Микротермостат для интегральных схем

Микротермостат для интегральных схем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

=Щ - - ."ЫЖ

О П И С А Н Й Ё 1ii1 5I4278

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.05.74 (21) 2023786/24 (51) Ч. Кл. G 050 23/30 присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР ао делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 15.05.76. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания 25.06.76 (53) УДК 536.582.08:621..382.82 (088.8) (72) Авторы изобретения Н. Д. Гаджиев, М. А. Гарибов, Н, Л. Гусейнов и Д. Ш. Мамедов (71) Заявитель (54) МИКРОТЕРМОСТАТ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЪНЪ1Х СХЕМ.

Формула изобретения

Изооретение относится к радиоэлектронной аппаратуре и может быть использовано для стабилизации температуры полупроводниковых структур.

Известны микротермостаты для интегральных схем, содержащие корпус с расположенными в нем датчиком температуры, регулятором и нагревателем. Известны также способы стабилизации температуры полупроводниковых структур с использованием технологии интегральных схем: например с использованием теплопроводящей пластины для размещения кристаллов нагревателя, датчика и статируемого объекта, а также с созданием статируемого объекта в едином блоке монокристалличсского полупроводника с устройством термостата.

Цель изобретения — повышение точности регулирования температуры. В описываемом микротермостате это достигается тем, что в его корпусе установлен кольцевой транзисторный нагреватель, в отверстии которого размещены датчик температуры и регулятор.

На чертеже показан описываемый микротер моста т.

Он имеет корпус 1, кольцевой транзисторEEbEH нагреватель 2, отверстие а и отверстие б.

В микротсрмостате, корпус которого выполнен из кристалла кремния, методом планарной технологии создан кольцевой транзисторный нагреватель 2, а в отверстии а помещены датчик температуры и регулятор (на чертеже не показаны). В отверстии б помещается термостатируемая схема. Размеры отверстия о определяются габаритами кристалла термо5 статируемой схемы и вытравливаются в кристалле микротермостата симметрично отверстию а. После размещения термостатируемой схемы в отверстие, его и нагреватель заливают элсктроизоляционной и теплопроводной пастой, например, на основе ВеО. В результате расположения датчика температуры, регулятора и термостатируемой интегральной схемы в одном объеме внутри нагревателя исключается уход температуры статирования

15 из-за отсутствия разности температурных режимов датчика и cTàòèðóåì0ão объекта и теплового потока между разнонагретыми элементами, т. е. градиент температуры в статируемой интегральной схеме сводится к мини20 м му.

Микротермостат для интегральных схем, со25 держащий корпус с расположенными в нем да чиком температуры, регулятором и нагревателемм, отличающийся тем, что, с целью повышения точности регулирования, в нем в корпусе установлен кольцевой транзисторный

30 нагреватель, в отверстии которого размещены датчик температуры и регулятор.

514275

Составитель О. Искендеров

Текред 3. Тараненко

Корректор E. Жаворонкова

Редактор Л. Тюрина

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1352i15 Изд. ¹ 1360 Тираня 1029 Подписное

11НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7Ê-35, Раушская наб., д. 4,5