Запоминающая матрица

Запоминающая матрица

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено .30.12.74 (21) 2089024/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.09.76. Бюллетень № 33 (45) Дата опубликования описания 07 07 77

Союз Советских

Социалистических

Республик (») 527743 (51) М. Кл.2 т, 11 С 17/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения

Ю . В. Остапенко, В. А. Степанов, В. В. Головатенко и Ю. П. Панев

Ордена Ленина институт кибернетики АН СССР (71) Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА

Изобретение относит я к области вычислительной техники и может быть использовано при изготоьлении устройств хранения дискретной информации.

Известны запоминающие матрицы, содержащие пересекающиеся числовые и разрядные шины, разделенные изоляционным слоем (1), (2) .

Одна из известных запоминающих матриц содержит числовые и разрядные шины. разделенные изоляционным слоем и охваченные м; -нитопроводом (1). Недостатком этой матрицы являются малые выходные сигналы.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является запоминающая матрица, которая содержит числовые и разрядные шины, разделенные первым изоляционным слоем и охваченные вторым изоляционным слоем, и слой магнитомягкого материала, расположенный поверх второго изоляционного слоя (2). Однако в такой матрице невозможна смена информации из-за жестко заданной конфигурации элементов памяти на этапе изготовления фотошаблонов числовых шин.

Целью изобретения является расширение области применения запоминающей матрицы.

Поставленная цель достигается путем того, что запоминающая матрица, содержащая числовые и разрядные шины, разделенные первым изоляционным слоем и охваченные вторым изоляционным слоем, и слой магнитомягкого материала, расположенный поверх второго изоляционного слоя, содержит третий изоляционный слой, расположенный поверх слоя магнитомягкого материала и охваченный слоем магнитотвердого материала.

На фиг. 1 изображена схема расположения числовых и разрядных ын запоминающей матрицы: на фиг. 2 — сечение по А — А на фиг. 1, на фиг. 3— временная диаграмма работы элементов памяти

15 матрицы.

Матрица 1 содержит числовые 2 и разрядные 3 шины, разделенные первым изоляционным слоем 4 и охваченные вторым изоляционным слоем 5. Слой магнитомягкого материала 6 расположен поверх

20 второго изоляционного слоя 5, а тре-.ий и: оляционньтй слой 7 — поверх слоя 6 н охвачен слоем магнитот ердого материала 8. С;;ой 7 служит для предотвращения усреднения характеристик слоем магнитомягкого и магниты . рдого материалов в ре26 зультате обменного взан .. ействия между ними.

527743

Параметры магнитных слоев выбраны таким образом, что при намагниивании слоя 8 внешним полем, направленным вдоль участков элементов памяти А — 3C, Е F — N M, ра змагничивающее поле этого слоя больше поля насыщения магнитомягкого материала, а магнитный поток слоя 8 полностью замыкается через слой 6.

Матрица работает следующим образом.

Запись информации осуществляется с помощью блока, намагничивающего элементы памяти матрицы в соответствии с заданным кодом и выполненного в виде отдельного устройства, например, блока магнитных головок. При записи "нулей" под действием поля, создаваемого блоком магнитных головок, намагничивается слой 8 вдоль участков элементов памяти А — ДС, EF — NM. При этом магнитный поток слоя замыкается через слой 6. При записи "единицы" под действием поля, создаваемого блоком магнитных головок, размагничивается слой 8, внешнее поле этого слоя исчезает, и слой 6 выходит из насыщенного состояния (фиг. 1 и 2) .

При считывании информации по выоранной числовой шине подается импульс тока считывания

3 q При этом в элементах памяти, которые находятся в состоянии "единицы",,перемагничивается слой 6, так как он выведен из насыщения. В результате в разрядных шинах индуцируется э.д.с.

"единицы". B элементах памяти, которые находятся в состоянии "нуля", слой 6 не перемагничивается, так как он находится в насыщении под действием поля магнитотвердого материала, которое существенно превосходит действующее поле, создаваемое током сч. В результате в разрядных шинах сигнал отсутствует (фиг. 3).

Введение дополнительных слоев изоляционного и магнитотвердого материалов позволяет менять информацию под действием внешних полей, что расширяет область применения матриц.

Формула изобретения

Запоминающая матрица, содержащая числовые и разрядные шины, разделенные первым изоляционным слоем и охваченные вторым изоляционным слоем, и слой магнитомягкого материала, расположенный поверх второго изоляционного слоя, о тли ча ю;цая ся тем, что, с целью расширения области применения матрицы, она содержит третий изоляционный слой, расположенный поверх слоя иагнитомягкого материала и охваченный слоем магнитотвердого материала.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Брик Е. А. "Техника постоянных запоминающих устройств". Изд-во" Советсткое радио", 1973 г., стр. 63.

2. Бардиж В. В. Магнитные элементы ЦВМ".

Изд — во * Энергия" 1974 г., стр. 441.

527743

А-Я

2 Я7

Фиг. 2 е„ е.

Составитель Ю. Розенталь

Техред И. Асталош Корректор Л . Веселовская

Редактор Л. Утехина

Заказ 917/36

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Тираж 720 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушск ая наб., д. 4/5