Фотополупроводниковый материал

Фотополупроводниковый материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ти»,, Союз Советских

Социалистических

Республик

Ф) 132З42 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлеио03.11.75 (2}) 2186927 12 с присоелинением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано25.10.76,Бюллетень №39 (45) Дата опубликования описания 21.02.77 (51) Л1. Кл.

Й03 5 5/06

Государственный комитет

Совета Министров ИСР оо делам изобретений и атирытий (53» УДК 772 93 (088.8 ) Н. А. Шеглова, Л. Н. Шигорин, Б, В. Салов, О. В, Колпинов в и 3. B. Звонкова (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ФОТОПОЛУПРОВОДНИКОВЫ Й МАТЕРИАЛ

12

О

3 0 Е 1

Изобретение относится к фотополупроводниковым материалам и может найтй применение втелевизионной технике радиоэлектронной: промышленности и системах ав том атики, Известно применение в качестве фотсм. полупроводникового материала соединений обшей формулы

Однако фоточувствительность этого материала ограничена ультрафиолетовой областью.

Целью изобретения является расширение спектрального диапазона фоточувствитель ности, органических фотополупроводников, включая видимую область спектра, Это достигается применением 2-аминон-Х-фторантрахинона обшей формулы где%= Н, алкил; .

l0 Х-7 в положениях 5, 6, 7, 8, в качестве фотбполупроводникового материала.

Соединения этого класса, например 1-амино-6,7-дифторантрахинон, пли 2,3-диI5 фторантрахинон, применялись ранее в качестве красителей.

Было обнаружено, что исхолный 9, 10»

-антрахинон обладает слабой ф: т оелектри ческой чувствительностью. Кратность воз20 растания фототока

Э фото О, 11

= 5 (4 =4i Otrhi).

ЧАКА

3 темн, 0,02

Темновой ток 3т = 2,10 а .

25 Интенсивность света = 0,002 н /см

1 уу iр!

,ч

rri 32842

3 фото

3 темн.

При хинон

J фото теми

= 580 им

— — 300 . макс

0,08

0,6

0,01

3 фото

"- темн. (=600 нм) 85 макс

Составитель В. Улегова

Редактор А. Ьер Техред М. Ликович Корректор,, Н. Золотовская

Заказ, 5438/198 Тираж 575 Подписное

UHMHHM Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Уиаород, ул. Проектная, 4

B 2-аминоан трахин. не фотоэл1 к трическ аА чувствительность с к-.тлвляет

Зфото 1к45

10 (Л =640 нм) макс

При введении в 2-аминопроизводные

9,10-антрахинона атомов фтора. так, чтобы донор {MR>) и акцептор электронов (атом фтора) находились в разных бензольных 19 кольцах одной молекулы 9,1 0-антрахинона происходит дальнейшее возрастание фотоэлектрической чувствительности:

П р и и е р 1. 2-амино-5-фторантра- д хинон

0,15

l5 (А =590 нм)

0,01 МаКс м е р 2. 2-амино-6-фторантра- 20

Эфото 1,4

=70 (Л =580 нм)

Этемн 0,2 макс

2Ь

Пример 3. 2-амино-7-фторантра хинон

Пример 4. 2-амино-8-фторантрахинон

Пример,", 6,7-лифтер-1,4-лиаминоантрахинон

3 фото 0,7

=35 (Л = 600 нм)

О, 02 макс теми .

Пример 6. 2-ди ме тилами ноантрахинон

Э фото 0,5

-60 (А = 600 нм).

0,01 макс теми.. Как видно из приведенных примеров, максимум фотоэлектрической чувствительности наблюдается у 2-амино-7-фторантрахи нона.

Применение предлагаемого материала

2-амино- Х фтор-9,10-антрахинона позволяО ет расширить ассортимент органических .фотополупроводниковых материалов, обхватььвающих более широкий спектральный диапазон.

Формула изобретения

Применение 2-амино-Х-фторантрахино на общей формулы

О где 4 = Н, алкил„

Х = 7 в положениях 5, 6, 7, 8, в качестве фотополупроводникового материала.