Способ определения облученности пленок фоторезистов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Сооетскии

Социалистичвснии

Республик (11) . -) --т (1(б1) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 20.06.72 {21) 1802012/04 (51) М. Кл и

G O3 С 7/12 с присоединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изооретений и открытий (23) Приоритет(43) Опубликовано 05.07.76,Бюллетень М 25 (46) Дата опубликования описания 29.09.76 (53) НЖ 771.5 (088,8) Э. В. Микулин, В. И. Гикало, Б. Я. Писной и Т. П. Федоренко (72) Авторы иэобретения

Всесоюзный научно-исследовательский и проектный институт химической промышленности (7!) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБЛУЧЕННОСТИ ПЛЕНОК

Ф

ФОТОРЕЗИСТОВ

Ф

Изобретение относится к технологии изготовления печатных форм и изделий с при ленением фоторезистов.

Известен способ определения облученнос ; ти пленок фоторезистов актиничным излу- чением с помощью автоматического экспози1метра.

Такой способ нельзя использовать в условиях нестабильных потока актиничного излучения и интегральной чувствительности фото-1О ,резистов.

С целью устранения этого недостатка по предлагаемому способу измеряют электри»

:ческую проводимость экспонированной плен ки на фиксированной частоте от 1 до 5 мгц )5 !

;при давлении электродов на образец от 0,2 до 1 кгс/см, плошали электродов 3,14см2

|и нормальных атмосферных условиях, по ве» личине которой судят о степени облученности пленок фоторезистов. 20

Пример. Формируют на проводящей подложке субмикронную светочувствительную ,пленку для типоофсетной печати из фоторе1 зиста марки С6 на основе смешанных полиамидов. На универсальном диэлектрометре 2Ь

2 типа GH 301 (ВНР) измеряют электричес,кие параметры пленки (см. таблицу) в про1цессе ее экспонирования актиничкым излучением лампы ДРШ-500 в следующих усло» !

;виях: частота 3 мгц, давление электродов та образец 0,55 кгс/см2, плошадь электро дов 3,14 см2, температура окружающей

1 о среды 20 С, атмосферное давление 755 мм рт.ст., влажность воздуха в помешении S59o.

Толщину пленки измеряют на интерферометре марки МИИ-4 после экспонирования ее и проявления рельефа.

Изменения электрических параметров пленки фоторезиста марки С6 после экспо» нирования ее различной облученностью акти- ничного света и толщины ее после экспони рования, проявления и сушки рельефа показа» ны в табл.тпе.

Как видно из таблицы., при изменении экс .позиции в диапазоне А1.g H -2,1 величина1а изменяется в 4,5 раза, величина электри ,ческой емкости С вЂ” в 1,3 раза, величина проводимости б — в 7,3 раза и tg угла диэлектрических потерь - a 5,5 раза.

520561

Составитель А. Мартыненко

Редактор 3. Бородкина Техред И. Ковач Корректор Д. Мельниченко

Заказ 4886/185 Тираж 551 Подписное

ЦНИИИИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал П1Ц1 "Патент", г. Ужгород, ул. Г!роектная, 4

Таким образом, определение облученнос- ) ти пленок фоторезистов актиничным излучеФормула изобретения )

Способ определения облученности пленок, фоторезистов при экспонировании их актиничным излучением, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения эффективности контроля облученности в условиях нестабильных потока актиничного излуче-! нием наиболее эффективно по электрощъвод"! ности. ния и интегральной чувствительности фото,резистов, измеряют электрическую проводимость экспонированной пленки на фиксиро ванной частоте от 1 до 5 мгц при давлении электродов на образец от О,2 до кгс см, площади электродов 3,14 см2 и нормальных атмосферных условиях.