Полупроводниковый конденсатор

Полупроводниковый конденсатор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОГ)ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ.5;БбО 8

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.10.71 (21) 1704711/21 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.11.76. Бюллетень № 42

Дата опубликования описания 12.11.76 (51) M. Кл Н 01G 7/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло лелам изобретений и открытий (53) УДК 621.319.4 (088.8) (72) Авторы изобретения

Э. Э. Аболтинь и К. А. Дзилюмс (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫИ КОНДЕНСАТОР

Изобретение отнооится к области радиотехники, в частности к конструированию полупроводниковых конденсаторов.

Известны полупроводниковые,конденсаторы, содержащие слои полупроводника, диэлектрика, металла и выводы.

Однако, известные конденсаторы обладают незначительным по ширине диапазоном изменения емкости.

Цель изобретения — расширение диапазона изменения емкости конденсатора — достигается тем, что полупроводниковый слой расположен между металличеакими слоям и, разделенными диэлектриком, а выводы подсоединены,к полупроводниковому слою.

На чертеже показан предлагаемый конденсатор.

Он .состоит из полупроводникового слоя 1, расположенного между металлическим и слоями 2, разделенными диэлектриком 3 и .выводов 4, подсоединенных к полу проводниковому слою. Через контакты 5 конденсатор подключается к рабочей схеме.

На полупроводниковый слой подается постоянный ток, при прохождении которого изменяются авойства конденсатора, т. е. изменяется его емкость. Плавно меняя величину тока, можно плов но изменять величину емкости конденсатора. Подб ирая толщину и удельное сопротивление полупроводника, толщину диэлектриков, можно добиться необходимой величины изменения емкости конденса1р то ра, про исходящего за .счет наличия скрещенных полей, а также появлен ия избыточных носителей тока в полуправодни ке.

Формула изобретения

Полупроводниковый конденсатор, содержащий,слои полупроводника, диэлектрика, металла и выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона изменения

20 емкости конденсатора, полупроводниковый слой расположен между металлическими слоями, разделенными диэлектриком, а выводы подсоединены к .полупроводниковому слою.

Составитель Н. Блинкова

Редактор Н. Каменская Техред М. Семенов

Корректоры: Т. Добровольская и О. Тюрина

Заказ 2369/3 Изд. Хо 1762 Тираж 963 Подписно

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2