Полупроводниковая линия задержки

Полупроводниковая линия задержки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ<и

ИЗОБРЕТЕНИЯ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) 3 »IeHo 05.07,74 (21) 2040548/24 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 05 0976 Бюллетень № 33 (45) Дата опубликования описания 08,07.77 (5>) > > C» С11/40

Н 03 Н 7/30

Государственный номнтет

Совета Мнннстров СССР по делам нзобретеннй н отнрытнй (53) УЙК 68!.327.66 (088,8) (72) Авторы изобретения

Ю. П, Деркач, В. П. Рева, А. М. Торчинский н О. С. Фролов (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ

Изобретение относится к области вычислительной техники.

Известны полупроводниковые линии задержки, каждая ячейка передающей цепочкй которой состоит из двух MAUI — транзисторов с увеличенлой емкостью затвор — сток, расположенных так, что сток одного служит истоком другого, затвор одного

МДП-транзистора подключен к первой тактовой

: шине, затвор другого — ко второй (11, Однако в таких линиях задержки искажается 10 задержанный сигнал, что связано с потерями при переносе заряда.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является полупроводниковая линия задержки, содержащая цепочку последова- 15 тельно соединенных МДП вЂ” транзисторов, причем затворы нечетных транзисторов подключены к первой тактовой шине, затворы четных — ко второйтактовой шине, и накопительные конденсаторы, включенные между стоками и затворами транзисто- 20 ров (2).

В такой линии задержки сигнал также искажается и за потерь при переносе заряда..

Целью изобретения является повышение точности работы линии задержки. 25

Эта цель достигается введением в предложенную линию задержки управляющей и разрядной шин и ключей, зыполненных на МДП вЂ” транзисторах.

Затворы МДП--транзисторов ключей подсоединены к управляющей шине, стоки — к разрядной, а истоки — к стокам соответствующих четных транзисторов цепочки.

Полупровоцниковая линия задержки представлена на чертеже.

Она содержит цепочку последовательно соединенных MGII — транзисторов 1 — 6 (эатворы нечетных транзисторов подключены к первой тактовой шине 7, а затворы четных — ко второй тактовой шине 8), накопительные конденсаторы 9 — 14, включенные между стоками и затворами транзисторов, управляющую 15 и разрядную 16 шины, ключи на

МДП вЂ” транзисторах 17, 18, затворы которых присоединены к управляющей шине, стоки к разрядной шине, а истоки — к стокам каждого четвертого транзистора цепочки, например к стокам транзисторов 2,6,..., 4n — 2,..., где и целое число.

Полупроводниковая линия задержки работает следующим образом, Информаштонньте заряды размещены в каждом четвертом накопительном конденсаторе, напри527739

Составитель Л. Липовецкая

Техред И. Асталош корректор Л. Веселовская

Редактор Л. Утехина

Заказ

917/36 Тираж 720 Подписное

11НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по лелем изобре гений и открьггнй

113033, Москва, Ж-3S, Раушская иаб., д. 4/5

Филиал ППЛ "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная, 4 мер9 и 13. flog действием тактовых импульсов информационные заряды перемещаются вдоль цепочки. На шину 15 и 16 поданы импульсы с частотой в два раза ниже частоты импульсов, поданиьи на тактовые шинъь Благодаря такой тактировке разрядные ключи действуют только в то время, когда информационные заряды не находятся в конденсаторах (10, 14), к которым эти ключи присоединены и информационные заряды не разру. шаются. В этих конде нсаторах находится часть информационных зарядов, потерянная из основных пакетов заряда за счет неэффективности переноса.

Эта часть зарядов удаляется в разрядную шину и не создает фазовых сдвигов передаваемого сигнала.

При другом способе функционирования на шину 16 подано такое постоянное напряжение, при котором в моменты действия ключей 17, 18 в конденсаторы 10, 14 вводятся заряды из шины 16.

Таким образом в ячейках, свободных or инфор. мационных зарядов, создается фоновый заряд, компенсирующий потери информационных зарядов, н следовательно, отсутствует искажение сигнала при его передаче, что повышает точность работы полупроводниковой линии задержки. ф

Предложенная линия задержки может быть построена на основе цепочек с зарядовой связью других типов.

Формула изобретения

Полупроводниковая линия задержки, содержащая цепочку последовательно соединенных

МДП вЂ” транзисторов, причем затворы нечетных транзисторов подключены к первой тактовой шине, затворы четных — ко второй тактовой шине, и накопительные конденсаторы, включенные между стоками и затворами транзисторов, о тли ча юща я ся тем, что, с целью повышения точности работы, она содержит ключи, выполненные на

М,ПД вЂ” транзисторах, управляющую и разрядную шины; причем затворы МДП-транзисторов ключей подсоединены к управляющей шине, стоки — к разрядной, а истоки — к стокам соответствующих четных транзисторов цепочки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент I!IA 340 — 173 N4 3660697 от 02.05.1972ã.

2. Philip@ Technical Review,том 31,1970, У 4, стр. 106-107.