Запоминающий элемент

Запоминающий элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик "ЯюфЯ е1а щ

Оп ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ9У (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 15. 05. 75 (21) 2151695/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05,12.76 Бюллетень № 45 (51) ф. Кл.>

G 11 С 11/02

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681 327 66 (088.8) (45) Дата опубликования описания 04.04.77

А.С, Фиалков, Л.С. Тян, Ю.В. Александров, В.И. Перепеченых, Е,Н. Юрков и В.М. Стебаков (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

1О!

25

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении устройств для хранения дискретной информации.

Известны запоминающие элементы, содержащие пленку из графитирующегося вещества и токонесущие электроды (1,2).

Один из известных запоминающих элементов содержит пленку из стеклоуглерода (1). Недостатком элемента является зависимость сопротивления пленки от времени.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является запоминающий элемент, который содержит, как и предложенный пленку из графитирующегося вещества, расположенную между двумя токонесущими электродами (2).

Недостатком известного элемента памяти является изменение сопротивления со временем, а также большой разброс параметров образцов, выполненных в идентичных условиях.

Целью изобретения является увеличение длительности хранения информации.

Поставленная цель достигается тем, что в предложенном запоминающем элементе, содержащем пленку из графитирующегося вещества, расположенную между двумя токонесущими электродами, пленка выполнена из углеродосодержащей мезофазы.

Углеродосодержащая (около 9Ì углерода ) мезофаза образуется при карбонизации в интерале 300 — 500 С органических соединений, которые относятся к классу графитирующихся веществ, и имеет жидко — кристаллическую структуру.

На чертеже изображен запоминающий элемент.

Запоминающий элемент содержит пленку 1 из углеродосодержащей мезофазы, расположенную между двумя токонесутцими электродами 2.

При подаче на элемент импульса напряжения происходит скачкообразное увеличение проводимости на 4 — 5 порядков, причем после снятия напряжения состояние высокой проводимости сохраняется длительное время без приложения разностей потенциалов, т. е. без затраты энергии. Перевод в первоначальное состояние осуществляется подачей импульса напряжения обратной полярности.

Состояние с низким сопро1ивлением сохраняется без изменений неограниченное время (см. таблицу). е Р

4т Д ь

538421

Составитель 10. Розенталь

М. Л„„,ч

Редактор Л. Утехина

КоРРектоР A. Лакида

Заказ 5724/31

Тираж 720 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Сопротивление

Я 10зом 230 228 228 230 230 230

Формула изобретения

Запоминающий элемент, содержащий пленку из графитирующегося вещества, расположенную между двумя токонесущими электродами, о т л и ч а ющи и с я тем, что, с целью увеличения длительности хранения информации, пленка выполнена из углеродосодержащей мезофазы, S

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе.

1. Фиалков А. С. и др. ХТТ,N 1 1971 г., стр 167.

30 2. К. Antonowi. et, aP., Canhon. v 10, No.1, 1МЪ.