Способ формирования изображения на термопластическом носителе

Способ формирования изображения на термопластическом носителе

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ьюьв

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Соеетских

Ооциалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 21.01.75 (21) 2098397/12 (51) М. Кл. G 036 13 00 с присоединенивм заявки №

Гоакдаретеонный комитет

Совета Министров СССР (32) Приоритет

Опубликовано 15.04.76. Бюллетеш. ¹ 14

Дата опубликова|шя описания 25.06.76 (53) УД К 771.427 (088.8) ло лелем изобретений

1 н открытий (72) Автор изобретения

В. И. Павлов (71) Заявитель (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ

НА ТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ

Изобретение относится к области приборостроения, а именно, к технике фототермопластической записи и может быть использовано в устройствах записи информации, регистрации сигналов, отображения информации, в измерительной технике и автоматике.

Известен способ формирования изображения на термопластическом носителе (ТПН), заключающийся в контактировании фотополупроводниковой пластины с ТПН, создании между ними постоянного электрического поля и одновременного с этим проецирования оптического изображения, отделения от фотополупроводниковой пластины и упрощения полученного на ТПН скрытого электростатического изображения.

Недостатком известного способа записи является большой интервал времени между записью и получением снимка.

Цель изобретения — повышение оперативности получения изображений.

Достигается эта цель тем, что перед контактированием фотополупроводниковой пластины и ТПН последний нагревают на 5 — 20 С выше температуры проявления.

Предварительный нагрев ТПН выше температуры проявления позволяет получать изображение в процессе экспонирования, минуя промежуточный процесс получения скрытого электростатического изображения, Полученное изображение после отделения ТПН может быть воспроизведено на экране известными способами.

Таким образом, интервал времени между

5 записью и воспроизведением существенно сокращаетсяя.

При мер ТПН, состоящий из основы (полиэтилентерефталат), прозрачного проводящего слоя (хром), термопластического слоя (толщина 10 мкм) и защитного слоя (толщина 1 мкм), нагревают на 5 — 20 С выше температуры проявления, после чего фотополупроводниковую пластину, состоящую из металлической подложки и слоя селенида

15 мышьяка (толщина 20 мкм) приводят в КоНтакт с ТПН, прикладывают между ними постоянное электрическое поле путем подачи между прозрачным проводящим слоем ТПН и подложкой фотополупроводниковой пластины

20 разности потенциалов 1000 — 1200 в и производят экспонирование.

При этом на ТПН за счет фотопроводимости фотополупроводнпкового слоя создается

25 скрытое электростатическое изображение, которое вследствие низкой вязкости размягченного термопластического слоя сразу же преобразуется под действием пондермоторных сил в геометрический рельеф, который может

ЗО быть преобразован в видимое изображение из510() 87 (() 0 () Ы >)> Л с! If В 0 б () (. Т Е II И 1!

Сос) авитслв В. Павлов

Текред T. Зимина

Редактор Э. Шибаева

1 ор1>ск (ор О. Тгор;3иа

Заказ 1266> 12 Изд, > 9 1315 Ти!)дж,>75 Г!о (1>I(снос

Ц1-1ИИПИ Государственного комитета Совета Ми(п!стро(3 CC(Ð но делам изобретений и открытий

f13035, Москва, Ж-35, Ратгвскаи нвй.> д. 4, 5

Типографии, нр. Саптно!3а, 2 вестными методами, пап()и)!Ср с помощью pilстровых оптпческих систем. ((Осле llpeк()а!Пения ficпо!!П()овапн1) От(слк)ППОт ВЫСОКОЕ НЯПРИ>КЕ1П:Е И ОтВОДЯт фОтОПОл IIPOI30,(f1lèêîâ, !О пласти!1У от ТПН, СпОсОб фо() ми() ОВ я(О! н иво бр я)кеГ(ия 1! а те р

МОПЛсlСТИЧЕСКО",! HOCИ 1(. IP II>,ТЕ)! КОНТЯКТИ()0

Всlfflf!I ф010IIOЛ П()0!3ОДНИКОЬОЙ 11.1сяс111111>1 С

ТЕP,!ОПЛЯСТИЧЕCI(II)t НОСIf 1 с.!ЕКI, Со.", !ЯНИН:,IС>K1llI >l;f Il0C l ОЯПНОГО ЭЛГПКТ()И>!ЕеI.ОГО Г!О. I>l, ВК(и!01>1(РО !с!НИ!! 11 Н()01!!3 lelIII>! П те >! Ifdf (>(3;(5 ния, от.! и и г !о п(и и с 1! тем, что. с целью и(>1, f lffrelfи1! Оllе() я !и вноспl ИО. Г !ения ивоо(э а)ке—

НИЯ, leP(Д КО(ГГЯЕТИ()онс(ПИ(.М (f)OTOI)OЛ) П()0Il0ä >нко,011 пластины и термоплястического

ПОСИтЕЛ", ПОСЛЕДНПй НЯГРЕ!3снот 11;! 5--20 C ВЫ1(! Ill(тек!пс(),!т1 J)l>l IfpOSI13 Iени1!