÍÈÅ

ИЗОБРЕТЕН НЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 504251

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ти», (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 27.02.74, (21) 2002869/24-7 (51) М. Кл. с присоединением заявки

Н01 С 7/00

Государственный комитет

Совета Министроа СССР оо делам иэооретений и открытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.02.76. Бюллетень № (45) Дата опубликования описания 13.04.76 (53) УДК 621.316.84 (088.8) (72) Авторы изобретения

Г. В. Самсонов, И. Г. Буданова, Ю. М. Мудролюбов, Б. M. Рудь и О. И. Шулишова (71) Заявитель

Ордена Трудового Красного Знамени институт проблем материаловедения АН Украинской CCP (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОКОПРОВОДЯ1ЦЕЙ ФАЗЫ

РЕЗИСТОРОВ

Барий

Самарий

Бор

26,1-40,0

29,0-43,0

30,9-31,0

7- (от -70 до +170оС), 10 град

Состав, вес,%

Удельное электросопротивление при 20 С, 10 ом см

Ва $тп

31,0

40,0 29,0

32,8 36,2

26,1 43,0

3,1

+1,1

3 1.0

13,7

30,9

Известен материал для токопроводяшей фазы ре зисторов на основе карбидов ниобия, боридов кобальта, сложных карбидов переходных металлов.

Однако в процессе изготовления резисторов материал окисляется и разлагается; кроме того, диапа зон номиналов резисторов ограничен.

Цель изобретения - снизить значения температурного коэффициента электросопротивления. расширить диапазон номиналов и стабилизировать свойстsa материала в процессе изготовления резисторов.

Это достигается тем, что в качестве токопроводяшей фазы резисторов используют двойной гексаборид со следующим соотношением компонентов, вес.%:

В зависимости от соотношения компонентов материал обладает следующими характеристиками: удельное электросопротивление при комнатной темпер»туре изменяется в пределах (3,1-13,7) 10 ом см и

-3 термический коэффициент электросопротивления - в интервале температур от -70 до +170 C в пределах (1,1-." 2,9) .10 град

Некоторые составы и характеристики предлагаемого материала приведены в таблице.

504251

Формула изобретения

Барий

Самарий

Бор

26,1-40,0

29,0-43,0

30,9-31,0

Составитель Ц. Нестеренко

Редактор Н. Данилович ТехЗед А. Демьянова о КОИектор А. Лакид

Заказ 1663 Тираж 977 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытиЯ

113035, Москва, Ж-35, Раугиская наб.. д.4/5

Филиал ППП „Патент", г. ужгород ул. Гагарина, )01

Двойной борид получается по следующей технологии. Из предварительно прокаленных Sm О (750"С, 2 часа), В (170оС, 3 часа) и Ва Со3, взятых в нужноь4 соотношении, составляют шихту для совместного получения двойного борида (Ва,5т) В6 в интервале составов (Вст в о ) Иа (Sa04S O 6) g

При этом ВаСо берут на 20 вес.% больше расчетного количества. Шихту прессуют в брикеты, загружают в тигли из т В, в качестве засыпки используютВа Eg . Образцы получают в вакуумной печи с начальным вакуумом l 10 мм ðò. ст. по следующему режиму: повышают температуру до 700оС, вы- держивают в течение 15 мин, затем повышают тем пературу до 1600оС и снова выдерживают в течение 15 мин, после чего нагрев перкрашают.

Полученные образцы раэмалывают, из порошка прессуют и спекают компактные образцы для измерения резистивных свойств при температуре 2050о С в

l течение 10 мин в вакууме.

Полученные составы обладают низкими значениями термического коэффициента сопротивления и дают возможность, изменяя соотношение компочентов, получать резистивные материалы с широким диапазоном удельных значений электросонротивления.

4

Это позволит получать номинальные значения резйсторов более широкихдиапазонов„чем при обычно при. нятом изменении количественного соотношения; проводящая фаза-стекло, наполнитель. Предлагаемый материал не разлагается в процессе изготовления резисторов, устойчив в окислительных средах до ою

800 С, он может быть использован в качестве токопроводящей фазы толстопленочных и объемных резисторов в электронной промышленности.

Материал для токопроводящей фазы резисторов на основе сложных боридов металлов, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью снижения значений,тем- I пературного коэффициента электросопротивления, расширения диапазона номинальных значений и стабилизации свойств материала в процессе изготовлеО ния резисторов, он содержит следующие ингредиенты, вес%: