Негативный фоторезист

Негативный фоторезист

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(61) Дополнительное к авт. Свид-ву(22) Заявлено27.08.74 (21) 2055519/04 с присоединением заявки № (51) М. Кл.

G03 С 1/52

Гщ4а ат68нйВВ жанймт йавта йажапи ЯР аО дВлжи изоцрВБеа

И ИХРЫпВ (23) Приоритет— ! (43) Опубликовано 05.07,76.ÁâëëàTåèü №25

1 (45) Лата опубликования описания 29.09.76 (Я) f_#_ 771.5 (088.8) Т. А. Ирре, H. К. Скворцов, Q. Н. Орлова, H. A. Семеркина и A.B. Ельцов (72) Авторы

ИЗООРЕТЕНИЯ

Ленинградский ордена Трудового Красного Знамени технологический институт им. Ленсовета (54) НЕГАТИВИЫЙ ФОТОРЕЗИСТ

Изобретение относится к радиоэлектронике, В частности к полупроводниковой техни ке, Известен p1) фоторезист, светочувствитед"-ный слОЙ котОрогО В качестве светочувстВитель ной КОмпоиенты содержит ароматичес кие диазиды, а в качестве полимерной осноВы — кау vKB с двойными связями.

ИзВестен 2$ также негативный фоторе зист„вкдзу%ающий подлОжку и светОчувстВН 1О тельный слой, содержаший в качестве полимерной ocHoBhI впоксидированный циклокаучук, а В качестве светочувствительной компоненты ароматический азид, например 2,6-бис-(4-азндобензилиден) -4-метилциклогек- И

CGHOH.

Однако применение етого фотОрезиста не позволяет седективно пегировать полупровод.никовые пластины фосфором. 2О

П жь изобретения — селективное дегирование полупроводниковых пластин Йюс@ором чостигаеся тем ч-;о В качес рве ароматн ч еского азина слой сОдержит три или ди арилазрд фосфиноксида,, например Окись три- 25

-(м-азидофенид) -фосфина, в количестве 0,55,0 Вес.%„в пересчете на сухой полимер.

Ддя изготовления негативного @oTopeзиста зпоксидированный цикдОкаучук pGcTBo» ряют при перемешивании в неподярном растворителе, например Q-оксидоде, при комнатной теыпературе и в подученный раствор в темноте добавляют светочувствительную

КОМПОНЕНТУ.

Такое проведение процесса позволяет исключить Операцию травления полупроводниковых пластин, которая дает наибольший процент брака при изготовлении полупроводНИКОВЫХ ЗЛЕМЕЬТОВ.

Л р и м е р 1. Окись три-(м-азидофенил) -4о=финау я, к 2 55 нм, (2, 0-590 г) и зцоксидированный каучук (3,8% эпоксигрупп, 100-100 г) растворяют в о-оксилоле, (1000-1000 мд) и полученный светочувствительный cocTGB нанОсят HG пОДо ложку дентрифугированием, сушат при 60 С, облучают через диапозитивный монтаж УФчуюами (лампа дрЩ-250) засвечивают и проявдпот путем обработки проявителемксилолом или уайт-спиритом(1000-2000мл).

520559

2. Авторское свидетельство СССР

¹ 211317, кл. 6 03С i/52, 1968.

Составитель А. Мартыненко

Редактор Т. Шарганова Техред И. Ковач Корректор Д. Мельниченко

Заказ 4886/185 Тираж 551 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Диффузию проводят при 1300 С в течьо ние 4 час на воздухе в пластины p— - Si c, 50 ом. см. Полученный 1 - П переход имел вольт-амперную характеристику, близкую к теоретической, и время жизни 10 мксек.

Разброс величин поверхностной концентрации на пластинах диаметром 30 мм не превышает 20%. Поверхностная концентрация

10 15- 10-18 в зависимости от концентрации ароматического азида и режима диффу- Е зии.

Пример 2. Проводят те же операции, что и в примере 1, но используют эпоксидированный циклокаучук, содержащий 2,6% эпоксигрупп. l5

Пример 3. Поступают, как в примере 1, но применяют окись метил-ди-(м-азидофенил)-фосфина Л акс 252 нм (0,51,0 г).

Пример 4. Проводят опыт, как в ЯФ примере 3, но используют циклокаучук, содержащий 2,6% эпоксигрупп.

Негативный фоторезист, включающий подложку и светочувствительный слой, содержащий в качестве полимерной основы эцоксидированный циклокаучук, а и качестве светочувствительной компоненты ароматическийазид, отличающийся тем, что, с целью селективного легирования полупроводниковых пластин фосфором, в качестве ароматического азида слой содержит три- или диарилазид фосфиноксида, например окись три-(м-азидофенил)-фосфина, в количестве 0,5-5,0 вес.% в пересчете на сухой полимер.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США ¹ 3679670, кл. 96-98, 1972.