Термопреобразователь

Термопреобразователь

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (1 >)15 27607 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02.06.75 (21) 2142400/10 .c присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.09.76. Бюллетень № 33 (45) Дата опубликования описания 20.06.77 (И) М. Кл. .G 01 К 7/16

Государственный номнтет

Совета Министров CCCP оо делам изобретений и открытий (53) УДК

53653 (088.8) В. П. Будянов, А. И. Кривоносов и А. В. Клопоцкий (72) Р вторы изобретения (71) Заявитель

Московский ордена Трудового Красного Знамени инженериостроительньгй институт им. В. В. Куйбьппева (54) ТЕРМОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Изобретение относится к области температурных измерений, а точнее к термопреобразователям, преобразующим температуру в частоту, и может быль использовано в системах автоматического контроля и регулирования различных технологических процессов, а также в системах кодирования.

Известны термопреобразователи, преобразую. щие температуру в частоту на основе триггерных ехем, включающих два транзистора с емкостными связями и термочувствительными элементами в коллекторно-базовых цепях (1) и (2). Однако они обладают невысокой термостаоильностью и невозможностью получения релейной частотной характеристики.

Известен также термопреобразователь (3), состоящий иэ мультивибратора на двух транзисторах типа р-и-р с коллекторно-базовыми связами, двумя времязадающими конденсаторами, источником питания и термодиодом в качестве чувствительного элемента. Однако он также обладает низкой термостабильностью и невозможностью получения релейной частотной характеристики.

Цель изобретения - увеличение термостабильности схемы и получение релейной частотной характеристики, Эта цель достигается за счет того, чтов гермопреобразователь введены две цепочки, казкдая из которых состоит иэ однопереходного транзистора с каналом Р типа, диода, включенного в прямом направлении между первой базой и эмиттером однопереходного транзистора, дополнительного конденсатора, одна обкладка которого соединена с коллектором основного транзистора, а другая-с первой базой однопереходного транзистора, и дополнительный транзистор типа п-р-п, коллектор

1О которого соединен с плюсовой клеммой источника питания, между базой и коллектором которого включен в прямом направлении термодиод, являющийся чувствительным элементом, а между базой и эмиттером включен делитель, состоящий иэ переи менного и дополнительного резистора, средняя точка которого подключена к минусовой клемме источника питания, причем эмиттер однопереходного транзистора соединен с базой второго основного транзистора, а вторая база через переменный резистор совместно с коллекторно-базовыми сопротивлениями мультивибратора соединена с эмиттером дополнительного транзистора.

На чертеже представлена схема термопреобразователя.

Термопреобразователь содержит основные

>. 27607

1 1

ПП11Н1ПП Заказ 642/22

1ЯРа® 814

Паа иеное

Филиал ППП "Патент", г. Укроп, ул. Проектная, 4

T pall э11 ст0рь1 1 H, 0 CII(l a El hie I; OHXIC IICaTOphi 3 II 4, резисторы кпллскторпон нагрузки э и 6, раэряцные реэпсторы 7 н 8, допол,<опденсаторы 9 н

10, одноперехоцные трэн,;IcTop»r! 1 и 12, диоды 13 и 14, перемспн1яе резисторы 15 и 16. дополнительньп1 транзистор и-/l-и 17„термоднад 18, до!10пнительный резистор 19„псреь1снный1 резистор 20 и источник п11тини11 21.

TeprnoI1peoopaaoEIaTeIi» ргнэ0тает спедунлцимобризом.

11араметры pl13pFIIIIIoй цспп 3„7 II 4,8 Определяют максимальн ю гастоту гспс1эа1ц1п. Диоды 13 и 14 термокомпенснр ют схему Ilo обратным токаи запертых TpallallcTopoв li обеспгип1вают зар11д кондеп« :сат0110н 9 и 1Î lIpIiMepIIo до 0дипак0вого уровня с основными к-1и" нсаторамн ". и 4, Однапс11ех01нтые транзисторы 11 и 12 I! процессе 1абаты схсмМ: акпюча10тся только в том с11;ч11е, если 11аппях1етя1е

KoEIx1eHcBTopoB .з, 4 II 9„.1Г1 Ьольц1е напряжелия перек1ноче1пы транэнстогГЯ1 1 1 Il 12.

Узсп, сос10ятций нз palnIICTopa 17, термо- днода 18, переменного реэнс10ра 20 л дап0.1ппетельНОГО рсэ3кт0ра 19> нэмспяст,Гп0вепь на111эямГ :EIETFT заряда xolixxelzcaTopoh 3,4 н 9„10 в функцтп1 -гемпературы контролируемой среды, воп1рн1п1мае11ай тсрмодиодом 18, Если транэпсторь1 и процессе раGoTbI EIe нклю IaioTcFI, To lacToXa Генерян11н мяксимапы13 и ОпррсцелЯехсЯ пйоаме срами иэи1ЦНОЙ

IIeIIEF 3, / и 4,, 8. HplE вкл!эчс111гн тргц1эист01зсв 1 1,12

«асТоха генератора мниимээ1ьпа, Тсрмообряэонзте11ь пмест 1эслс.111ун1 гастотлую хардкте1Я1с111ку D фу1пец1Н1 тсх1нспатуры к0НTpo5A.pye>loII cp(ды прн у)1ри1111 „-ппп 110 урсц1н{э пгн111яжен11Я эа1)ядэ к011дспсат0П011.

Фармула пэ01зрстсния

ТеР IOIIPC05;Fa IoilaTCIIh, cocT0111111 É 110;h1У11ьти. и1161затора 1п1 двух транзисторах ттпа р-н-р с коллекторно-базовь1ми связями, двумя времяэадаю.

1цнми конденсаторами, источником питания и термоднодом в качестве чувствительного элемента, от л и ч а ю 1ц и и с я .тем, что, с целью увеличения термостабильности схемы н получения релейной частотной характеристики, в него введены две цепочки, каждая из которых состоит из однопереходного транзистора с каналом Р типа, диода, включенного s прямом направлении между первой базой и

1О змиттером однопереходного транзистора, дополнительного конденсатора, одна обкладка которого соединена с коллектором основного транзистора, а: другая - с первой базой одтопереходного транзистора, и дополнительный транзистор типа п-р-п, y,, коллектор которого соединен с плюсовой клеммой источника питания, между базой и коллектором которого включен в прямом направлении терыо щод, являютпнйся чувствительным элементам, а между базой и змиттером включен делитель, эр состоя1пнй пз переменного и дополнительного резксгора, средняя точка которого подклкиена к минусовой клемме . нсющнтка питания, причем монтер Однакреходного туанзистора соединен с

Вазой второго Основного. транзистора, а вторая база через перевранный резистор. совместно с коллекторно-базовьшн сопртотнвленнями мультивнбратора соедииий с змигтвдом дополнительного транзистора, д Источники информации, принятые во внимание при зксттертизе.

1. Авторское свидетельство СССР У 210423, кл. 6 01 К 7/16, 18 01.67.

2. Кривоносов А.И. "Полупроводниковые дат8и. чики температуры нвд. "Энергия", М., 1974.

3. Буданов Б.П., Кривоиосов А. И Преобразователь температуры в частоту","Приборы и системы птравлеиия", 1967, М 1, с. 43-44.