Способ записи изображения на полупроводниковом слое

Способ записи изображения на полупроводниковом слое

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

«»53473l

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ol) Дополнительное ас авт. твид-ву— (22) Заявлено 04.04.73 (21) 1903320/23-04 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.11.76. Бюллетень № 41 (45) Дата опубликования описания 08.12.78 (51) М.Кл 2 G 03 С 5/22

Государственный комитет (53) УДК 778.34 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

Д. Г. Семак, А. А. Кикииеши и Д..В. Чепур

Ужгородский государственный университет (71) Заявитель (54) СПОСОБ ЗАПИСИ ИЗОБРАЖЕНИЯ

НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ СЛОЕ

Изобретение относится к получению изображений на полупроводниковых слоях и может быть использовано для прямого фотографирования.

Известен способ получения изображения на полупроводниковых слоях, в котором для получения изображения в видимой области спектра в процессе экспонирования слой на основе полупроводника — галоида — нагревают до 80 — 200 С.

Однако такой способ имеет низкую фоточувствительность полупроводникового слоя и высокую температуру процесса экс- 15 понирования.

Предлагаемый способ о т л и ч а е т с я тем, что, с целью повышения чувствительности слоя, экспонирование полупроводникового слоя на основе полупроводника— галопда — ведется в парах водного раствора щелочи при комнатной температу.ре.

Пример. На слой B J> толщиной около

0,1 лкл, получеппый термическим напылением в вакууме па слюду или стекло, экслонпруется изображение прп комнатной температуре. B обычных условиях этот слой не имеет фоточувствптельности, но при ЗО воздействии на него паров 0,05%-ного водного раствора щелочи становится фоточувствительным. Контрастность изображений зависит от соотношения размера экспозиции интенсивности воздействия паров щелочи.

В результате экспонирования светом интенсивностью порядка 10 МВт/см в течение 40 — 50 с получается изображение, которое наблюдается в отраженном свете, а при больших экспозициях хорошо просматривается и в проходящем свете. Длительность экспонирования зависит от интенсивности и спектрального состава освещения. Величина экспозиции может быть значительно сокращена в случае применения лазерного освещения, например в голографии.

Формула изобретен|ия

Способ записи изображения на полу.проводниковом слое с использованием в качестве полупроводника галоида путем фокусирования изображения и последующего экспонирования, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности слоя, эксп-нирование проводят в при сутствни паров водного раствора щелочи при комнатной температуре.