Буферный каскад

Буферный каскад

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистинвских

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

{61) Лополиителвиоа к авт. свид-ву! (»i517085

/

= --«:/ (22) Заявлено 07.01,75 (21) 2093898/25.(51) М. Кл.п

И 01 I, 19/00

НОЗ К 19/08 с присоединением заявки № (23) ГФриоритет (43) Опубликоваио05.06.76Вюллетеаь. ЭЙ 21 (4б) Дата опубликования описании,:25.06.77

Тпеударствпкный кпмптет

6пвата Мппкптроп СССВ пп лпаам пзабрптвпнк

se пткрмтпй (Я) УДК 621.382 . (088.8) (72) Авторы изобретения

Ю. П. Деркач, В. П, Рева, А. M. Торчинский и Ов С. Фролов (71) Заявитель (54) БУФЕРНЫЙ КАСКАД

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в качестве буферного каскада в импульсных интегральных схемах, в частности, в схемах приборов с зарядовой связью (ПЗС). а

Известный буферный каскад, обладая высОким„входным импедансом и низким выходным, позволяет согласовывать высокий выходной нмпеданс различных схем. с низким импедансом нагрузки. Известны буферные lO каскады на однотипных бйполярнных или МДПтранзисторах, . на комплементарных парах

МДП-или биполярных транзисторов. Однако в ряде случаев более удобны схемы, содержащие одновременно и биполярные и МДП- 15 транзисторы.

В известном буферном каскаде использован эмиттерный повторитель на биполярном транэисторе, нагрузкой которого служит ял

МДП транзистор. Затвор МДП-транзистора соединен с шиной питания, на которую поданы тактовые импульсы, причем эмиттер биполярного транзистора присоединен к истоку

МДЯ -транзистора. 25

Недостатком этого устройства является потребление мощности во время подачи тактовых импульсов, что снижает экономичность схемы.

Цель изобретения ;повышение экономичности буферного каскада.

Поставленная пель достигается тем, что в буферном каскаде, содержащем МДП-транзистор и биполярный транзистор, эмиттер. .*оторого соединен с истоком МДП-транзистора, затвор МДП-транзистора соединен с базой биполярного.

На фиг. 1 приведена электрическая схема предложенного каскада; на фиг. 2 — реализация этой схемы на полупроводниковой подложке.

Буферный каскад содержит биполярный транзистор 1 и МДП-транзистор 2. Коллектором биполярного транзистора является по..7 лупроводниковая подложка 3, например, и типа проводимости, базой 4 — область р типа, эмиттером 5 — область тт -типа проводимости. Исток 6 и сток 7 образованы областями,Г -типа, между которыми на слое окисла 8 расположен затвор 9.

5170S5;

ЦНИИПИ Заказ 952/166 Тираж 977 Подписное

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Исток МДП-транзистора соединен с эмиттером биполярного транзистора и с выходной шиной 10. Затвор МДП-транзистора соединен. с базой биполярного и с входной шиной 11.

Ка сток МДПгранзистора подано отрицатель- и ное относительно подложки напряжение — Е.

Ори подаче на. вход. импульса отрицательной полярности открывается канал транзисто ра 2 и емкость нагрузки заряжается до на-,, пряжейия. (O > - U ), где 6„", — лоро- ® говое напряжение транзистора 2, илн до напряжения - E AAET если Us% - 0 Ъ Е„М.

При этом йереход эмиттер-база трайзистора 1 закрыт, и ток через этот транзистор . не течет.

Йри уменьшении напряжения на входе транзистор 2 запирается, открывается церелод эмиттер-база транзистора 1; емкость нагрузки разряжается эмиттерным током. . Таким образом, в любой момент времени открыт либо биполярный, либо МДП-транзис- тор и сквозной ток в их цепи отсутствует поэтому при работе иа емкостную нагрузку мощность рассеивается только в моменты цереключения.

Соединение базы биполярного транзистора с затвором МДП-транзисторе позволяет резко повысить экономичность буферного каскада, не повышая его выходного импеданса. Тем самьщ улучшается один из основных параметров интегральной схемы, в которой использован каскад: произведение быстродействия на рассеиваемую мощность. Реализация предложенного каскада не требует дополнительных технологических операций.

Формула изобретения

Буферный каскад, содержащий МДП-транзистор и биполярный транзистор, эмиттер которого присоединен и истоку МДП-транэис тора, отличающийся тем,что,с целью повышения экономичности каскада, затвор МДП-транзистора присоединен к базе биполярного транзистора.