Устройство для измерения составляющей градиента магнитного поля

Устройство для измерения составляющей градиента магнитного поля

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1 : ..-:есиъа * ",н.. :4F.;.h

ОПИС

ИЗОБРЕТЕНИЯ

11 11 519658

Сове Советских

Социалистичесиь.".. рессуолик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 03.01.74 (21) 1984807/21 с присоединением заявки е (23) Приоритет

Опубликовано 30.06.76. Бюллетень Х 24

Дата опубликования описания 19.07.76 (51) М. Кл. G 01 ЗЗ/06

G 01В 33/10

Государственный комитет

Совета Министров СССР

h6 аееам изобретений н OTKpIITNH (53) УДК 621.317.4 (088,8) (72) Авторы изобретения И. С. Левитас, Ю. К. Пожела, К. К. Сталерайтис и Н. Ю. Янавичене

Институт физики полупроводников АН Литовской ССР (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ

СОСТАВЛЯЮЩЕЙ ГРАДИЕНТА МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Формула изобретения

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения составляющей градиента магнитного поля.

Известно устройство для измерения составляющей градиента магнитного поля, содержащее два потокочувствительных полупроводниковых элемента, соединенных последовательно с источником питания и параллельно выходному прибору (11.

Цель изобретения — повышение чувствительности, Это достигается тем, что предлагаемое устройство снабжено резистором, включенным последовательно с потокочувствительными элементами, одна грань каждого из которых выполнена с областью, имеющей повышенную по сравнению со всем элементом скорость рекомбинации носителей тока, а элементы ориентированы так, что указанные грани расположены на противоположных сторонах потокочувствительных элементов.

На чертеже показана схема предлагаемого устр ойств а.

Устройство состоит из источника 1 питания, к выходу которого подключены последовательно соединенные резистор 2 и два потокочувствительных полупроводниковых элемента 3 и 4, содержащие области 5 и 6 с большой скоростью рекомбинации носителей тока, и выходного прибора 7, подключенного параллельно элементам 3 и 4, причем указанные элементы расположены таким образом, что силы Лоренца в элементах различно ориентированы относительно областей 5 и 6.

5 Устройство работает следующим образом.

При помещении полупроводниковых элементов 3 и 4 в исследуемое магнитное поле сопротиьление последних изменяется, причем, благодаря указанной ориентации областей 5

10 и б элементов, сопротивление одного увеличивается, а другого уменьшается. В случае наличия градиента исследуемого поля изменение сопротивлений элементов 3 и 4 различное, что и регистрируется прибором 7.

Устройство для измерения составляющей

20 градиента магнитного поля, содержащее два потокочувствительных полупроводниковых элемента, соединенных последовательно с источником питания и параллельно выходному прибору, отличающееся тем, что, с целью

25 повышения чувствительности, оно снабжено резистором, включенным последовательно с потокочувствитель ными элементами, одна грань каждого из которых выполнена с областью, имеющей повышенную по сравнению со

30 все;,t;-лсментом скорость рекомбинации носи