Фотодатчик
Иллюстрации
Реферат
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик (ll) 533258 (61)Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлено 26.06.73. (21) 1941111/21 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (43) Опубликовано 05.10.76. Бюллетень № 37 (46) Дата опубликования описания 21.01.77. (72) Авторы изобретения
Н. И. Сементовский и В.Ю. Логинов
{71) Заявитель (54) ФОТОДАТ ЧИК через резистор — к полюсу источника питания, при этом точки соединения первого фотодиода и первого конденсатора, второго фотодиода и третьего конденсатора через резисторы подключены а к, общей шине.
На чертеже приведена принципиальная электрическая схема фотодатчика, выполненная согласно данному изобрете нию.
Фотодатчик содержит источник питания, 10 подключаемый к зажимам 1 и 2, автогенератор, выполненный на транзисторах 3 и 4, фотодиоды 5 и
6.
Автогенератор выполнен в виде мультивиб. ратора с гальванической связью между коллек)5 тором транзистора 3 и базой транзистора 4 и емкостной связью между коллектором транзистора 4 и базой транзистора 3. Емкосптая связь образована конденсатором 7, фотодиодом 6 и конденсатором 8. Точка соединения фотодиода 6 и конденсатора 8 через встречно включенные фотодиод 5 и конденсатор 9 подключена к коллектору транзистора 3, а через резистор 10 — к зажиму 1 источтщка питания.
Точки соединения конденсатора 7 и фотодиода 6, конденсатора 9 и фотодиода 5 через ре1 Изобретение относйтся к радиотехнике и может быть использовано в преобразователях световых сигналов в злектрическче.
Известен фотодатчик, содержащий источник питания, автогенератор, собранный на первом и втором транзисторах, первый и второй фотодиоды (1).
Однако известный фотодатчик имеет недостаточную чувствительность, причем в нем отсутствует компенсация влияния фонового излучения.
Целью изобретения является повышение чувствительности фотодатчика и компенсация влияния фонового излучения.
Для этого коллектор первого транзистора
;автогенератора непосредственно соединен с базой второго транзистора автогенератора, коллектор которого соединен с базой первого транзистора емкостной связью, образованной первым конденсатором, при этом в цепь емкостной связи последовательно включены второй конденсатор и первый фотодиод, точка соединения второго конденсатора и первого фотодиода через встречно включенные второй фотодиод и третий конденсатор присоединена к коллектору первого транзистора и (61) Я. Кл.s НОЗК3/281
Н 01 Н 47/24 (53) УДК 621 374 3 (088.8)., зисторы 11 и 12 соответственно соединены с общей шиной {зажимом 2) источника питания, Фотодатчик работает следующим образом.
Фотодатчик может работать в трех режимах: в режиме фотореле, срабатывающего при затемнении фотодиода, в качестве фотореле, срабатывающего при освещении фотодиода, в режиме фотокомпаратора, срабатывающего с высокой точностью при различном освещении фотодиодав.
В фотодатчике имеются положительная обратная связь и отрицательная обратная связь.
Положительная обратная связь адается с коллектора транзистора 4 через конденсатор 7, фотодиод 6, конденсатор 8, в базу транзистора 3, с коллектора транзистора 3 в базу транзистора 4.
Отрицательная обратная связь падается с коллектора транзистора 3 через конденсатор 9, фатодиод 5, конденсатор 8 в базу транзистора 3.
Изменением сопротивлений резисторов 11 или
12 автогенератар переводится в режим ждущего л ультивибратора или в режим автакалебапий. При установлении автогенератора в ждущий режим фотодатчик работает при затемнении фотопдада 5, на выходе 13 появляются импульсы.
Бели изменением сопротивлеш и резисторов 11 и 12 установить автагенератар в режим авто. колебаний, то при уменьшении освещенности фотодиода 6 генератор устанавливается в ждущий режим.
В качестве фатокампаратара фатадатчик работает следующим образом.
Изменение сопротивлений резисторов 14 и 15 при затемненных фатади адах 5 и 6 и равных сопротивлениях резисторов 11 и 12 мультнвпбратар устанавливается в ждущий режим.
Изменением сопротивлений резисторов 11 и 12 при одинаковом освещении фатодпадов 5 и 6 компенсируется разброс параметров фатадиадав и устанавливается режим начала генерации.
При небольшом увеличении асвещецнасти фотодиода 5 ло сравнению с освещенностью фотадиода 6 сопротивление в цепи паследовательной атрн нательной обратной связи начинает уменьшаться, начинает преобладать отрицательная обратная связь, генерация прекращается и на выходе 13 импульсы исчезают.
При небольшом увеличении освещенности фатодпода 6 по сравнению с освещенностью фотадиода 5 сопротивление в цепи положительной последовательной обратной связи будет меньше, чем сапротивлеш е в цепи последовательной отрицательной обратной связи, и за счет преобладания положительной обратной связи мультивибратор начнет генерировать импульсы. С увеличением освещенности фотадиада 6 частота импульсов на выходе 13 растет.
Формула изобретения
Фатадат я1к, содержащий источник питания, 20 автагсператор на транзисторах, первый и второй фатадиады, атли чающий ся тем, что, с целью повышения чувствительности и компенсации влияния фонового излучения, коллектор первого транзистора автогенератора непосредственно
25 соединен с базой второго транзистора автогенерагора> коллектор которого соединен с базой первого транзистора емкастнай связью, образованной первым конденсаторам, при этом в цепь емкостнай связи последовательна включены второй
30 конденсатор и первый фотодиод, точка соединения второго конденсатора и первого фотодиода через встречно включещгые второй фотодиод и третий конденсатор присоединена к коллектору первого транзистора и через резистор — к полюсу источника питания, при этом точки соединения первого фотадиада и пе рвага конденсатора, второго фотадиода н третьего конденсатора через резисторы подключены к общей шине.
Источники информации, принятые ва внимание
40 при экспертизе .
1. Авторское свидетельства СССР NÐ 278884, - tvjiQ4 Н Ol Н 47j24, 28.04.67 (прототип) .
531758
Составитель Ю. Еркин
Техред М, Ликович
Корректор В йтгвс редактор А, Зинковский
Филнал ППП "Патент", r. Ужгород, ул, Проектнаа, 4
Заказ 5292/162 Тираж Ы29 Подвитое
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д.4/5