Усилитель-формирователь импульсов на мдп транзисторах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ ьоюа Ооветскик

9оциалистическик

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.04.74 (21) 2015368/21 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.08.76. Бюллетень № 30

Дата опубликования описания 06.12.76 (51) М Кл з Н ОЗК 19/08

Н ОЗК 5/01

Государственный комитет

Совета Министров СССР ао делам изобретений и открытий (53) УДК 621.374.91 (088.8) (72) Автор изобретения

А. Г. Солод (71) Заявитель (54) УСИЛИТЕЛЬ-ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ

НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в устройствах автоматики и вычислительной техники.

Известен усилитель-формирователь импульсов на МДП-транзисторах, содержащий входной и выходной выводы, источник питания, инвертор с токостабилизирующей нагрузкой и дополнительным транзистором, включенным последовательно с нагрузочным транзистором, двухтактпый усилитель-формирователь, инвертирующий и неинвертирующий входы которого подключены к входу и выходу инвертора с токостабилизирующей нагрузкой, и первый накопительный конденсатор, включенный между выходом двухтактного усилителяформирователя, соединенным с выходным выводом и средней точкой дополнительного и нагрузочного транзисторов (1).

Однако известный усилитель имеет, сравнительно небольшую амплитуду выходных импульсов.

С целью увеличения амплитуды выходных импульсов усилителя-формирователя в него введен зарядный транзистор и второй накопительный конденсатор, причем затвор и сток зарядного транзистора объединены и подключены к полюсу источника питания, à его исток соединен с одной обкладкой второго накопительного конденсатора и затвором дополнительного транзистора, другая обкладка второго накопительного конденсатора подключена к входу инвертора с токостабилизирующей нагрузкой, инвертирующему:входу двухтактного усилителя-формирователя и входному

5 выводу.

На чертеже приведена принципиальная электрическая :схема предлагаемого усилителя-формирователя.

Усилитель-формирователь импульсов на

Io МДП транзисторах содержит входной и выходной выводы 1 и 2 соответственно, источник питания (на чертеже не показан), инвертор на транзисторе 3 с токостабилизирующей нагрузкой, выполненной на транзисторе 4, и до15 полнительным транзистором 5, включенным последовательно с транзистором 4, двухтактный усилитель-формирователь на транзисторах 6 и 7, инвертирующий и неинвертирующий входы которого подключены к входу и

20 выходу ин вертора на транзисторе 3, и первый накопительный конденсатор 8, включенный между выходом двухтактного усилителя-формирователя:и средней точкой дополнительного и нагрузочного транзисторов 4 и 5 соответ25 ственно.

Затвор и сток зарядного транзистора 9 объединены и подключены к полюсу источника питания, а его исток соединен с одной обкладкой;второго накопительного конденсато30 ра 10 и затвором дополнительного транзисто525247 ра 5, другая обкладка накопительного конденсатора 10 подключена к затвору транзистора 3, затвору транзистора 7 и входному выводу 1.

Усилитель-формирователь импульсов на

МДП транзисторах работает следующим образом.

В момент подачи на входной вывод 1 нулевого потенциала накопительный конденсатор 10 заряжается через транзистор 9 до напряжения Š— Uo, где Uo — пороговое напряжение МДП-транзистора, в результате чего на верхней обкладке накопительного конденсатора 10 устанавливается потенциал Е

Uo.

С приходом на входной вывод 1 импульса открываются транзисторы 3 и 7. На правой обкладке накопительного конденсатора 8 и на выходном выводе 2 устанавливаются потенциалы, близкие к нулевому, а на верхней обкладке конденсатора 10 напряжение возраСТЯЕТ ДО урОВНЯ, раВНОГО 7вх+7-»т — Up где U — амплитуда входных импульсов, при этом напряжение на верхней обкладке конденсатора 10 превышает напряжение питания, благодаря чему накопительный конденсатор

8 заряжается до уровня Em«, а конденсатор

11 — до напряжения Е,,— Up. На верх ней обкладке конденсатора 10 устанавливается поТЕНЦИЯЛ Увх+Е»т — Up, На ЛЕВОЙ ОбКЛЯДКЕ конденсатора 11 — Е,— Uo, на правой о бкладке конденсатора 8 — Е „„на выходном выводе †ну.

С приходом на входной вывод 1 нулевого потенциала транзисторы 3 и 7 закрываются.

На выходном, выводе 2 повышается потенциал, благодаря накопленному заряду на конденсаторе 11 повышается потенциал на его леВОЙ обкладке, т. е. С + Еппт — Up, где потенциал на выходном выводе 2.

При достижении на выходном .выводе 2 потенциала, равного пороговому, открывается транзистор 6, начинает повышаться потенциал левой обкладки конденсатора 8, а благодаря накопленному заряду на конденсаторе

8, повышается;потенциал средней точки соединения нагрузочного и дополнительного транзисторов 4 и 5. Транзистор 5 закрывается, так как на левой обкладке конденсатора 8 потенциал равен Uo+E»<, а на верхней обкладке конденсатора 10 потенциал равен

Епит 7о.

В установившемся режиме потенциалы равны: на левой обкладке конденсатора 8 и .на выходном выводе 2 — 2Em«, на левой обкладке конденсатора 11 — ЗЕ,„, — Uo, на правой об5

КЛЯДКЕ КОНДЕНСЯТОРЯ 8 — Еппт.

Таким образом, при работе на активную нагрузку амплитуда .импульсов, формируемых формирователем, равна 2Е,„,. При работе усилителя-формирователя на емкостную нагрузку амплитуда выходных импульсов определяется выражением у 2ЕпитС

С+ С„

15 где С вЂ” емкость конденсатора 8;

Сп — емкость нагрузки.

Формула изобретения

Усилитель-формирователь импульсов на

МДП транзисторах, содержащий:входной и выходной выводы, источник питания, инвертор с токостабилизирующей нагрузкой и дополнительным транзистором, включен ным последовательно с .нагрузочным транзистором, двухтактный усилитель-формирователь, инвертирующий и неинвертирующий входы которого подключены к входу и выходу инвертора с токостабилизирующей нагрузкой и первый накопительный конденсатор, включенный между выходом двухтактного усилителяформирователя, соединенным с выходным выводом и средней точкой дополнительного и нагрузочного транзисторов, о т л и ч а ю щ и йся тем, что, с целью увеличения амплитуды выходных импульсов, в него введены зарядный транзистор и второй накопительный конденсатор, причем затвор и сток зарядного

40 транзистора объединены и подключены к полюсу источника питания, его исток соединен с одной обкладкой, второго 1накопительного конденсатора и затвором дополнительного транзистора, другая обкладка второго нако45 пительного конденсатора подключена ко входу инвертора с токостабилизирующей нагрузкой, инвертирующему входу двухтактногоусилителя-формирователя и входному выводу.

Источники и нформации, принятые во вни50 мание при экспертизе:

1. а. с. № 420125, кл. Н ОЗК 19/08 от

11.02.72 r. (прототип).

525247

Составитель Ю. Еркин

Техред В. Рыбакова

Корректор Н. Аук

Редактор Т. Янова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 2319/2 Изд. № 1620 Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5