Фотоэлемент

Фотоэлемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 51102

Класс 21 g, 29

СССР

Залег«се« «ровано в Госндпрс<пвенноа< б сро послед)похе« рег«ст,. аи.!««добре«)енп«пр«Гос«лине СССР

П. В. Тимофеев и В. А. Гольцов.

Фотоэлемент.

Заявлено 10 июля 1936 года за № 197663.

Опубликовано 30 и)оня 1937 года.

Настоящее изобретение касается фотоэлемента с использованием вторичной электронной эмиссии и закшогается в осо001! конструктивной форме ьыиол пения та) ото фотоэлем1.ита. С nC. lf fo IIO;I)/

)ьаиоолгиието коэфнциента усиления фототока< )и)сст05? и!ге межд1 анодом If nOBepxио! тью, эмитирую)цей вторичные электроны, оерется меньшим длины свободного пути злекзрона при давлении паиолия)ощего газа.

На фиг. 6 прилагаемого чертежа схематически изобра)кень! фотоэл1, )fcffTII 0l . !асио изобретеии10.

Принцип действия фотоэлемента заклю<п)ется 13 OJIc:fófoùo .f. Электроны, освобожденные из катода К), нод действием света. увлекшотся полем анод А катод Б! и, ионизируя на своем пути газ, усиливают фототок так., как это имеет место в ооычном газонаполиенном фотоэлементе Н)иг. 1 — 4). Ноны, образованные в разрядном промежутке. Собираются не на катоде, а на коллекторах К).

Коллекторы иоиог, сделаны из материала с большой работой выхода электронов. Электроны, приходящие к аноду с Оольшитп! cffopocTflми, проход!!т скВОзь анод и, ударяясь оо э,!ектрод IC, который расположен от анода А на расстоянии, меньшем, чем длина свободного проОега электро!и, выонв 110Т п3 него вториfffffc электроны. Вторичпые электроны, нод действием !тазпости потенциалов аио;1-к<1 год 1<<, ) Влеки)Oтся к м10ду А.

I nñ0T05fïèå между А и Бг меньше длины свободного пробега электрона и, сл1;10ва тельно, ионизация х!ежду эти)1И эле),тро-! дмп! практически не будет иметь места.

В данном фотоэлементе ионы отводятся и)1. специальные коллекторы, име)ощие большую раооту выхода: поэтому коэфициент усиления фстотока в газе может быть свободно доведен до 20 — 25 в устойчивой части характеристики фотоэ.н мепT

ЭЛЕКтрОНОВ КатОдОМ Ке МОжио НОЛуЧИтЬ усиление электронного тока еще в 4 — 5 раз. Таким образом. в фотоэлементc данной системы получается коэфициент усилеши, равный 100, п, следовательно, при чувствительности фотокатода 0 ) 0

40 ма/лх1 п при paoo

250 — 300 вольт получается фотоэлемент с чувствительность!0, равной 2 4 ма/лм.

Электроды К1 и К! замкнуты накоротко, а Н3 электроды Ка, Кв и А накладывается напряжение порядка 240 †3 V, на электроды же Кг и А накладывается напряжение 8 — 12 ) . При этом электрод А имеет положительный потенциал как по отношению к электроду К, так и

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, ВЫДАННОМУ НАРОДНЫМ КОМИССАРИАТОМ! ТЯЖЕЛОЙ ПРОМЫЙЛЕННОСТИ

Фиг4

Фиг(Фигб по отношению к электродам К1 и К . Фотоэлемент наполняется аргоном.

На фиг. 5 — 6 схематически изображена конструкцил фотоэлемента, отличающаяся от предыдущих тем, ITo здесь фотокатод и коллекторы ионов объединены в один электрод К1. Электрод К представллет собой жалюзи кз никелевых пластин, впешнлл сторона. которых обработана серебром, кислородом и цсзием, а внутрсннял карбидирована. Электроны, вырванные светом из внешней поверхности жалюзи, увлекаютсл полем внутрь мсждуэлектронного пространства. Ионы, образовапныс в разрядном промежутке К вЂ” А, под действием полл идут иа. внутреннюю сторону.

Главная особенность предложенного типа фотоэлемента заключается в том, что усиление фототока при помощи вторичной эмиссии электронов практически! не изменяет потенциала зажигания раз1 ряда газа в фотоэлементе, а следовательно, не уменьшает коэфициента уси, ления фототока при помощи несамостоятельного разряда в газе, что дает возможность получить болыпой коэфициент

,,усиления фототока. !

Предмет изооретеиил.

Фотоэлемент, в котором усиление фототока производится при помощи несамостолтсльного разряда в газе и при помощи электронов вторичной эмиссии, отличающийся тем, что расстолние между эмитиI рующей вторичные электроны поверхностью и анодом сделано меньше длины свободного пути электрона прн том давлении газа, до которого наполняется фотоэлемент.

Тип. им. Урицкого. Зак. № 2834 — 700