Способ изготовления высокоомных проволочных резисторов

Способ изготовления высокоомных проволочных резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

t

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и) 528638

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 22.06.71 (21) 1671779 07 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет

Опубликовано 15.09.76. Бюллетень № 34

Дата опубликования описания 22.11.76 (51) М. Кл. - Н 01С 17i 04

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.316.842-181.4 (088.8) (72) Авторы изобретения

А, Б. Березин, Н. Р. Берман, И. И. Гришанов, Д. С. Замбахидзе, А. М. Иойшер, Л. П. Керницкий, И. А. Нестеровский, К. М. Цайреф и В. 3. Шуб (71) Заявитель

Кишиневский научно-исследовательский институт электроприборостроения (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКООМНЫХ ПРОВОЛОЧНЫХ

РЕЗИСТОРОВ

iс r0

2 2

L = К-,.1 (— - Ì Изобретение относится к способам изготовления высокоомных проволочных резисторов, в частности малогабаритных, применяемых в приборостроении и электронике.

В известных способах изготовления малогабаритных резисторов, включающих в себя операцию намотки провода на каркас, увеличение объемного сопротивления достигается в основном тем, что в качестве обмотки используют провода из высокоомных дорогостоящих сплавов (1).

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому изобретению является способ изготовления проволочных резисторов из микропровода в стеклянной изоляции, при котором с целью уменьшения габаритов резистора изоляцию микропровода при намотке его на каркас нагревают до температуры размягчения стекла (2).

Недостатком такого способа изготовления резисторов является возрастание проводимости стеклянной изоляции микропровода при нагревании, что вызывает шунтирование обмотки резистора и приводит к,невозможности контроля сопротивления при изготовлении резисторов с номиналом выше 10 МОм. Кроме того, такой способ является весьма сложным и дорогостоящим из-за необходимости применения специального термостойкого оборудования и защиты ряда приборов и обслуживающего персонала от действия высокой температуры.

Цель изобретения — упрощение технологпш изготовления и повышение объемного сопротивления резистора при заданной длине каркаса.

Это достигается тем, что по предлагаемому способу с начального отрезка мнкропровода, образующего внутреннюю часть обмотки, снимают стеклянную изоляцию без обрыва мнк1р ропровода, покрывают указанный участокэмалевой изоляцией, после чего производят намотку на каркас.

Длину L участка микропровода, на котором стеклянная изоляция заменена эмалевой, определяют по формуле где 1 — длина резистора, покрытая обмоткоп; г,— допустимый радиус изгиба мпкропровода в стеклянной изоляции; г, — радиус каркаса в месте намотки;

d — диаметр жилы микропровода;

25 Л,— толщина эмалевой изоляции;

К вЂ” коэффициент заполнения.

При этом сопротивление участка мпкропровода в эмалевой изоляции опрсделяют по пз30 вестной формулс

528618

Формула изобретения

Составитель Н. Нестеренко

Техред М. Семенов Корректор Т. Гревцова

Редактор И. Шубина

Заказ 2352/11 Изд. Ке 1623 Тираж 963 Подписное

Ц1-1ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 где р — удельное сопротивление материала жилы.

Известно, что в проволочных резисторах одной из основных причин отказов является потеря проводимости в контактных узлах. Поэтому отсутствие в резисторах, изготовленных по предлагаемому способу, промежуточного контактного узла между обмотками в эмалевой и стеклянной изоляции ввиду выполнения их в виде одного отрезка провода повышает надежность системы.

Лабораторные испытания показали, что в месте стыка эмалевой и стеклянной изоляции пробойное напряжение не ниже, чем для стеклянной изоляции, а допустимый радиус изгиба равен допустимому радиусу изгиба микропровода в стеклянной изоляции.

Способ поясняется чертежом (резистор изготовлен предлагаемым способом) где: 1 — пазовый каркас, 2 — обмотка из микропровода в эмалевой изоляции, 3 — обмотка из микропровода в стеклянной изоляции, 4 — токоподводы, 5 — герметизирующее покрытие.

3а счет уменьшения начального радиуса намотки вследствие применения микропровода, начальный участок которого покрыт эмалевой изоляцией и играет роль внутреннего слоя обмотки, сопротивление на единицу объема резистора увеличивается.

Способ изготовления высокоомных проволочных резисторов путем намотки микропровода в стеклянной изоляции на каркас, от л и1р ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и увеличения сопротивления, приходящегося на единицу объема при заданной длине каркаса, с начального отрезка микропровода, образующего внутреннюю часть

15 обмотки, снимают стеклянну1о изоляцию без обрыва микропровода, покрывают указанный участок эмалевой изоляцией, после чего, производят намотку на каркас, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. К. И. Мартюшов и Ю. В. Зайце в «Резисторы» изд. «Энергия», Ленинград 19бб r., стр. 180 — 182.

25 2. С. М. Димитраки и др. «Влияние нагрева при намотке по заданному сопротивлению резисторов из остеклованного микропровода».

«Микропровод и приборы сопротивления» вып.

4, 19бб г. (и р ототи и ) .