Способ изготовления полупроводникового прибора

Способ изготовления полупроводникового прибора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

@АТЕпт;:;, ОПИС

6e бл,от

« (») 517279

АНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Сова Советских

Социалистимеских

Республик (И) Дополнительный к патенту (22) Заявлено 21.03.67 (21) 1143371/25 (23) Приоритет — (32) 23.03. 66

Р1) 1 837 О/66 Ф) Япония (43) Опубликовано05.06.76,Бюллетень № 2т (45) Дата опубликования описания 23.09.76 (51) М. Кл. Н Oll- 21/306

Государственный комитет

Совета Иикистроа СССР по делам изооретеиий и открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы Иностранцы изобретения Сигеру Арита, Ичизо Камеи и Томисабуро Окумура (Япония) (71) Заявитель

Иностранная фирма

"Мацушита Электроникс Корпорейшн" (Япония) (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Способ изготовления полупроводникового прибора.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть применено в процессе точного вытравливания структурных элементов прибора.

При изготовлении полупроводниковых при» боров подложку покрывают окисной пленкой, в которой формируют окна для получения элементов структуры, например путем диффузии фосфора, Диффузию проводят при нагревании в атмосфере кислорода, в результате чего на окисной пленке образуется пленка gi,0 Р О . Окисная пленка, со2 2 5 держашая фосфор обладает большей растворимостью при вытравливании окон по сравнению с чистой окисной пленкой Si, 0

При дальнейшем избирательном травлении нанесенных слоев пленка Вl 0 ° P О под- о

2 2 5 вергается боковому травлению.

Известен способ, согласно которому на полупроводниковую подложку наносят слои

Si О и SiО Р О . Для формирова»

2 2 2 5

25 ния окон в нанесенных слоях, используя фотолитографию, оба слоя одновременно на чинают травить раствором Р-травителя.

Для Si0 травление происходит со скоростью 2 /сек, а для 310 РΠ— со

0 скоростью 600 А/сек. Так как скорости травления слоев разные, после завершения травления слоя $i. 0 P О слой Я О необходимо продолжать травить, поэтому развивается процесс бокового вытравливания пленки 310 Р О между пленкой фото2 2 5 резиста и пленкой 310 . Известным способом невозможно получить окна с точной конфигурацией в слоях, нанесенных на подложку.

11ель изобретения - достижение точных размеров окон, формируемых в слоях материалов, наносимых на полупроводниковую подложку.

Поставленная цель достигается тем, что в нанесенном на подложку первом слое с меньшей скоростью растворе«ия, напри5" 7279 мер $ aO вытравливают окно, наносят

2 второй слой с большей растворимостью, например 81 Р20, после чего его стравливают, используя фотолитографию, над окнами в первом слое.

На фиг. 1 показана полупроводниковая подложка 1 с нанесенным на нее слоем с малой растворимостью. В слое сформировано окно.

На фиг, 2 показана структура, получен1 ная нанесением слоя 2 (фиг.1) и слоя 3, обладающего большей растворимостью.

На фиг, 3 показана структура с нанесенным слоем фоторезиста 4 в котором ф мировано окно, повторяющее конфигурацию слоя 2

На фиг 4 ф, 4 показана структура с окном, выполненным в нанесенных слоях 2 3

Пример. Кремниевую монокристаллическ ю по у подложку ртипа, имеющую сопротивление 500 ом/см, нагревают и выдерживают при температуре 1 200 С в течение

2,5 час в сухой атмосфере кислорода, в результате чего на подложке образуется слой

gLO толщиной 0,3 мкм, В окисной пленке, используя фотолитограф ю ф и, формируют окно заданной конфигурации, 3атем полученную структуру нагревают в атмосфере кислорода, содержащей фосфор, в результате чего на структуре формируется окисная плен"ка, содержащая фосфор ЯьO " P О

2 2 5 шиной 0,05 мкм. Используя фотолитографию, слой Я О ° Р О вытравливают

2 2 5 из окна, сформированного в слое Я О

2э использованием Р-травителя, состоящего из

15 ч, плавиковой кислоты., 10 ч. азотной

О кислоты и 300 ч. воды.. ф ормула изобретения

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий нанесение на полупроводниковую подложку, по крайней мере, двул слоев, например Я О и Я О Р О

2 2 2 5 с различной скоростью растворения и формирование окон в нанесенных слоях, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью увеличения точности размеров формируемых окон, в нанесенном на подложку первом слое с меньшей скоростью растворения наприме

3 L 02, вытравливают окно, наносят Второи слой с большей растворимостью, например 3iO Р О, после чего его страв2 5 ливают, используя фотолитографию, над окнами в первом слое.

Составитель )3. ." „- уния

Редактор Т.Орловская Техред E.Петрсва

Корректор F.Рожкова

Изд. ¹ /g, g

Тираж 963 Подписное

Заказ Я3 "«0

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и QTKpbkT«kkf

Москва, 113035, Раушская наб., 4