Способ получения полупроводниковой светоизлучающей структуры

Способ получения полупроводниковой светоизлучающей структуры

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Ой МГАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (>>) 51 1 794

N АВТОРСНОМУ СВМДЕТЕЛЬСТВУ (61} Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 28.05.73 21) 1922832/26-25 с присоединением заявки № 2073047/26-25 (51) М. Кл.

Н 05 В 33/10

Государственный комитет

Соната Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет — 06.11.74 по и. 2

Ф (43) Опубликовано 05. 10.76Бюллетень № 37 (53) УДК 621.382. (088. 8 (45) Дата опубликования описания01.03.77

Р. А. Чермакадзе и Р, И. Чиковани (72) Авторы изобретения (7l) Заявител ь (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ

СВЕТОИЗЛУЧА ЮШЕЙ СТРУКТУРЫ

25

Изобретение относится к области элекTp0HIIQH тохникп H может быть использовано в техн;логи::; светоизлучыощих приборов в системе твердых растворов галлий-алюминий-м ьто1ьят., 5

Известен спосОб получения структур ме

TOII0 I жпдкОСТИОЙ BHIiTGECHH B ИSOMETpHческом пр:H=cce пои изменении объема и с оста В а раствора.

Недостатком известного способа пэлу- IQ

ЧЕНИЯ ЖЛЯЕТСЯ НЕВОЗМО>КНОСТЬ ЕГО НЕПОСРЕДственного использования для получения светоизлУчаюших стоо"ктУР с компенсиРованной активной«:>бластью H пением алюминия в области рекомбинации. ттепью изобретения является разработка конкретных технологичесттих реткимОВ полученпя компенсироват-:ногO ":I Однооодного по

Обесп- HHIIIoIIIHI 0 BbfcOKyIO зффективн Ость Is JIW HGTPльной реном бина ции.

Это достигается тем, что процесс Выращивания ттроизвОдится IIpH последователь» ной смене IM подложке из арсенида ГGJiilHH двух растворов-расптавов, причем второй раствор-расплав., содержащий примесь goнорного типа, надвигается так, что на подложке Остается спой толщиной 200-600 мкм первого раствора-расплава, содержащего одновременно донорные и акцепторные примеси.

Образованный расгвор выдерживается в течение 1 7 сек при постоянной температуре.

Согласно описываемому способу, получение светоизлучающей структуры проводится методом жидкостной эпитаксии в графитовой кассете по способу сталкивающей технологии на подложке р-типа арсенида галлия с ориентацией (100).

Состав шихты для 1-го раствора-расплава: ратх (5,0+ 0,1) г, С,aAs(480 + 40) мг, Ат(11 6 + 0 4) мг, Zn(22 + 4) мг, Те (0,07 + 0,01) мг, для 2-ro раствора-расплава: 5а (5,0+0,1) ) r, GaAE(580 +

+ 40) мг, А (15,6 + +0,6) мг, Те (2,2+

+ 0,3) мг.

Кассета с подложкой с раствором и расплавом помещается в кварцевый реактор, находящийся в температурном поле с Нео большим положительным (3 /см) верти1794 рокар"*р м ..регы хр корРектор В, е уп;- рррр

Редактор H. Лвнипович

Заказ 5361/163 Тираж 1 029 Подписное

ПНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и Открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4i5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

5l кальным градиентом. После достижения темо пературы 960 + 5 С и выдержки при этой температуре в течение 30 мин первый раствор — расплав подвигается на подложку и при снижении температуры со скоростью

0,5-2ОС/мин производится выращивание первого р-слоя. Через 50 мин производится надвпг второго раствора-расплава, причем, что предусмотрено конструкцией кассеты, слой первого раствора-расплава толшиной

200-600 мкм остается на подложке.

Образованный раствор выдерживается при постоянной температуре в течение 1-7 сек, при этом происходит рост компенсированной р-активной области толшиной 1-2 мкм.

При последуюшем снижении температуры растут > ц и:.1 слои, В конце процесса раствор-расплав удаЛЯЕТСЯ С ПОДЛОЖКИ.

Полученная структура имеет эффективность излучения IIG длине волны 650=.

690 нм до 5%.

Ф ОpIIóëà пзобpåòåíè I

Способ получечия IIEET»óïpîâoäíTIêîâîé светоизлучаюший структуры, содержашей эштаксигльные слои на основе твердых растворовв в системе G n As -At..ьпутем изотермического смешивания двух растворов-расплавов, содержащих донорные и акцепторные примеси, при резком изменении объема расплава, находящегося на подложке из арсенида галлия, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью обеспечения увеличения эффективности излучательной рекомбинации за счет создания однородной по составу компенсированной активной области, вырашивание активной области ведут при наIIpvre раствора-расплава, содержашего регулирующую примесь"".ттипа, например, теллур, на слой первого раствора-расплава толши15 нои 200-600 мкм, содержаший Одновре.:енио донорные и акцепторные ",.pI

aàðà-расплава, 29

2. СпосОО по IT, 1, О т л и ч а ю ш и йс я тем, что время выдержки Образовали аств Ор;- расплава HB и Одло»кке составляе.. 1-7 сок,