Нелинейный планарный конденсатор

Нелинейный планарный конденсатор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

11п 505044

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 10.06.74 (21) 2033463/26-21 (51) М. Кл. Н 01G 7/00

Н 01G 4/20 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 28.02.76. Бюллетень № 8

Дата опубликования описания 28.04.76

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.319.4 (088.8) (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

T. Н, Вербицкая, И. Г. Мироненко, Н. Н. Антонов и А. А. Каск

Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) (54) НЕЛИНЕЙНЪ|Й ПЛАНАРНЫЙ КОНДЕНСАТОР

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в радиотехнических и СВЧ-цепях, где требуется обеспечить электрическое управление параметрами.

Известны нелинейные планарные конденсаторы, содержащие расположенную на диэлектрической подложке многослойную пленку нелинейного диэлектрика с нанесенными на нее электродами.

Однако в известных конденсаторах велика температурная зависимость емкости, вытекающая из свойств материала, на котором изготовлен конденсатор, Цель изобретения — снижение диэлектрических потерь конденсатора.

Это достигается тем, что в предлагаемом конденсаторе слой в пленке нелинейного диэлектрика расположены в порядке уменьшения диэлектрических потерь в направлении от подложки к электродам.

На фиг. 1 изображен предлагаемый конденсатор; на фиг. 2 — то же, вид сверху; на фиг. 3 — график температурных и полевых характеристик предлагаемого конденсатора.

Нелинейный планарный конденсатор содержит расположенную на диэлектрической подложке 1 многослойную пленку нелинейного диэлектрика, выполненную из слоев 2 и 3, расположенных в порядке уменьшения диэлектрических потерь в направлении от подложки 1 к электродам 4, на|песенным на многослойную пленку. Электрод 4 помещен на слое 3 пленки диэлектрика с максимальной диэлектрической проницаемостью при темпе5 ратуре, ниже рабочих температур, а слой 3 нанесен на слой 2 диэлектрика с максимальной диэлектрической проницаемостью при температуре, выше рабочих температур.

Предварительно по известным характери10 стикам исходных материалов подобраны оптимальные соотношения между толщинами

Ь слоев — — = 0,43. ла

Как следует из графика, диапазон относи15 тельной стабильности емкости сужается с 200 до 80, если допустить 10 — 15%-ное изменение емкости при всех напряжениях в интервале температур.

Тангенс угла диэлектрических потерь конденсатора в диапазоне 3 Гц меняется от 0,08 до 0,015, тогда как максимальное значение потерь в слоях составляет tg6=0,15 — 0,2.

Таким образом, предлагаемый конденсатор обладает 10%-ной стабильностью начальной емкости в диапазоне температур около 200 .

Приложение управляющего напряжения сужает диапазон относительной температурной стабилизации приблизительно вдвое. Во всем

30 интервале стабилизации тангенс угла диэлек505044 трических потерь остается меньше максимального значения исходных материалов.

Формула изобретения

Нелинейный планарный конденсатор, содержащий расположенную на диэлектрической подложке многослойную пленку нелинейного диэлектрика с нанесенными на нее электродами, отл и ч а ю шийся тем, что, с целью снижения диэлектрических потерь конденсатора, слои в пленке нелинейного диэлек5 трика расположены в порядке уменьшения диэлектрических потерь в направлении от подложки к электродам.

505044 лаан

o,s

0,8

0,6

О6 о,е

0,2 ог

-t60 ß0-120 Ш080-60-+0-20 0 20 И 6п т с -f60-80-(20-100-N -60- Π— 20 0 20 00 60 т с

Comu ппв

О,O6 о,я

Опг

-f60-80-f20-Ш0-80 -60- 0 -20 0 20 М БП T <

Фиг.3

Составитель Н. Блинкова

Редактор Е. Караулова Техред М. Семенов

Корректор Т. Гревцова

Заказ 907/11 Изд. № 1146 Тираж 977 Подписное

ЦНИИПИ Государствешгого комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, УК-35, Раушская наб., д. 4, 5

Типография, пр. Сапунова, 2