Позитивный фоторезистор

Позитивный фоторезистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О И а 1а аа а а 2.5 а: Оц ЦЦ66

Своз Совета;.их

Со@и@лис и4 ес;-:ик

Республик

ИЗОБРЕТЕЙ ИЯ и ASTQPCNQAA СВИДИТИЛЬСХВУ (61) Дополнительное к ачт, евнд-ву (22) Заявлено 30.12.74 (21) 2090057 04 с присоединениео ==-amma № ()3) Приоритет (И} М. Кл. 8 ОЗС и52

ГОщдВ станныы к0митРТ ломте Mee;p))s (, К

M Д5ЛВМ КЗ)) Вта))аЙ и 6тх )итмй (43) 0ау5аа оааао 25.04.76 5щааааааа ¹ 15 I (63) УДК 621.562.002 (088.8), (4о) Дата опубликования описании 02.08.7

«а@а ° (72) Автори нзооретения

Р. Д, Зрлих, С. A. Гуров, 3. Д. Милованова и В. H. Ракитин (71) Заявитель (54) ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИОТ

Ig»7

8 10

Изобретение касается фоторезистов, при меняемых для получения защитных масок в . : микроэлектронике, радиотехнике и полиграфии, Известен позитивный фоторезист на основе фенолформальдегидных новолачной и резольной смол, эфира 1,2-нафтохинондиазид=

-(2)-5 сульфокислоты и йодированного 2,2:-ди-(Г. -оксифенил)-пропана при соотношении 1: 1 и органических растворителейдиметилформамида и монометилового эфира ацетатэтиленгликоля, Однако сформированные из такого фото резиста защитные маски имеют локальные дефекты (проколы, разрывы, радиальные лучи), Цель изобретения — улучшение качества )а сформированных из фоторезиста зашитных масок, Зто достигается тем, что в состав фоторезиста дополнительно введены толуол., ме-; ьо тилцеллозольв, циклогексанон и полиметил фенилсилоксан при следующем содержании ! компонентов, вес, %:

Фенолформальдегидная смола 12 14

Зфир 1,2 нафтохинондиазид (2)-5-сульфокислоты и йодированного 2,2-ди-(Ъ

-оксифенил)-пропана.

Диметилформамид

Монометиловый эфир ацетат» этиленгликоля 12»14

Толуол 7-9

Метилцеллозольв 10 13

Циклогексанон 35-60

Полиметилфенилсилоксан 0,1-0,4

Пример, Четыре состава предлагае» . мого фоторезиста даны в таблице.

Состав фотореэиста, вес, 8 Г, 6,5

3,5

Метилцеллозольв (МРТУ 6-09-6347 65) 10

О

Циклогексанон (МРТУ 6-09-233165) 40

12,6

37,8

П олиметилфенилсилоксан (ТУ 6-О2-65 8-7 1 ) 0 d, 0,1

Наименование компонента входящего в состав фотореэиста

Фенолформальдегидная смола, ¹ 18 (ТУ 6-05-231 2-72) Фенолформальдегидная смола № 236 (МРТУ 6-05 1131-68) Светочувствительный продукт (смесь моно q д иHэ фиHрpа e 1l,2-нафтохинонди аэида-(2)-5 сульфокислоты и йодированного 2,2-ди-(П, -оксифенил)пропана (содержание диэфира 30 35%) Диметилфбрмамид (ГОСТ 5703-70) Монометиловый эфир ацетатэтиленгликоля (МРТУ-6«09-2893-16) 12

Толуол (ГОСТ 578969) I - ЗО

Технология изготовления фоторезиста за ключается в следующем. В емкости с мешал кой перемешивают укаэанное в таблице количество смол и растворителей (кроме циклогексанона и толуола),до полного раство рения смол, При красном освещении аналогично приготавливают раствор светочувстви.тельного неполного эфира 1,2-нафтахинон иаэида(2) 5-сульфокислоты и йодирован ного 2,2-ди-(В -оксифенил)-пропана в цик- 40 логексаноне. Смешивают два раствора и добавляют к смеси раствор полиметилфенилсилоксана в толуоле. Раствор фоторезиста !, фильтруют при красном освещении через бумажный фильтр ¹ 389, а затем через 45 обезэоленный фильтр "синяя лента" (МРТУ

:-02 24 1 1-65 ) .

Пленка фотореэиста, сформированная ме . тодом пневматического распыления или центрифугированием, равномерная, без раз 50 рывов, мелких пузырей и механических включений.

