Фотошаблон

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН И Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и) 508974

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.05.74 (21) 2025520/26-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.03.76. Бюллетень № 12

Дата опубликования описания 16.06.76 (51) М. Кл 2 H 05К 3/06

Н 011 21/70

Государственный комитет

Совета Министров СССР ро делам изобретений (53) УДК 621.396.6-181. .48 (088.8) и цткрытиК (54) ФОТОШАБЛОН

Изобретение относится к области полупроводникового производства и может быть использовано, в частности, для производства многослойных структур, Известны фотошаблоны, содержащие стеклянную подложку, на рабочей поверхности которой выполнены рисунок из маскирующего материала, непрозрачного для экспонирующего излучения, и базовые метки для совмещения упомянутого рисунка фотошаблона с подложкой микросхемы.

Однако использование фотошаблонов при большом числе фотолитографий требует нанесения большого количества пар базовых меток на полупроводниковой пластине, что приводит к уменьшению полезной площади пластины, то есть увеличению потерь полупроводникового материала, С целью повышения точности совмещения и сокращения потерь материала подложки микросхемы на нерабочей поверхности стеклянной подложки фотошаблона напротив каждой базовой метки нанесено покрытие из материала с селективным светоиспусканием, прозрачного для области спектра, в которой производят совмещение, и непрозрачного для экспонирующего излучения.

На чертеже изображена схема фотошаблона с базовыми метками.

На нерабочей стороне фотошаблона 1 на место расположения базовых меток 2 нанесено защитное покрытие 3 с селективным светопропусканием, прозрачное для той области спектра, в которой производится совмещение, 5 и непрозрачное для экспонирующего излучения.

Совмещение полупроводниковой пластины, покрытой фоторезистом, с фотошаблоном производят по базовым меткам. Возможность сов10 мещения обеспечивается прозрачностью защитного покрытия в видимой области спектра.

Затем полупроводниковую пластину вводят в контакт с фотошаблоном и экспонируют.

Участки пластины, на которых расположены

15 базовые метки, остаются неэкспонированными благодаря защитному покрытию и поэтому при проявлении и травлении они остаются покрытыми фоторезистом, то есть пригодными для следующей фотолитографии.

20 Таким образом, неограниченное количество совмещений возможно производить лишь по двум базовым меткам, то есть большая площадь полупроводниковой пластины остается рабочей — сокращаются потери полупровод25 пикового материала.

При каждой очередной фотогравировке базовый знак, содержащийся на соответствующем фотошаблоне, не экспонируется, то есть не переносится на полупроводниковую под30 ложку и совмещение осуществляется по од508974

Формула изобретения

Составитель Т. Богдалова

Техред Т. Колесова

Корректор А. Галахова

Редактор Н. Коляда

Заказ 1310/2 Изд. № 1329 Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 5Ê-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ним и тем же меткам, содержащимся на полупроводниковой подложке, что позволяет повысить точность совмещения.

Фотошаблон, содержащий стеклянную подложку, на рабочей поверхности которой выполнены рисунок из маскирующего материала, непрозрачного для экспонирующего излучения, и базовые метки для совмещения упомянутого рисунка фотошаблона с подложкой микросхемы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности совмещения и сокращения потерь материала подложки микросхемы, на нерабочей поверхности стеклянной подложки фотошаблона напротив каждой базовой метки нанесено покрытие из материала с селективным светопропусканием, прозрачного для области спектра, в которой производят совмещение, и непрозрачного для экспонирующего излучения.