Способ формирования электрофотографического изображения на системе фотополупроводник-диэлектрик

Способ формирования электрофотографического изображения на системе фотополупроводник-диэлектрик

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОЬЕЕтЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

Союз Советских

Соцееалмстммеских

Расвублмк (11) 522825 (61) Дополнительный к патенту— (22) Заявлено 05.08.68 (21) 1261580/12 (23) Приоритет — (32) 05.08.67

2 (51) М. Кл.

G 03 G 13/22

Гасударственный комитет

Сеавтв Министров СССР вв делам изобретений н открытий (31) 50222/67 (33) Япония (43) Опубликовано 25.07.76. Бюллетень № 27 (45) Дата опубликования описания 21.12.76 (53) УДК 772 93(088.8) Иностранцы

Гиичи Марусима, Хироси Танака, Умв Тосака, Синкичи Такахаси, Такэхико Мацуо, Такао Комия и Тецуо Хасэгава (Япония) Иностранная фирма

"Канон Камера К Лимитед" (Япония) (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ

НА СИСТЕМЕ ФОТОПОЛУПРОВОДНИК вЂ” ДИЭЛЕКТРИК

Изобретение относится к способам формирования электрофотографического изображения на системе фотополупроводник — диэлектрик для получения как скрытых, так и проявленных изображений в электрофотографии.

Известен способ формирования электрофотографического изображения на системе фотополупро— водник — диэлектрик, заключающийся в первичной равномерной электризации системы, проецировании изображения на упомянутую систему, вторичной электризации системы и равномерном экспонировании ее.

Целью изобретения является повышение контрастности открьпого изображения.

Это достигается за счет осуществления операции повторной электризации одновременно с проецированием, причем знак зарядов противоположен знаку зарядов первичной электризации.

Система фотополупроводник — диэлектрик состоит из диэлектрического слоя толщиной 10 — 50 мкм, выполненного из смол, стойких к истиранию, обладающих большим удельным сопротивлением, прозрачных и способных удерживать электростатический заряд, например смол фтористого винила, поликарбоната, полиэтилена и т.д., слоя фотополупроводника, например неорганического селенида, кадмия, окиси цинка, металлического селена, сульфида кадмия, аморфчого селена, сульфида цинка, двуокиси титана, селен таллура, окиси свинца, серы, либо органического — карбазола или антрацена.

Система может быть нанесена на подложку, в качестве которой используют проводники — олово, медь, алюминий. Может быль использована и бумага.

10 На диэлектрический слой может быль нанесена масляная пленка.

Способ заключается в равномерном заряжении системы положительными зарядами для фотополупроводника Ь1 — типа и отрицательными, для фо15 тополупроводника P — типа.

Проецирование изображения осуществляют одновременно с повторной электризацией зарядами противоположной полярности. Заряд первичной электризации нейтрализуются зарядами вторич20 ной электризации в участках, соответствующих элементам изображения. На неэкспонируемых участках нейтрализация происходит лишь частично.

Таким образом, результирующий заряд полярности вторичной электризации на поверхности ди522825

Составитель О. Волощенко

Техред Н АндРейчУк

Корректор g. Мельниченко

Подписное

Редактор E. Кравцова

Тираж 575

Заказ 4551/314

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 электрического слоя больше в местах, соответствующих изображению, чем на пробельных участках.

Но заряд, который индуцируется в фотополупроводниковом слое, в пробельных участках ослабляет внешнее электрическое поле диэлектрического слоя. В неэкспонированных участках заряды, индуцированные фотополупроводниковым слоем, совпадают по знаку с зарядами вторичной электризации, в результате чего внешнее электрическое поле в этих участках усиливается.

Если теперь систему фотополупроводник — диэлектрик поместить в темное место, поверхностный потенциал диэлектрического слоя в неэкспонированных участках в течение некоторого времени резко уменьшится по сравнению с потенциалом в экспонированных участках. С целью ускорения этого процесса всю поверхность системы подвергают воздействию электромагнитного излучения, к которому чувствительна система.

После воздействия этого излучения удерживаемые внутри системы отрицательные заряды уходят в проводящую подложку, усиливая контрастность изображения.

Полученное скрытое электростатическое изображение может быть проявлено, перенесено на воспринимающий материал и закреплено, а система очищена от остатков проявителя известными способами.

Формула изобретения

1. Способ формирования электрофотографического изображения на системе фотополупрсводник — диэлектрик, заключающийся в первичной равномерной электризации системы, проецировании изображения на упомянутую систему, вторичной электризации системы и равномерном экспонировании ее электромагнитным излучением, к которому чувствителен фотополупроводниковый слой, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения контрастности открытого изображения, вторичную электризацию осуществляют зарядом, противоположным по знаку зарядам первичной электризации, одновременно с проецированием.

2. Способпоп. 1, отличающийся тем,что на диэлектрический слой наносят масляную пленку.

3. Способно п. 1, от л ич а ю щи и с я тем,что полупроводниковый слой наносят на проводящую подложку.

4. Способ поп. 1, отлича ю щи йс я тем,что в качестве диэлектрического слоя применяют смолы, например, фторэтилена, полиэфира.

5. Способ поп. 1, отличающийся тем,что полученное скрытое электростатическое изображе20 ние проявляют, переносят на воспринимающий материал, закрепляют полученное изображение и очищают систему фотополупроводник — диэлектрик, 6.Способно|1. 1,QT Nчаi0Ul,HЙCR ICM, IT0

25 первичный заряд имеет положительную полярность, а фотопроводник проявляет проводимость ф — типа.

7. Способ пои. 1, отличаю щи и ся тем,что первичный заряд имеет отрицательную полярность, а фотолроводник проявляет проводимость Р— типа.

8. Способ по пп. 1, б и 7, отличаю щий ся тем, что при перви гной электризации заряд, противоположный к первичной электризации полярности, инжектируют в область, расположенную у границы мемеду фотолроводником и диэлектриком,