По сравнению с методом центрифугиро;; эания метод пневматического распыления позволяет получать пленки без внутренних напряжений и загрязнений в результате засасывания пыли из окружающей среды в центр вращающегося диска.

Метод пневматического распыления дает,," возможность наносить фотореэкст на под! ложки различных размеров и кс.нды: ураций (кольца, прямоугольники, выпуклые и вогну.тые поверхности и т. д;) с равномерной регулируемой в широких пределах (0,5-

20 мкм) толщиной по всей поверхности.

Процесс нанесения при простоте и надежно= сти оборудования легко автоматизируется, Испытания лабораторных образцов, Порядок проведения испытаний.

1. Фоторезист наносят на окислению кремниевую пластину nc .:;.;.едующим техно::. логическим режимам: а) скорость пеоем=.|.еп™я :. е т ;. -,;--ог о стола 1 2 б) скорость перемещения краскораспыпителя 20 деn. шкалы; в} давление воздуха на расп=.;ление

1,8 кг/см2-. г) давление в красконаливп ;;. ба- ке

1,4 хг/см-;

Э д) расстояние от распылите: .. до под..::ж ки 200 мм.

2 . Иэмсряе 1ся толщина плене.1 l; ес.: ре„ .:— номе рность, 3. Проверяется ра репЪк:n&.."1 сn.>ссСа с ..:. пленки.

4. Измеряется контIi:äстнос ь

5. Замеряется ире., я =.кс)..опл, оьа:.ия д. я интеграi:ь-яй чувстBnтc n13Ki ги в обласT!i

Фенолфор мальдегидная смола

Зфир 1,2-нафтохинондиазид(2)-5-сульфокислоты и йоди рованного 2,2-ди(А,--оксифенил)-пропана

Диметилформамид

Монометиловый эфир ацетатэтиленгликоля

Толуол

Метилцеллозольв

Биклогексанон

Полиметилфенилсилоксан

12 14

67

8-10

12-14

1013 (35-40

О, 1-Q,4

С с„а-,ите;;„A. МаРтыненко

Редакто;. Тепрел И.Карандашова корректор Л.Брахпина

Г. „".àãpåáåëüíàÿ

:1акчз 3 3 E) Изд. И Я(} Тираж 57 5 Подписное

I/HI .HIIH Государственного комитета Совета Министоов CCCI по делам изобретен»й и открытий

Москва, 1!3035, Раушскаа наб., 4

Филиал ППИ "Патент, г. Ужгород, ул. Проектция, 1

3OOW О0 нм при облучении (40 : э 9 )

° 10-4 вт/см„

Результаты испытаний.

1, Фоторезист ФП 5п, Плотность 1,03

1,03 г/см; вязкость 5,2 сст, поверхност- 3 ное натяжение 26,6 дин, см.

Пленка фогорезиста имеет незначитель-. ный микрорельеф и краевое утолщение, рас текаемость удовлетворительная; толщина пленки 1,2 .лкм; разрешающая способность BIO

5QO линий/мм; время экспонирования 10сек;! контрастность. 32; время проявления

15 сек; изменение (уход) размеров0,63мкм.

2, Фоторезист ФП-5п с добавкой 0,01

10 /-ного раствора ПАВ М. 3. Плотность Ы

1,03 г/см3; вязкость 5,2 сст, цовышенное натяжение 23 дин/см. — ь, Пленка фоторезиста равномерная; растекае мость =-;îðîûàè;. наолюдаются явления краевого утолщения пленки„ толшина пленки 1. км; разрешаюшая способность QOO линий/мм. время проявления 12 сек; контрастность

3 ; время экспонирования То сек; изменение (у. сод} размеров 0,63 мкм, Фоторезист ФП-5п с добавкой ПАВ технологпчен при нанесепии его методом пневмати-еского ра".пыления, а свойства, опреде ..нюшке его смачиваюифю способность, поз воляют получать, нленку необходимого качества„

ЗО б

Формула изобретения

Позитивный фоторезист на основе фенол-.; формальдегидных смол, эфира 1,2 нафтохи нондиазид-(2) -5-сульфокислоты и йодирован

: ного 2,2ди-(Vl. оксифенил)-пропана при соотношении 1: 1 и органических раствори», телей диметилформамида и монометилового эфира ацетатэтиленгликоля, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью улучшения ка чества сформированных из него защитных масок, он содержит дополнительно толуол, метилцеллозольв, циклогексанон и полиметил, фенилсилоксан при следующем содержании ." компонентов, вес. %.