Способ получения фотоэлектрически чувствительных слоев сурика

Способ получения фотоэлектрически чувствительных слоев сурика

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(ii) 5I3936

Lо;о.1 Советских

Соанааоетнчеснкх

Рео.,т":ËHK (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.12.73 (21) 1977427/26 с присоединением заявки Мв (23) Приоритет

Опубликовано 15.05.76. Бюллетень )хе 18

Дата опубликования описания 14.07.76 (51) М. Кле С 01G 21J10

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 661.876.281 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. А. Извозчиков и Ю. Х. Паландузян (71) Заявитель Ленинградский государственный ордена Трудового Красного Знамени педагогический институт им. A. И. Герцена (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ

ФОТОЭЛEIKTPO×ÅÑÊÈ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СЛОЕВ СУРИКА

Изобретение относится к области получения слоев сурика Р1)з04, широко используемого в производстве оптического стекла, в лакокрасочном производстве, в технологии пигментов, в аккумуляторной промышленности.

Известен способ получения фотоэлектрически чувствительных слоев сурика РЬа04 путем окислительного обжига пленок окиси свинца

PbO при температуре =753 К (475 — 485 С) .

Однако по известному способу слой получается толщиной всего до 1 мкм. Кроме того, структура слоя неоднородная, непрочная, с наличием значительного числа микротрещин и микропор вследствие длительного времени обжига (порядка 50 — 60 ч) .

По предлагаемому способу нагрев пленок окиси свинца до температуры 475 — 485 С ведут, начиная от 95 — 105 С, со скоростью 7—

13 С/мин.

Предлагаемый способ позволяет увеличить толщину слоя сурика от долей микрона до нескольких десятков и сотен микрон, а также получить однородные по толщине и ширине слои сурика с удовлетворительной структурой за менее длительное время обжига (20—

30 мин.) ..

Слои сурика, полученные таким способом, обладают высокой фотоэлектрической чувствительностью, например, при освещении слоя белым светом 50 — 5 10 люкс, темновой ток резко увеличивается в 10 — 10 раз соответственно прп удельном сопротивлении обраца — 10" йм см и приложенном к нему поле

E= 10 В/см.

По предлагаемому способу можно получить слои сурика Pb 04 на полупрозрачной проводящей подложке пз окиси олова SnO>, что дает возможность более глубоко исследовать фотоэлектрические явления в слоях сурика и

1р практически использовать пх в качестве фотопроводящей мишени телевизионных передающих трубок типа «впдикон».

Пример 1. Берут-200 мг порошкообразной химически чистой окиси свинца и засы15 пают ее в платиновую лодочку испарителя вакуумной установки для напыления. При вакууме 10 — 5 мм рт. ст. прогревают подложку в течение 1 ч при температуре 60"C. Затем в подколпачное устройство вводят кислород

20 до давления 5.10 мм рт. ст. Прн заданном давлении кислорода расплавляют окись свинца и напыляют ее на установленную на расстоянии 50 мм подложку.

Полученный слой пол и морф ной окиси

25 свинца обжигают в муфельной печи или в атмосфере кислорода при 100 — 480 С со скоростью 10 С/мин.

При соблюдении этих условий на подложке получают слой сурика толщиной 10 мкм.

30 Пример 2. Условия получения и отжига окиси свинца для образования слоя сурика

513936

Составитель С, Лотхова

Техред Е. Подурушина

Корректор Л. Брахнина

Редактор Л. Емельянова

Заказ 1420!5 Изд. Х 1372 Тираж 630 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров CCCl по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 такие же, как в примере 1. При загрузке шихты весом 1,800 r получаемый слой сурика имеет толщину 280 — -300 мкм.

Формула изобретения

Способ получения фотоэлектричсски чувствительных слоев сурика, включающий нагрев и обжиг пленок окиси свинца в атмосфере кислорода при 475 — 485 С, о т л и ч а и шийся тем, что, с целью увеличения толщины слоя, ускорения процесса, а также создания одно5 родности и прочности слоя, нагрев пленок окиси свинца до 475 †4 С ведут, начинал с 95 — 105 С со скоростью 7 — 13 С/мин.