Магнитный запоминающий элемент

Магнитный запоминающий элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (11)538422 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено09.06.75 (21) 2143019/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.12.76.Бюллетень № 45 (45) Дата опубликования описания 19.05-77 (51) М. Кл.

Я 11 С 11/08

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327..66 (088.8) Е. П. Балашов, A. И. Водяхо, А. О. Тимофеев и Л. А, Шумилов (72) Авторы изобретения

Ленинградский ордена Ленина электротехнический институт им. В, И. Ульянова (Ленина) (71) Заявитель (54) МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮШИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении ЗУ с неразрушающим считыванием информации.

Известны магнитные запоминающие эле- 5 менты содержащие ферритовую пластину с отверстиями, прошитыми управляющими обмотками 11), (2).

Один из известных запоминающих элемен-0 тов содержит ферритовую пластину с отверстиями, одно из которых прошито числовой обмоткой, а два других — разрядной и выходной обмотками (1). Недостатком элемента являются ограниченные функциональные возможности

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с отверстиями, числовую об- 20 мотку, прошитую через первое и второе отверстия в противоположном направлении, и разрядную обмотку P2). Недостатком известного элемента является разрушение информации при считывании. 25

11елью изобретения является осуществление неразрушающего считывания информации в запоминающем элементе.

Поставленная цель достигается путем того, что в предложенном магнитном запоминающем элементе, содержащем ферритовую пластину с отверстиями, числовую обмотку, прошитую через первое и второе отверстия в противоположном направлении, и разрядную обмотку, разрядная обмотка прошита в одинаковом направлении через первое и второе отверстия и в противоположном направлении через третье отверстие.

На фиг. 1 изображен магнитный запоминающий элемент, где обозначены: 3 -Д зн„., токи записи j --го и (g + 1)-ro чисел соответственно.

7он . — Д оч . — ToKH считывания 1

i. +л го и (j +1 )-го чисел соответственно.

1р„— разрядный ток fl -го разряда.

На фиг. 2 показано изменение магнитного состояния элемента под действием управляющих сигналов.

5 38422

Магнитный запоминающий элемент содержит ферритовую пластину 1 с тремя отверстиями 2-4, числовую обмотку 5, прошитую через отверстия 2 и 3 в противоположном направлении, разрядную обмотку 6, прошитую через отверстия 2 и 3 в одном направлении и через отверстие 4- в противоположном направлении. На фиг. 1 показано также расположение соседнего бита 7, принадлежащего одноименному разряду соседнего числа. !О

Считывание информации осуществляется действием числового тока 1 сч. При считывании "1" перемычка между первым и вторым отверстием намагничивается "вниз", при этом по полному гистерезисному циклу пере-!5 магничивается материал вокруг первого отверстия, и в разрядной обмотке наводится полезный сигнал. При считывании "О" упругое приращение потока в перемычке между первым и вторым отверстиями компенсируется в выходной обмотке. Восстановление осуществляется действием разрядного тока.

Запись "1" осуществляется совместным действием тока считывания и разрядного тока, а запись "О" — совместным действием тока записи и разрядного тока. В первом такте действует ток записи, во втором — ток считывания, а разрядный ток либо в первом, либо во втором такте. В третьем такте действием разрядного тока осуществляется фиксация записи.

Формула изобретения

Магнитный запоминающий элемент, содержащий ферритовую пластину с отверстиями, числовую обмотку, прошитую через первое и второе отверстия в противоположном направлении, и разрядную обмотку, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью осуществления неразрушающего считывания информации, разрядная обмотка прошита в одинаковом направлении через первое и второе отверстия и в противоположном направлении — через третье отверстие.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Бардиж B. В. "Магнитные элементы

LIBM", изд-во "Энергия", 1974 r., стр, 324.

2. Лащевский Р. А. и др. "Запоминающие устройства на многоотверстных ферритовых пластинах", изд-во "Энергия", 1969

538422

„а" Iî

»а" (o

„а" (o,а" о

Фиг. 2

Составитель Ю, Розенталь

Редактор Л. Утехина Техред М. Левицкая Корректор C. Шекмар

Заказ 6033/40 Тираж 720 Подписное

IIHMMIIM Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

I t о оЩ

О О ",о о я ð о оф о о оЩ „ "

O О О о о оЩ Зал / о о о Щ