Резистивный датчик температуры

Резистивный датчик температуры

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

о и и 1 виВ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ (i ) 508686

Сонзз CGBBTCKNX

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 09,08.74 (21) 2058822/18-10 (5!) Л1. Кл,с G 01К 7, 1О с присоединением заявки №

Сонета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 30.03,76. Бюллетень № 12

Дата опубликования описания 02.07.76 (53) УДК 536.531 (088.8) (72) Авторы изобретения

H. С, Болтовец, А. В. Войцеховский, С. H. Ендржеевская, В. А. Ищук, С. К. Петрусенко и И. И. Тычина

Ордена Трудового Красного Знамени институт проблем материаловедения и Киевский государственный педагогический институт им. A. М. Горького (71) Заявители (54) РЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ

Cd

Ge

As

33 — 46

21 — 30

0,2 — 25

0,6 — 4,5

33 — 46

21 — 30

0,2 — 25

0,6-4,5. осУдаРстеенный комитет (23) Приоритет

Известны резистивные датчики температуры, содержащие в качестве активного элемейта полупроводники, например 3-d окислы металлов (чаще всего окиси Мп, Со, Ni, Cu), карбид кремния, нитрид бора, материалы группы А" В".

Однако известные датчики на основе полупроводниковых материалов находят ограниченное использование в условиях радиоактивного излучения.

Целью изобретения является повышение стойкости тернорезисторов к радиоактивному изл ченшо.

Достигается это тем, что в качестве активного элемента полупроводникового терморезистора, используют стеклообразный полупроводниковый материал CdGe (PxAs,) о при следующем соотношении инградиентов, о/

Наличие примесей Sb, Bi, Se, Те в количестве до 1%, а также отклонения компонентов от стсхиометрического состава в пределах

0,5,о для Cd и 3 — 5% для Ge P u As существенно не влияют IIB электрические парамстры тор морсзисторов.

Высокая 1 стойчивость стеклоооразпого полупроводникового материала к агрессивным средам позволяет для ряда применений обой10 1псь без герметического корпуса.

Формула изобретения

Резистивный датчик температуры, содержащий в качестве активного элемента полупро15 водник, отлич ающи и с я тем, что, с пелью повышсния его стойкости к радиоактивному излучению, в качестве полупроводника использовано стеклообразное вещество

CdGe(PxAs .,)о при следующем соотношении

20 инградиентов, вес. %:

Cd

Ge

Ая