Магнитный запоминающий элемент

Магнитный запоминающий элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(,! 5I6O98

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Сояиэлистнческнт

PecIIyC.7Hê (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено !0.03.75 (21) 2!12562 24 (51) . 1. Ь;,7.-" С ! С 11 08 ! с присоединением заявки ¹

Государ стевнио1й комите! (23) Приоритет

Опубликовано 30.05.76. Бюллетень ¹ 20

Совета Министров СССР оо делам нэооретеннй

1,53) УД1 681.325.66 (088.8) н открытий

Дата опубликования описания 06.07.76 (72) Авторы изобретения

E П. Балашов, А. И. Водяхо, А. О. Тимофеев и Л. A. Шумилов (71) Заявитель

Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) (54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств с неразрушающим считыванием информации.

Известны магнитные запоминающие элементы, содержащие ферритовую пластину с отверстиями, прошитыми управляющими обмотками.

Один из известных магнитных запоминающих элементов имеет ферритовую пластину с четырьмя отверстиями, прошитыми обмотками записи, считывания н выходной (1). Недостатком этого элемента является его относительная сложность.

Известен и магнитный запоминающий элемент, который содержит ферритовую пластину с большим крайним и двумя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины, с равными по сечению перемычками, прилегающими к малым отверстиям, т! перемычкой между большим отверстием и краем пластины с площадью поперечного сечения более чем в три раза большей, чем у каждой из остальных перемычек, числовую и разрядную обмотки (2).

Однако этот элемент имеет сложную прошивку.

Цель изобретения — упрощение магнитного запоминающего элемента.

Это достигается тем, что в магнитном запоминающем элементе. содержащем феррптовую пластину с большим крайним il двумя малымн отверстиями, расположенными вдоль осн спм5 метрии пластины, с равными по сечению перемычками, прилегающими к малым отверстиям, и перемычкой между большим отверстием краем пластины с площадью поперечного "счения более чем в трп раза большей, чем у !

О каждой пз остальных Г.еремычек. числовая 00мотка прошита через крайш;е отгерстпя в противоположных няпоявлсппях. а рязрядняя обмотка — через центральное отверстие. Это упрощает прошивку элемента. тяк кяк в кя>к-!

5 дом отверстии пластины располя: яется лишь одна обмотка.

На фиГ. 1 пока".ËIIÿ проши!!к i п1)еллягяех!ОГО мяГннтнОГО зяпохlппяlОщеГО э.темептя; пя

20 фиг. 2 — граф перехода сердечника выбранного элемента.

Магнитный запом117!Я!Оп!Пй элемент (ф11Г. 1) содержит ферритовую пластину 1 с большим крайним и двумя малыми отьерстпям:I. Пере25 мычкп, прилегя!Ощпе к малым отверстиям, равны по сечению. а перемычка, прилегающая к большому крайнему отверст!по с внешней стороны, имеет более чем в три раза большее поперечное сечение, чем каждая пз перемы516098 чек, прилегающих к малому отверстию. Числовая обмотка .2 прошита через центральное и малое крайнее отверстие в противоположных направлениях, а разрядная обмотка 3,— через, центральное отверстие.

Считывание осуществляется действием числового тока I,. При считывании «0» сердечник не изменяет своего магнитного состояния, при считывании «1» по полному гистерезисному циклу перемагничивается контур вокруг двух малых отверстий и в разрядной обмотке наводится полезный сигнал. Восстановление происходит под дейст вием разрядного тока 1р.

Запись проводится в три такта. Первым тактом совместным дейспв ием числового тока 1,, и разрядного тока 1р сердечник устанавли вается в состояние «1». Во втором такте на сердечник действует TQIK считывания 1„, при записи «0» — также разрядный ток Iр. В третьем такте действием разрядного тока осуществляется фиксация записи «1».

Сравнительные испытания предлагаемого магнитного запоминающего элемента и известного показали, что предлагаемый элемент более прост и надежен в работе, так как в нем исключаьтся возможность замыкания числовой и разрядной шины в отверстии сердечника.

Формула изобретения

Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с большим крайним и двумя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины, с

10 равными по сечению перемычками, прилегающими к малым отверстиям, и перемычкой между большим отверстием и краем пластины с площадью поперечного сечения более чем в три раза большей, чем у каждой из остальных

15 перемычек, числовую и разрядную обмотки, отличающийся тем, что, с целью упрощения элемента, числовая обмотка прошита через крайние отверстия в противоположных направлениях, а разрядная обмотка прошита

20 через центральное отверстие.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе.

1. Бардиж В. В. «Магнитные элементы

ЦВМ», «Энергия», 1974, стр. 358.

25 2. Авт. св. 480111, кл. G 11С 11/08, 1974.

516098

Ip ) )pe, In j

1!

„i7 .тпрр Jp Ф

Составитель Ю. Розенталь

Редактор И. Грузова

Типография, пр. Сапунова, 2

Техред T. Курилко Корректор Е. Рожкова

3 а к аз 1464/9 Изд. М 1422 Тираж 723 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5