Двухтактный эммитерный повторитель
Иллюстрации
Показать всеРеферат
О П И С А Н И Е () ) 530424
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВЙДЕТЕДЬСТВУ (о1) Дополнительное к авт. свид-ву.№ 425305 (22) Заявлено07.10.74 (21) 2067307/09 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано30.09.76.Бюллетень №36 (46) Дата опубликования описания 09.11.76 (51) И. К
Н03 Х 3!26
Государственный номнтвт
Совета Мнннстров СССР оо делам наобрвтвннй н открытий (53) УДК
621.375.026 (088.8) (72) Авторы изобретения
Э. П. Тарасов и О. Б. Королева (71) Заявитель (54) ДВУХТАКТНЫЙ ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЪ
Изобретение относится к радиотехнике.
По основному авт.св. ¹ 425305 известен двухтактный эмиттерный повторитель, содержаший два основных транзистора противоположногD типа проводимости и управ- 5 ляюший транзистор.
Однако известный двухкратный эмиттерный повторитель имеет ограниченную полосу пропускания.
Пель изобретения - расширение полосы,1О пропускания.
Для этого В двухтактный эмиттерный повторитель, содержаший два основных транзистора противоположного типа проводимости и управляюший транзистор, между коллектором управляюшего транзистора и резистором, соединяюшим его с источником питания, включен дополнительный управляющий транзистор противоположного типа проводимости, к эмиттеру которого подключен коллектор соответствуюшего основного транзистора, а к базе — источник опорного на= пряжения.
На чертеже приведена схема предлагаемого повторителя.
Двухкратный эмиттерный повторитель содержит два основных транзистора 1 и 2 противоположного типа проводимости, управляюший транзистор 3, между коллектором которого и резистором 4, соединяюшим его с источником питания, включен дополнительный управляюший транзистор 5 противоположного типа проводимости, к эмиттеру которого подключен коллектор основного транзистора 1, а к базе — источник опорного напряжения 6, а также вспомогательный транзистор 7, нелинейные элементы 8, 9, конденсатор 1 0 и резисторы 1 1-1 5.
Двухтактный эмиттерный повторитель работает следуюшим образом.
B статическом. режиме токи управляющих транзисторов 3,5 и основных транзисторов 1, 2 задаются источником опорного напряжения 6. Последний танже задает режим вспомогательного транзистора 7, коллекторный ток которого, проходя через резистор 1 ", обеспечивает основное напряжение смешения между базами основных транзисторов 1, 530424, Необходимая величина падения напряжения на сопротивлении резистора 13 обеспечивается дополнительным смещением с выходов упревляюшкк транзисторов 3, 5 и че .рез резистор 12. Величина и направление то- 5 ка через резистор 12 зависят от температуры: при некоторой средней температуре рабочего диапазона этот ток равен нулю. Изменения тока через резистор 1 2 яв..яются результатом сложения изменений коллекторных i l0 токов управляющих транзисторов 3, 5, напри- мер при изменении температуры окружающей сре- ды, Так при увеличении температуры увеличиваются токи основных транзисторов 1, 2, что приводит к росту падений напряже- l5 ний на сопротивлении резисторов 4 и 1 5.
В результате уменьшается коллекторный ток управляюшего транзистора 5 и увеличивается ток коллектора управляюшего транзистора 3. Это вызывает изменение 20 тока через резистор 12 в направлении, которое соответствует уменьшению тока через резистор 13. При этом снижается напряжение смещения между базами основных транзисторов 1, 2, чем достигается авто- М компенсация изменений токов последних. В статическом режиме нелинейные элементы
8, 9 (например, стабилитроны) не проводят тока, поэтому не шунтируют сопротивление резисторов 4, 1,5.
В динамическом режиме изменения токов основных транзисторов l, 2 происходят в противофазе, поэтому изменения токов управляющих транзисторов 3, 5 осушествпяются синфазно. Тек, при работе основного транзисторе 1 управпяюшис транзисторы 3, 5 закрыты, но открыж . отся оба при работе основного транзистора 2.
С номошью нелинейных элементов 8, 9 переменные токи управляюших транзисторов
3, 5 формируются в виде практически,симметричных прямоугольных импульсов. При этом переменный ток через резистор 1 2 при отсутствии конденсатора 1 0 соответствует разности коллекторных токов управляющих транзисторов
3, 5 и практически отсутствует. Конденсатор 10 вместе с резистором 12 образу.от фильтр, с помощью которого обеспечивается устойчивость двухтактного эмиттерного повторителя на высоких частотах.
Таким образом, включением двух управляющих транзисторов 5, 3 достигнуты сложение их действий в статическом режиме (т.е. повышение стабильности режиме и надежности эмиттерного повторителя на высс ких частотах.
Таким образом, включением двух управляющих транзисторов 5, 3 достигнуты сложение их действий в статическом режиме (т.е. повышение стабильности режиме и надежности эмиттерного повторителя) и взаимная компенсация их влияния в динамическом режиме.
Формула изобретения
Двухтектный эмиттерный повторитель по авт.св. 425305, о т и и ч а ю щ и й- с я тем, что, с целью расширения полосы пропускания, между коллектором управляю- шего транзистора и резистором, соединяющим его с источником питания, включен дополнительный управплюший транзистор противоположного типа проводимости, к эмиттеру которого подхпючен коллектор соответствуюшего основного транзистора, а к безе — источник опорного напряжения.
5304 24
Составитель А. Кузнецов
Техред О. Луговая Корректор Б. Югас
Редактор О. Юркова
Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Заказ 5240/646 Тираж 1029 Подписное
UHHHIIH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035,Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5