Устройство для определения топографиимагнитного поля изделия

Устройство для определения топографиимагнитного поля изделия

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

g РТЕ . - .. -.3» а г библиотека МЬ

ОПИСАНИЕ 508729

ИЗОБРЕТЕН Ия

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 10.09.73 (21) 1958428/25-28 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритст—

Опубликовано 30.03.76. Бюллетень № 12

Дата опубликования описания 20.01.77 (51) М. Кл. - G 01N 27/72

G 01R 33/10

Государственный комитет

Совета Министров СССР

llo делам изобретений и открытий (53) УДК 620.179. 14:620

191.33 -, - 621.317.42 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. А. Таранушич и А. В. Медведев (71) Заявитель

Всесоюзный проектно-конструкторский технологический институт атомного машиностроения и котлостроения (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОПОГРАФИИ

МАГНИТНОГО ПОЛЯ ИЗДЕЛИЯ

Изобретение относится к области неразрушаюдих методов контроля и может использоваться в различных отраслях машиностроения; в частности, в котлостроении и атомном машиностроении, например, при контроле сва рных соединений с одновременным получением топопрафической картины магнитных полей рассеяния над дефектом или для оанаружения электролиний.

Известно устройство для определения топографии магнитного поля изделий, содержащее электроннолучевую трубку (ЭЛТ), помещенную над изделием, датчики регистрации вторичных электронов, усилитель, преобразующее устройство и индикатор. Конвролируемое изделие помещают,в вакуумную часть

ЭЛТ. Однако известное устройство не позволяет обнаруживать подповерхностные, т. е. внутренние дефекты типа нарушений сплошности из-за торможения электронов в по верхиостном слое материала контролируемого изделия, что значительно снижает качество контроля. При этом осуществление контроля внутри вакуумной камеры ограничивает,размеры контролируемых изделий, сужая, тем самым технологические возможности устройства и усложняя эксплуатацию его из-за .необходимости специальных уплогнений, а также приспособлений для подачи и удержания изделия.

Целью изобретения является повышение качества контроля.

Это достигается тем, что преобразователи расположены на внутренней повеерхности эк5 рана электроннолучевой трубки и выполнены каждый в виде разомкнутого токоправодящего кольца, составляющего два плеча резисторной мостовой схемы измерения, а индикатор включен в измерительную диагональ

1р мостовой схемы измерения.

На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид (условно показан один канал передачи сигнала на индикатор); на фиг. 2 — вид по стрелке А на фиг. 1 — рас15 положение преобразователей на экране ЭЛТ; на фиг. 3 — схема передачи сигнала на индикатор устройства от одного из преобразователей.

Предлагаемое устройство содержит блок

2р измерения н блок намагничивания.

Блок измерения состоит из ЭЛТ 1, на внутренней поверхности экрана 2 которой размещены преобразователи 3. Каждый из

IIHx выполнен в виде разомкнутого токопро25 водящего кольца, которое при взаимодействии с электронным лучам 4, разделено надва плеча 5 и б, соединенных с соответствующей парой резисторов 7 и 8, образуя при этом четырехплечий мост, в измерительную диазр гональ которого включены, например, усили3 тель 9, фазочувствительный элемент 10 и индикатор 11.

Блок намагничивания представляет собой электромагнит 12, замкнутый с помощью магнитопровода 13 и башмаков 14 на изделие 15, в котором возникает поле рассеяния 16 под дефектом 17.

Работает успройство следующим образом.

Контролируемое изделие 15 пред варительно намагничивают до насыщения, располагая его между башмаками 14 электромагнита 12.

При этом магнитные поля рассеяния 16 возникают над действительными, например, типа трещины, и над ложными (наклеп) дедектами. Од пако характер их различен. Над дефектом типа нарушения сплошности появляется резко выраженный максимум амплитуды (пик). Поля,над спруктурными неоднородностями имеют «размытый» характер.

ЭЛТ 1 помещают над намагниченным изделием 15 и производят построчное сканирование. При наличии дефекта,17 магнитное поле рассеяния взаимодействует с электронным лучом 4 и отклоняет его на определенный угол. Луч 4 при этом бомбардирует одно нз токопро водящих колец преобразователей 3, образуя четырехплечий мост, питание которого осуществляется в диагонали, образованпой электронным лучом 4 и общей точкой резисторов 7 и 8.

Сигнал разбаланса моста поступает через усилитель 9 на фозочувствительный элемент 10. Последний необходим для получения смещения светящейся точки на экране индикатора 11 в сторону, соответствующую

4 положению электронного луча 4 на кольцс преобразователя 3, которое имеет свой определенный потенциал.

Затем при перемещении ЭЛТ 1 во взаs имно перпенди куля рных направлениях и изменении величины зазора (плоскости преобразавателей от поверхности изделия) луч 4 замыкает различные кольца преабразавателей и обравует соответствующие плечи 5 и 6

1о неуравновешенного моста, что дает возможность получить на индикаторе 11 топографию полей н ад дефектам и.

Такое конструктивное выполнение устройства позволяет осуществлять им отстройку or

15 ложных и действительных дефектов типа нарушения оплошности, т. е. определить характер дефекта, что повышает качество контроля изделия.

Формула изобретения

Устройст во для определения топографии магнитного поля изделия, содержащее элект25 ропнолучввую трубку, помещенную над намагниченным изделием, преобразователи и индикатор, отличающееся твм, что, с целью повышения качества контроля, преобразователи расположены на внутренней поверхнозо сти экрана электроннолучевой врубки и выполнены каждый в виде разомкнутого токоправадящего кольца, составляющего два плеча резисторной мостовой схемы измерения, а индикатор включен в измертпельную диагональ мостовой схемы измерения.

508729

Составитель А. Матвеев

Редактор Т. Горячева Техред Т. Лященко Корректор Е. Хмелева

Заказ 5193 Изд. № 1246 Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, %-35, Раушская наб., д. 4/5

МОТ, Загорский филиал