Резистивный материал

Резистивный материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ВСЕСОЮЗНАЯ

ПАТЕНТ :„

О П И С А Н И Е об4

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 01.07.74 (21) 20 11774/21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.06.76.Бюллетень № 21 (45) Дата опубликования описания 23.09,76

Кл. Н 01В 1/08

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений н открытий

621. 396. 69 (088. 8) (72) Авторы изобретения

Э. А, Бондаренко, Б. П. Соколов, О. А. Гараймович и B. Г. Белозеров (71) Заявитель

Московский авиационный технологический институт им. К. Э. Циолковского (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

0,1-1,7

Pb0

5,3-30,0

Известны резистивные материалы на основе стеклообразующих окислов SiO

Аl О,CaO,РЪО, Йа О,К О.

2 2

Этим материалам присущи температурная 5 нестабильность, повышенная э. д. с. шумов и недостаточное удельное сопротивление (не более 30-40 ком/кв). Кроме того, структура покрытия неоднородна из«за неоднородного распределения окисной и проводя- 1О шей фаз. Это, в свою очередь, вызывает большой разброс резисторов по номиналам и, как следствие, малый процент выхода годных в производстве, что значительно удорожает их себестоимость. 15

С целью расширения диапазона номиналов и получения низких значений ТКС, предлагаемый материал содержит составные части в следующих количествах (вес. %):

$iО 54,5 71 5

Аl О

СаО 0,3-6,3

Na О 3,8 10,7

К О

9,2-1 6,7

В результате термической обработки все компоненты материала образуют стеклообразную Фазу- Это происходит до нанесения резистивного покрытия, Предварительное тщательное перемешивание компонентов и обработка при температуре плавления шихты позволяют достичь высокой гомогенизации материала.

Из полученного данным способом материала образуют известными методами резистивные элементы необходимой толщины и формы, после чего обработкой их при температурах выше 350 С в восстановительной газовой среде в течение заданного времени получают необходимый номинал сопротивления этих элементов.

Во время термической обработки стеклообразных резистивных элементов в восстановительной среде водород, обладая большой проникающей способностью, однородно распределяется по объему элементов и восста» навливает окислы свинца до металла в той

517054

SiO

Al О

Са0

54,5-7 1,5

О, 1-1,7

0,3 6,3

Pb О йа,,О

К О

5,3-30,0

3,8-10,7

9,2-16,7

Составитель -Т- Богдано огданова

РедактоР Б.федотов Те"Рек E Пе о а КорректоР отава

Изд. Ah / Я g

Тираж 963 Подписное

Заказ 6310

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Филиал ППП "Патент", r. Ужвзрод, ул. Проектная, 4 степени, какая необходима для получения заданной электропроводности элементов.

При этом свинец, находясь в атомарной или коллоидальной форме, хорошо распределяется по объему резистивного элемента, 5 что обеспечивает высокий выход годных резисторов в номинал и повышенную их надежность. Таким образом, регулируя температуру резистивных элементов и продолжительность о жига в водороде или другой вос-1О становительной газовой среде, можно с высокой воспроизводимостью получать необходимое электросопротивление этих элементов, При выходе элементов из номинала в бе 15 лее низкоомную область их можно подбгнать в номинал отжигoM в окислительной среде.

Б пленочном варианте резистивный материал и вышеописанная технология позволя 2р ют получать удельные сопротивления покры тий от 5-10 ом/кв до 100-150 KoM/кв и

ТКС от (2-3) 10 до (6-7)*10 @ град-1

Помимо этого на одном и том же материале можно перекрывать большой диапазон но-о5 миналов сопротивлений » от нескольких ом до десятков и сотен мего;;, Резистивный материал дает возможность получать из одного и того же материала резисторы с широким диапазоном номиналов сопротивлений при малой стоимости и срав нительно низких значениях ТКС, может при меняться для изготовиения толстопленочных и тонкопленочных резисторов широкого назначения. ф ормула изобретения

Резистивный материал на основе стекло образуюших окислов Si O, A l О, CaO, )

PbO, Na ОиК О, отли "ающий2 2 с я тем, что, с целью расширения диапазона номиналов и получения низких значений

ТКС, он содержит указанные компоненты в следующих количествах (вес, %):