Спусковое устройство

Спусковое устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И (."А Н И Е ((() убрав

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26-01.7 1 (21) 1624677/21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (51) М. Кл. Н 03 К 3/284

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений н открытий (43) Опубликовано 25.05.76 Бюллетень № 19 (53) УДК621.373.52 (088.8) (45) Дата опубликования описания 25.10.76 (72) Автор изобретения

В. И. Турченков (71) Заявитель (54) СПУСКОВОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к радиотехнике и мажет быть использовано в импульсных устройствахах.

Известно, спусковое устройство на транзисторах одного типа проводимости, содер- 5 жашее два транзистора, включенных по схеме с обшим эмиттером, при этом база первого транзистора подключена к источнику входного сигнала, а база второго транзисто ра соединена с коллектором первого транзи- 10 стара 1

Целью изобретения является повышение стабильности и внутреннего сопротивления источника входного сигнала. 5

Для этого в предлагаемое спусковое устройство введен дополнительный транзистор, включенный по схеме с общей базой, коллектор которого соединен с базой первого тран зистора, а эмиттер соединен с коллектором 20 второго транзистора.

Такое спусковое устройство обладает минимальным остаточным напряжением, большой стабильностью при работе от генератора с большим внутренним сопротивлением с одно- И временным повышением нагрузочной способности.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема спускового устройства.

Спусковое устройство содержит транзисторы 1 и 2 одного типа проводимости, включенные по схеме с общим эмиттером.

База транзистора 1 подключена к источнику 3 входного сигнала, а база транзисто. ра 2 соединена с коллектором транзистора 1.

Дополнительный транзистор 4 включен по схеме с обшей базой. Коллектор транзистора

4 соединен с базой транзистора 1, а эмиттер — через резистор 5 соединен с коллекторомм транзистора 2.

При входном токе, pBBHDM нулю, транзистор 1 заперт, а транзистор 2 насыщен, и на выходе 6 потенциал близок к нулю.

Через эмиттер транзистора 4 протекает ток, Устройство сработает тогда, когда транзистор 2 начнет выходить из насыщения.

При этом повышается выходное напряжение и уменьшается ток эмиттера транзистора 4, xo ecTb развивается регенеративный процесс.

515256

После срабатывания потенциал HB выходе

6 близок и потенциалу источника 7 вследствие насыщения транзистора 1 и перехода транзистэра 2 в режим отсечки. Транзистор

4 в зависимости эт величины резистора 5 может остаться в активной области или же перейти в режим отсечки. Если транзистор

4 после срабатывания остается в активной области, то отпускание его произойдет сразу же после того, как входной ток достигнет такой величины, при которой транзистор 2 начнет открываться, вследствие чегэ начинает у-меньшаться выходное напряжение и тэк обратной связи, протекающий через резистор 5, чтэ вызывает регенеративный процесс.

Максимально вэзможная мэщнэсть нагрузки в данном устройстве определяется такой величиной резистэра 8, при кэтэрэй транзистор 2 после регенерации находится на грани отсечки и насьпцения.

Источником входного -ока спускового устрэ ство может быть источник с люоым внутренним сопротивлением, в TL v! числе и генератор тэка, Известное устройство не может рабэтат. =т источника с большим внут енним сэпцэтивлэ .ис! ., формула изобретения б

Спусковое устройство на транзисторах одного типа проводимости, содержащее два транзистора, включенные по схеме с общим эмиттером, при этом база первогэ транзи10 стора подключена к источнику входного сигнала, а база второго транзистора соединена с коллектором перв эгэ транзистора, о тл и ч а ю щ е е с я тем, чтэ, с целью повышения стаэильности и внутреннего сопротивления источника входного сигнала, в спускэвое устройство введен дополнительный транзистэр, включенный по схеме с об щей базой, коллектор которогэ соединен с базой первог" транзистора, а эмиттер соединен через резистор с кэллектором второгэ транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство СССР

¹ 19762,6 приэрите: 20 июня 1966 г.

515256

Составитель р ркин

Корректор т.. Хмелев а

Редактор Я.Дибобес

Техред E.Петрова

Заказ 6305/1 16

113О35, Москва, Ж 35, Раушская наб, д.4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий