Способ записи информации на анизотропные магнитные пленки

Способ записи информации на анизотропные магнитные пленки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

CGi93 СОветсиин

Социалистических

Республик (») ЬЗ 191 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06.09,74 (21) 2058265/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.10.76. Бюллетень ¹ 37 (45) Дата опубликования описания 01.06.77 (51) /й, Кл.т

G 11 С 7/00

G 11 С 11/14

Государственный камнтет

Совета Министров СССР во делам изобретений н открытий (53) УДК

681.327.66 (088.8) (?2) Авторы изобретения Ю. В. Остапенко, В. А. Степанов, В. B. 1оловатенко и 10. H. Палев (71) Заявитель

Ордена Ленина Институт кибернетики AH Украинской ССР (54) СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ НА АНИЗОТРОПНЫЕ МАГНИ1 НЫЕ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовало в полупостоянных ЗУ с электрическо,1 сменой информации.

Известны способы записи информации íà аниao povu; e err w e mieHKz (1,2) .

Известен способ, основанный на изменении намагниченности локальных участков пленки импульсами управляющих токов f1). Недостатком способа является его сложность.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является способ записи информации на анизотропные магнитные пленки, основанньй, как и предложенньй, на совместном воздействии на пленки адресного и разрядного токов (2) .

В известном способе для записи информации используется вращение вектора намагниченности пленок, Надежность записи информации характеризуется допустимыми пределами изменения разрядного поля Нр, создаваемого разрядным током

io. Величина порогового разрядного поля записи

А

Нрз, определяющая нижнюю границу изменения разрядного поля, зависит от амплитуды адресного поля Н создаваемого адресным током 1а С уве> личепием амплитуды поля На происходит уменьшение поля Нрз которое носит резкий характер F. областт малых полей На и более плавный в обдаст- больших. Пои амплиг де галя Н-„большей по",;: а изотропии, поле Нрз достигает своего наименьше-о значения.

Раз".,. шение инф эрмации вследствие взаимногс влияния элементов памяти характеризуется про 0 цессом . лза грашш доменов. Величина псрогового разрядного поля разрушения Н1» о»деляющая верхнюю границу изменения разрядного поля, зависит от анптлитуды поля На С увеличением амплитуды поля Н, происходит ум ньшение поля

1б Нрр При этом уменьшении поля Нрр происходит менее интенсивно, чем уменьшение поля Нрз Для обеспечения надежной записи информации амплитуда поля На должна быть больше поля анизотропии. В противном случае при уменьшении поля H. ниже поля анпзотропии рсзко увеличивается поле

Нрз и соответственно резко уменьшается разносгь (Hpp — Нрз), определяющая допустимые пре лель. изменения поля Нр Для считывания информации без ее разрушения амплитуда адресного поля должна быть меньше поля анизогропии.

531191

7 -"т(игь (-дл,о

Р/Т/ЦЫ *. (СД((»(.НО -

Тираж 77З

UHHHHH Заказ 5422/126

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Однако такой способ записи информации не позволяет осуществлять запись и неразрушающее считывание информации при одной и той же амплитуде адресного поля, чта приводит к невозможности организации накопителя по экономичной системе

2,5 Д (единственно возможным является применение системы 2 Д) и усложняет управление адресным полем;

Кроме того, способ требует большой амплитуды адресного поля, чта определяет низкое значение порогового разрядного поля разрушения из- за повышенного взаимного влияния элементов памяти и что приводит к необходимости уменьшения плотности расположения элементов памяти, т. е. к неэканамическаму использованию накош((е; (я.

Це;(ь(о изобретегп(я является повышение эко(номичности «Baecтннга спасааа записи.

11аставленная цель достигается путем того, что по прешгоженному способу записи информации на анизатропные магнитные пленки, основанному на воздействии па пленки адресного и разрядного токов, серию импульсов адресного тока перекрыBd(от Во вре Ie(B(и(чп(ульсам разряднОго тОка.

KI чертеже показана ВОеменная диаграмма изменения адресного и разрядного токов при заПИСИ.

11ри записи вдоль ОТН пленки многократно действует ноле На создаваемое током 1а а вдоль

ОЛН пленки IocTo((B((o действует поле Hp создаваемое таком I.p При этом поле Н1(во времени перекрывает серию импульсов поля На В зависимости ат записываемой информации поле Нр имеет либо положительную, либо отрицательную полярность.

Г ри записи информации путем подачи серии импульсов адресного тока, перекрытых во време(и импульсам разрядного тока, имеет место процесс

СПОЛЗаНИЯ ГРаНИЦ ДОМЕНан. "-;атп((ль ЛП, СО;;(,,".. исгьользова(ием процесса спс;..:-.:- :.:- г,.а(, х", т(сменов протекает при боле; (»из(сов» - .: а(.;=.: —: =: ((Oë. :

На В Отличие OT записи вр(((ц ((т(еа(В.- ;-тара намагнеразрутиаю(цее сч(;та(заняв -,;(фа с..ю (;:р.; 0;::НЕКОВОИ аМПЛИТ" ДЕ Пан(: та

Таким абразсм, пред:Ожс п:ьП. С.ас б;.-(.с(ИнфаРМаЦИИ Hd U. (;Ieî i(?!О;(ПЫЕ

1О имеет более выаэкую э(за((0(;,и.::.—,О:, =,::.... гс:, ствие: Ocy((TecTвBления записи (1 (:.; —.раар ...,.;О тывания информации при одной:; та:.;. ; =..ë(i. ;у;(е адресного поля, чта Обес((еч((вает -.;,::-. .: .:... с сп: op -zIIN3 N H((Ko((итсля НО сиcTC(:Ic,".,5,i 1 B ::, T 2, .(,( упрощает управления апр-c(-„::.-,,- .:„. (Сьп ..--0 значения аьп(литудь((Опара;сга =:-:О:,т;::::..= э;:..—.

Оазрушсния iIT0 поза л((-- у(. расположени(элс,-". намично использовать на:сс:..(=..:,.

СПОСОб ЗНПИСП ((((СЗО-;,;.за(,,:(::.

25 магн1(тнь(е пленки, Осна.-.:.. .-(ь: 2: действии: а ((ле пси -(((;.ее(; л;.

К0В ОТТ(. 1.;а(G V.йси

ВЫI((ЕЕИЯ Э(СО((От И (:,Сот .. С .

i з9 разр((Г(1(0io iei. e, ИСТО IB(;;.i, При,„ ;З.: (. зизс изсбоетс(л;т(:

1.."(1ихайл(с 17 Х

ВЬ(ЧИСЛИТЕЛЬ((ай ТЕ::(Л:„Ь.

М 19б7.

2 Яаплцж 1(Я. (,",а г; .„11 (,;

Вь((исл»(тел ь((о(х ма(и((B. "(3, ). ( стр. 415.