Способ исследования затекания припояв горизонтальные зазоры

Способ исследования затекания припояв горизонтальные зазоры

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ,»:68348

Саи3з Советских

Социалистических

Республик л;

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополннгтсль..!Ое к anт,:Вп-,- .у

i,>11 . >!. К!1, - В 23К 1 00 (- 2) 3251 !3, 1 с!! О 0(>.0(>. 4 (2 1 1 202 2 1 2 >

C Присое1iliIBIII!031 3,n!ni

Государствеииый комитет

Совета Министров СССР (23) Пр1!оритс-.

Опубликовано 30.03.76. Б1оллстс1п, М 12

Дата опубликования описан:5! 21.0(5.76 (33) УД 1, 621.791.3 (088.3) ло делам изобретений и открытий (72) Автор

НЯООPСT i!IIH

: . Ь.;ГК(кзЕВ (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИССЛБДОВАИИЯ ЗА БКА11ИЯ Г;1- И110Я

В Гот>И -0HТАлh: :: -. - > А" . (-я

Изобретение относится к области пайки, в частности к способам исследован!1!я зятскяния припоя в зазор.

Известен способ исследовании зяг.кя . припоя в горизонталы ые зазоры, Вкс!10чя:Ощий размещение на пластине-основ(1<пи .:2кладок с фиксированными зазорам:! н .=. :!2::— ной навески припоя, нягрсв и о!>рс!c,".синс проникновения припоя в зазоры.

Цель изобретения †- изучснн гз:(имчогo 10 влияния зазоров разной величины на зятскяние припоя.

Для этого накладки размещают ря:н<яльно вокруг па(вески припоя на 01инякоn>0;; ОГ нее расстоянии. 1 >

На чертеже представлены Образ!:ы. Ви., сверху и разрез по А — А.

Предлагаемый сТ!осоо иссле1овян1!51 зяте!"!ния припоя в горизонтальный зазор нрсд,10лагает размещение на основании 1:" fn!pc. . 20 (или другого количества) накладок 2 с ргзНЫМИ (ИЛИ ОДИН 2(КОВЫМИ) 3230Р 2%I!! Q(-((, 003 прокладок в зазорах. В центре 0Ä1:03;I!I .я уст,",нагли13астс51 пявс;кя припоя 3, Собран-! i:!1 о О б и я 3 ц ь! i! I: 2 n c c !I . > T!!3 !if! n» !i a f !3 с В я 10 T до нк ж.юй Tãc.(пспя !3 ры;1 выдс;.5ки 32ют aaдян:100 n" C.! 51, 3 Т!Споппо КОТО ОГО и!31:Пой НЛ!IВНТ(: ч 1. затскяст одновременно в зазоры (!(— а, T!I II.: м Обр язом определяю Г вз Япхи;ос В !1151-!

111" за зов оn P 13IIОГС 1> !1 3мс!> Я 1:.Я скОР ОС! ь н

nc,::чину 32текяпия Iip>af(05! В зазор, что Вяж: 0 1 "! si мо 1с 3 0>32 <1((51 ппoi!c econ Г(POTC> a1011. .1Х 1,>!! 11 2 НКC Ко!iCТPМК!! НН

Формула изобретения

С П О С О О 1! с л С ", О В 1 Н 1 я 3 еl T C. 1; а Н н 51 П p l! П О 5!

В Горизонталь 11::с 32 .орь:, включающий разМ С IЦС Н И Е 1: 2 Г Л ". C T i! Н С - ОСНОВ !! i i I I l I 2 К1 Я Д О и С ф11КСН13032 НН Ь1 3111; .30 О Я МН l! 3ЯД2!11!011 Н 2 ВСС ! кн пр:.IПО>1, нагре". и определение проннкновеГ Р I!105! 3 3230 !Ы, 0 1,111 ! Ю!!1 Н!! C u

ТС .l ЧТО, C Це.11!О из, ICI- n5 ВЗЯ!. м110! 0 13, II!51!

l!!51 3230pOn !323 .10Н 13С. 1 !Чин Й Н 51 3 i! TC-к !1! НС

П !1 !НОЯ, .I Я К, 12 11 1 П ",3 <1 ЕIЦЯ IОТ 13;.1ДИ Я;1 ЬНО 130к13, Г 1:. "-.!Âñcl:I . iT1 1 .пОЯ 1: 1! 01 н Яковом От lice

P и С, ТО,5(, !,И!

<>». Коио:>слько и

П! Iскк и I I u. l,оррск".ор 1. ренцови

;>:»скз 10-!!!С> 11>и! Л4 !230 Ти »i l l, >> 11ои:>:» l>oi.

1 .! 11 Il 1 ос> I.:I сги.". ио:о ко..> f> I С;:исси . >1: кисти>л С>".С! !

I!> (. > > и:>и»орс>L!> è .:. >скр>»ти1>!

1:!» 35,,»>о ки., у1>,-35. Р.,>ис>сc». и»о., и:1;5 и>и)»;>и! ии, и»>. !: .> и>:и