Магниточувствительный элемент

Магниточувствительный элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

529435

Составитель E. Данилина

Редактор О. Стенина Техред И. Ковач Корректор С, Болдижар

Заказ 5348/1 13 Тираж 1029 Подписное

ЫНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, Элемент состоит из прямоугольной полупроводниковой пластины 1 с омическими контактами 2 и 3 на противоположных то-ковых торцах, области 4 грани 5 с проводимостью, противоположной проводимости пластины i, и полевого электрода 6, расположенного на той же грани 5 вокруг области 4, но изолированно от нее.

Грань 7 пластины 1, противоположная грани 5 с полевым электродом 6, имеет большук скорость поверхностной рекомбинации носителей тока.

При пропускании через пластину 1 электрического тока через контакты 2,3 и подаче на полевой электрод 6 переменного напряжения с частотой преобразования сопротивление пластины из-за наличия омических контактов 2 и 3, изменяется лишь за счет эффекта поля, не приводящего к появлению неравновесных носителей тока в области 4, на которую подается напряжение в запорном направлении. В результате, при расстоянии от области 4 до ближайшего соседнего участка полевого электрода больше, чем длина, на которой изменяется приповерхностный заряд в эффекте поля, в отсутствии магнитного поля величина сигнала на области 4 определяется уровнем собственных шумов магниточувствительного элемента.

При помещении элемента в магнитное поле, перпендикулярно к направлению тока через .пластину 1 и параллельно грани 5 с областью 4, у этой грани возникают избыточные носители тока. Концентрация носителей, а значит, и ток через область 4 модулируется напряжением на полевом электроде с частотой преобразования, причем тем эффективнее, чем меньше расстояние от обла"ти 4 до ближайшего соседнего участка полевого электрода 6 (с учетом требования превышения длины, на которой изменяется приповерхностный заряд в эффекте поля) по сравнению с длиной биполярной диффузии носителей тока в пластине 1.

)Q Таким образом, в магниточувствительном элементе исключается проникновение паразитных сигналов на его выход, что приводит к увеличению динамического диапазона преобразования.

)5 Наличие большой скорости поверхностной рекомбинации на грани 7, противоположной грани с областью 4, приводит к увеличению концентрации неравновесных носителей у области в присутствии магнитного поля и, 20 следовательно, к повышению чувствительнос— ти элемента.

Формула изобретения

Магниточувствительный элемент, выполненный в виде прямоугольной полупроводни ковой пластины, с токовыми омическими контактами на противоположных торцах и с

30 полевым электродом на одной из граней, отличак шийся тем, что,сцелью расширения динамического диапазона преоМ разования, на поверхности грани пластины с полевым электродом введена изолирован»

35 ная от него область с проводимостью, прстивоположной проводимости пластины.