Магнитный запоминающий элемент

Магнитный запоминающий элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИF.

И 3 О Б Р Е Т И )4! С !

»! 516100

Союз Советских

Социалистических

Республик

И ABTQCYGiÀÓ СВйДЕТЕЛЬСТВУ

161) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 10.03.75 (21) 2112632/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.05.76. Бюллетень № 20

Дата опубликования описания Об.07.76 (5!) М, Ка С 11С 11!08

Государственный комитет

Cneera Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения

Е. П. Балашов, А. И. Водяхо, А. О. Тимофеев и Л. А. Шумилов

Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт имени В. И. Ульянова (Ленина) (71) Заявитель (54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах (ОЗУ) .

Известны магнитные запоминающие элементы, содержащие ферритовую пластину с отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины, разделенными равными по сечению перемычками и прошитыми управляющими обмотками. 10

Один из известных элементов имеет ферритовую пластину с двумя равными отверстиями, расположенными вдоль оси симметр!гп пластины и разделенными равными по сечению перемычками. В таком элементе исполь- 15 зуется один числовой ток при считывании записи 1).

Известен также магнитный запоминающий элемент, который содержит ферритовую пластину с большим крайним и двумя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению перемычками, разрядную оомотку, прошитую через малое крайнее отверстие, числовую и выходную обмотки (2).

В таком элементе используются два числовых тока, а запись выполняется за три такта.

Цель изобретения — упрощение и повышение быстродействия магнитного запоминающего элемента. 30

Это достигается тем, что в магнитном запоминающем элементе, содержащем ферритовую пластину с большим крайним и двумя малыми отверстиями, расположенными вдоль оси симметрии пластины и разделенными равными по сечению перемычками, разрядную обмотку, прошитую через малое крайнее отверстие, числовую и выходную обмотки, числовая обмотка прошита через малое центральное отверстие и два раза через малое крайнее отверстие в противоположном направлении, а выходная обмотка — два раза через малое центральное отверстие и один раз через малое крайнее отверстие в противоположном направлении.

Конструкция предложенного элсменTа позволяет получить разнополяр ые выходные сигналы «1» и «О».

На фиг. 1 показана прошивка запоминающего элемента, выполненного согласно изобретению; на фиг. 2 — граф переходов сердечника при считывании и записи.

Магнитный запоминающий элемент (фиг. 1) содержит ферритовую пластину 1 с большим крайним и двумя м :лым!! отвер тпями, расположепнь!ыи вдоль оси с!!мметри!! пластины и разделенными разными по сечению перемычками. Числовая обмотка 2 проходит через малое центральное и два раза через малое крайнее отверстие в противоположном направле516100 нии. Разрядная обмотка 3 записи прошита через крайнее малое отверстие, выходная обмотка 4 — через малое крайнее отверстие и два раза через малое центральное отверстие в противопоставленном направлении.

Чтение осуществляется действием числового тока I . При этом в за висимости от хранимой информации перемагничивается по полному гистерезисному циклу либо контур вокруг двух малых отверстий, либо контур вокруг малого крайнего отверстия. При этом в выходной обмотке, обхватывающей в противоположных направлениях две центральные перемычки, наводится э.д.с. одной или другой полярности. Запись проводится по заднему фронту импульса тока считывания. Разрядный ток 1р приблизительно вдвое больше числового тока и может либо перекрывать по времени числовой ток, либо начинать свое действие по окончании действия числового тока.

Сравнительные испытания предлагаемого магнитного запоминающего элемента с известным показал и, что использование его в ОЗУ позволяет существенно упростить дешифратор адреса и на 20 — 30О О уменьшить время цикча обращения.

Формула изобретения

Матнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с большим край5 ним и двумя малыми отверстиями, ра сположенБыми вдоль оси симметрии пластины и разделенными ра вными по сечению перемыч ка ми, разрядную обмотку, прошитую через малое крайнее отверстие, числовую и выход10 ную обмотки, отличающийс я тем, что, с целью упрощения и повышения быстродействия элемента, числовая об мотка прошита через малое центральное отверстие и д ва раза через малое край нее отверстие в противо15 положном направлении, а выходная обмотка прошита д ва раза через малое центральное отверстие и один раз через малое крайнее отверстие в противоположном направлении.

20 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе.

1. Авт. св. № 444242, кл. С11c 11/08 от

20.04.73.

25 2. Бардиж В. В., Перекатов В. И., «Флюксор как элемент запоминающих устройств», изд-во ИТМ и ВТ, 1962.

516IOO a rp

Фиг. 2

Составитель Ю. Розенталь

Техред Т. Курилко

Корректор E. Рожкова

Редактор И. Грузова

Заказ 1464/10 Изд. № 1422 Тираж 723 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2