Элемент памяти

Элемент памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

с е»»ВА

Союз Советских

Социалистически»

Республик

ОПИСАНИ

И3ОБРЕТЕН ИЯ (А9ТОР СКОМУ СВИЙ о -

)взхаоз (61) дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено22.02.74 (21) 2000776/24

)M Клт (11 С 11/08 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 05,10.76,Бюллетень № (45) Дата опубликования описания 20.01.

Гасудерстееиный комитет

Совета Мииистрае СССР по делам изаоретений и открытий

) УДК 681.327, . 66 (088. 8 ) (72} Авторы изобретения

В. П. Ревенко, Е. И, Ильяшенко и В. H. Киселев (71) Заявитель (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть исползовано при изготовлении ЗУ ЦВМ.

Известны элементы памяти, содержащие ! трансфлюксор с большими и малыми отверстиями, прошитыми управляющими шинами

11, 2), Один из известных элементов памяти содержит трансфлюксор с большим и малым отверстиями из материала с ППГ, у котор6- )О го поперечное сечение в неразветвленной части равно или больше суммы поперечных. сечений перемычек в местах разветвлений магнитопровода Щ.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является элемент памяти, который содержит как и предложеЦный, трансфлюксор с большим и малыми отверстиями, прошитыми обмотками раэ- 20 блокировки, подготовки, считывания и выходным и (2 ).

Недостатками такого элемента памяти являются сравнительно малое быстродействие и большая потребляемая мощность. 25

Целью изобретения является повышение быстродействия элемента памяти и умень шение потребляемой мощности.

Поставленная цель достигается путем того, что в элементе памяти, содержащем трансфлюксор с большим и малыми отвер1 стиями, прошитыми обмотками разблокиров ки, подготовки, считывания и выходными, перемычки вокруг малых отверстий транс флюксора выполнены из материала с коэрцитивной силой, большей, чем коэрцитивная сила материала остальной части магнита провода трансфлюксора, На фиг. 1 изображен предложенный элеи мент памяти; на фиг. 2 - размещение уп равляющих обмоток в одном из малых ор» верстий трапсфлю ксора.

Элемент памяти содержит трансфлюксор

1 с малыми 2-4 и большим 5 отверстия» ми. Поперечное сечение. неразветвленного участка равно или больше суммы одинаковых поперечных сечений участков в местм р8 зветвлен ий.

Допустим, что перемычки вокруг малогЬ отверстия 3, показанные пунктиром, выпол

531193

3»

Фиг.!

Фиг. 2

Составитель 10. Розенталь

Редактор Л. Утехина Техред М. Ликович Корректор : Б. 10rac

Заказ 5551/243 Тираж 723 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, >l(-35, Раушская иаб., д. 4/5

Филиал 1П П Г Ьтснт, г. Ужгород, ул. Про«.ктвд я, 4 нены и материала с коэрцитивной силой, большей, чем коэрцитивная сила материала остальной части магнитопровода трансфлюк сора.

При этом при одновременной подаче им» пульсов тока l и Lп s обмотки считыван и

М и подготовки1ф, соответственно элемент с памяти намагничивается против часовой стрелки, что соответствует записи О". Приподачэ импульсов тока 1. в обмотку W> участки магнитопровода вокруг отверстия 2 оказываются намагниченными в разных направлениях, что соответствует записи "1".

Считывание информации осуществляется подачей импульса тока г в обмотку М .

Г1ри атом материал вокруг отверстия 2 перемагничивается, если в элемент записана "1", или не перемагничивается, если записан "О, B выходной обмотке Ю1, в этот момент соответственно наводится сиг нал "1 или "О".

В режиме записи происходит.перемагничивание элемента по контуру большого отверстия, и выполнение магнитопровода по этому контуру из материала с относительно низким значением коэрцитивной си лы приводит к уменьшению потребляемой мощности в рассмотренном режиме. Перемагничиванием элемента в режиме считывания происходит по контуру малых отверсГ ий, и выполнение магнитопровода вокруг этих отверстий из материала с относитель. но высоким значением коэрцитивной силы приводит к увеличению быстродействия в этом режиме.

Принцип действия при записи и считывании информации цо остальным малым отверстиям аналогичен рассмотренному.

Ф о р м у л а - и з о б р е т е н и я

Элемент памяти, содержащий трансфлюи»; сор с большим и малыми отверстиями, прошитыми обмотками разблокировки, подготовки, считывания и выходными, о тл и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью повышения быстродействия элемента и уменьшения потребляемой мощности, перемычки вокруг малых отверстий трансфлюксора вы

l полнены из материала с коэрцитивной силой, большей, чем коэрцитивная сила ма30 териала остальной части магнитопровода трансфлюксора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

ЗВ 1. Маркелов В. А. Трансфлюксоры для

ЗУ с троичной системой счисления. "Элек- тронная техника", с .У11, вып. 2, 1967 v,, 2. Боярченков М, А. и др, "Магнитные элементы на разветвленных сердечниках", ЭО изд-ао "Энергия", 1969 г., стр. 72 (про тотип) .