Мембранный тензорезистор

Мембранный тензорезистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е ;II 506066

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 07.03.74 (21) 2003223/24-7 с,присоединением заявки № (51) М. Кл. Н 01С 10/10

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 531.787.913 (088.8) Оп,бликовано 05.03.76. Бюллетень ¹ 9

Дата опубликования описания 04.05.76 (72) Авторы изобретения

Л. Н. Лазарев, Е. H. Малый и М. Д. Ружилов (71) Заявитель (54) МЕМБРАННЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР

Государственный комитет (23) Приоритет

Изобретение относится к конструкции мембранных тензорезисторов и может быть использовано в технике измерения усилий.

Мембранные тензорезисторы широко применяются для измерения давления газов и жидкостей.

Известен мембранный тензорезистор, выполненпый в виде соединенных последовательно друг с другом и концентрично расположенных на электроизоляционпой подложке наружных и внутренних тензоэлементов. Наружные в форме меандра и внутренние в форме полуколец тензоэлементы известного тензорсзистора расположены по обе стороны от окружности, на границе которой радиальные напрякения меняют свой знак при действии на мембрану равномерно распределенного давления.

Известный мембранный тензорезистор при измерении осевых усилий имеет пониженную чувствитсльность, поскольку средняя величина тангснциальных напряжений в области располо ксния внутренних тснзоэлементов значительно меньше средней величины радиальных напряжений.

Цель изобретения — повышение чувствительности мембранного тензорезистора при изменении осевых усилий.

Это достигается тем, что в предлагаемом тензорезисторе наружные и внутренние тензоэлементы расположены по обе стороны на равном расстоянии от окружности, на границе

5 которой радиальные напряжения меняют знак, причем внутренние тензоэлемснты выполнены в форме меандра.

На чертеже представлен предлагаемый тензорезистор. Он содержит электроизоля10 ционную подложку 1, два внутренних 2 и два наружных 3 тензоэлсмента, выполненных в форме меандра и расположенных llo обе сторопы от окружности 4, на границе которой радиальные напряжения меняют знак.

15 Предлагаемый мембранный тснзорезистор работает следующим образом.

Под воздействием осевого усилия, приложенногоого к мембране, на поверхности которой закреплен тензорезистор, мембрана дсформп20 руется. Тензоэлементы воспринимают радиальные деформации поверхности мембраны и преобразуют их в изменение электрического сопротивления тснзорезистора, которое затем изменяется известной вторичной аппаратурой.

25 на чертеже не показанной.

Использование предлагаемой конструкции мембранного тензорезистора позволит повысить чувствительность тснзорезистора прп измерении осевых усилий.

506066

Формула изобретения

Составитель В. Чернова

Текред А. Камышннкова

Корректор А. Степанова

1 сдактор И. Бродская

Заказ 985/3 Изд, 1л в 288 Тираж 963 Подписное

ЦГ1ИИГП I Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, %-35, Раушская наб., n. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

1. Мембранный тензорезистор, выполненный в виде соединенных последовательно друг с другом и концентрично расположенных на электроизоляционной подложке наружных в форме меандра и внутренних тензоэлементов, отличающийся тем, что, с целью повышения его чувствительности при измерении осевых усилий, наружные и внутренние "ензоэлементы расположены по обе стороны от окружности, на границе которой радиальные напряжения меняют знак, причем внутренние

5 тензоэлементы выполнены в форме меандра.

2. Тензорезистор по п. 1, отл и ч а ющи йся тем, что тензоэлементы равноудалены от окружности, на границе которой радиальные напряжения меняют знак.