Фотоэлектрический эмиттер

Фотоэлектрический эмиттер

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАН:—

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Респубпии (11)I 51904 2

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (51) М. Кл. (22) Заявлено 2105.74 (21) 2025744/25

H 01 J 39/06 с присоединением заявки РЙ (23) Приоритет— (43) Опубликовано 250778. Бюллетень pk 27 (45) Дата опубликования описания 080678

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений . и открытий (53) УДК 621 ° 385. .032 (088.8) (72) Авторы

ИЗОбрЕтЕНИя А ° И ° KëèMHH, А.А.Мостовский и P.Ë.Íåì÷Èíoê (71) Заявитель (54) ФОТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭМИТТЕР

Формула изобретения

3) Фотоэлектронный эмиттер, чувствительный в оптическом диапазоне/ длин волн светового излучения, содержащий основу из полупроводникового материала с дырочной проводимостью

25 и покрытие из щелочного металла и кислорода, .активирующее поверхность

:основы до состояния отрицательного электронного сродства, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повы30 шения термической устойчивости и

Изобретение относится к эмиттерам электронов, работающим в высоком вакууме, в частности к фотокато. дам, и используется в технологии вакуумных фотоэлементов и фотоумножителей.

Известен фотоэлектронный эмиттер

На, ОСнове твеРДого Раствора ЭПАФА„Р, „

Щ.

Однако в известных эмиттерах наблюдается сублимация его компонентов в вакууме при более низких температурах, чем достаточные для надежной очистки его поверхности.

Известен также фотоэлектронный эмиттер, чувствительный s оптическом диапазоне длин волн светового излучения, содержащий основу из полупроводникового материала с дырочной проводимостью и покрытие из щелочного металла и кислорода, активирующей поверхность основы до состояния отрицательного электронного сродства (2f .

Однако этот эмиттер имеет неоднородную основу, что приводит к уху 1 шению характеристик из-за недостаточной,.устойчивости основы к темпе- . ратурным воздействиям.

Цель изобретения — повышение термической устойчивости и однородности основы эмиттера.

5 Для этого основ выполнена иэ полупроводниковых соединений типа

A В С

Фотоэлектронный эмиттер, выпол10 ненный на основе соединений типа

A В" С1, напримерЪ бврд, обладает более высокой однородностью и возможностью длительного воздействия повышенной температуры при очистке

15 его основы.

519042 а, Составитель В. Белоконь Текред A.Богдан Корректор Н.Ковалева

Редактор Л.Письман

Тираж 960 Подписное

Государственного коии ета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва, 3L -35; Раувк:кая наб.,д.4/5

Заказ 3945/1

ЦНИИПИ алкал llOD Патент > г.Ужгород, ул.Проектная,4 однородности, основа выполнена иэ полупроводниковых соединений A В С

2 4 6

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе; ф

1.ВеИ Я.Е.,$р сег чч.Е. Ргoceed. JEEE, 3970,ч.58, лl 4, р <728.

2. Заявка ФРГ 9 1256808, кл.

21 g 29/20; 1970.